精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>今日頭條>碳化硅(SiC)器件制造工藝中的清洗方法

碳化硅(SiC)器件制造工藝中的清洗方法

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

和發電機繞組以及磁線圈的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49

碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性,可以在更高的溫度和電壓下工作,實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125

碳化硅功率器件的工作原理和性能優勢

隨著全球能源結構的轉變和可再生能源的普及,電力電子技術在現代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術的關鍵元件,功率器件的性能直接影響著能源轉換和使用的效率。近年來,碳化硅SiC)功率器件因其優異
2024-02-25 10:37:01165

碳化硅功率器件的特點和應用

隨著全球能源危機和環境問題的日益突出,高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性,正在逐步取代傳統的硅基功率器件,引領著電力電子技術的發展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優勢、應用以及面臨的挑戰和未來的發展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
2024-02-21 09:32:31337

簡單認識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域以及未來發展趨勢。
2024-02-21 09:27:13209

碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導通電阻和快速開關等優點備受矚目。然而,如何充分發揮碳化硅器件的性能卻給封裝技術帶來了新的挑戰。傳統封裝技術在應對
2024-01-26 16:21:39218

SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502

碳化硅功率器件的應用與市場前景

碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優異性能,使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功率器件的技術、應用和市場前景進行深入探討。
2024-01-17 09:44:56159

碳化硅特色工藝模塊簡介

材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業發展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質原子難以在其中擴散。因此,在制備碳化硅器件
2024-01-11 17:33:14292

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅SiC)半導體材料的功率電子設備,主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優越性能,如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272

碳化硅器件封裝與模塊化的關鍵技術

碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC器件封裝與模塊化是實現碳化硅器件性能和可靠性提升的關鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27112

碳化硅的特性、應用及動態測試

SiC碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31195

碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

碳化硅SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案

車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案近年來,包括SiC在內的第三代半導體器件在汽車上的應用比例與日俱增。但在專業人士看來,這并不會是一個簡單的事情。一以車用引線框架來看,盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線
2024-01-06 14:22:15410

碳化硅功率器件的優勢應及發展趨勢

隨著科技的不斷進步,碳化硅SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件的優勢及應用

傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130

碳化硅肖特基二極管的優勢和應用領域

在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186

碳化硅功率器件的優勢、應用及發展

隨著電力電子技術的飛速發展,碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其獨特的物理特性,如高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等,在功率器件領域展現出巨大的應用潛力。本文將對SiC功率器件的優勢、應用及發展進行深入探討。
2023-12-28 09:25:56152

碳化硅器件領域,中外的現況如何?

導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56305

碳化硅三極管的阻值測試方法

碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導體材料,具有優異的熱穩定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點,在高功率和高溫應用中具有廣泛的應用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09286

功率電子器件從硅(Si)到碳化硅SiC)的過渡

眾所周知,硅(Si)材料及其基礎上的技術方向曾經改變了世界。硅材料從沙子中提煉,構筑了遠比沙土城堡更精密復雜的產品。如今,碳化硅SiC)材料作為一種衍生技術進入了市場——相比硅材料,它可以實現更高
2023-12-21 10:55:02182

碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發展前景

隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
2023-12-21 09:43:38353

碳化硅在溫度傳感器中的應用

碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30207

碳化硅功率器件的技術、應用與發展簡析

碳化硅SiC)是一種具有優異物理特性的半導體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。
2023-12-19 09:27:19300

碳化硅功率器件的原理和應用

隨著科技的快速發展,碳化硅SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現,高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎,外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅功率器件的特點和應用現狀

  隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46240

碳化硅的5大優勢

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅和igbt的區別

碳化硅和igbt的區別? 碳化硅SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用,但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531785

碳化硅和氮化鎵哪個好

碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導體材料,在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51740

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

超40個,碳化硅項目企業匯總

單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環節,碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53555

碳化硅技術的挑戰與應用

碳化硅SiC)是一種由硅和碳組成的半導體材料,用于制造電動汽車(EV)、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統的硅基功率器件相比,SiC具有多項優勢,這些器件憑借其成本效益和制造工藝的簡單性而長期主導市場。
2023-12-05 09:39:09319

安世半導體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413

碳化硅器件在UPS中的應用研究

碳化硅器件在UPS中的應用研究
2023-11-29 16:39:00240

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642

奧迪宣布又增2款碳化硅SiC車型

前段時間,奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163

碳化硅在電源中的作用和優勢

  硅是半導體的傳統材料,但其近親碳化硅SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應用。它提供了更高的效率,并擴展了功率密度和工作溫度等領域的功能。
2023-11-10 09:36:59481

碳化硅在電力電子器件中的優勢和應用

碳化硅SiC)是一種寬禁帶半導體材料,由于其優于傳統硅的性能,在電力電子行業中越來越受歡迎。
2023-11-08 09:30:28359

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292

碳化硅器件的生產流程,碳化硅有哪些優劣勢?

中游器件制造環節,不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發,以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:361181

安森美半導體完成在韓國全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建

安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產能每年生產超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長,安森美美計劃在未來三年內雇用
2023-10-26 17:26:58746

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

SiC 技術的先驅引領系統效率,高度關注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅SiC) 用于汽車、工業和國防應用的功率器件.作為首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603

碳化硅功率器件的產品定位

碳化硅SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件
2023-10-17 09:43:16169

碳化硅二極管器件在電子領域中有何優勢

碳化硅具有較大的禁帶寬度,制成的器件可以承受高壓和高溫,是制作大功率器件的良好材料。缺點是其單晶的制造比較困難,器件工藝也不成熟,而且在器件中的歐姆接觸難以做好(因為是寬禁帶半導體,重摻雜難以起作用
2023-10-09 17:00:45275

碳化硅SiC器件到底有多強

與目前廣泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的導熱性,這決定了其高電流密度特性;其更高的帶隙寬度決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其優點可歸納為以下幾點
2023-10-08 16:10:56310

【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC的應用

前言 碳化硅SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域,在
2023-10-07 10:12:26

碳化硅功率器件的結構和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571219

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300

碳化硅新型功率器件的優缺點

碳化硅SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨特的優勢,但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07474

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。 在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

混合碳化硅分立器件的特性與優點

IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管(FWD)構成,續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果
2023-09-22 10:26:25207

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和發展趨勢

碳化硅SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的物理、化學和電學性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術發展趨勢進行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41665

碳化硅 (SiC)的歷史與應用

碳化硅SiC),通常被稱為金剛砂,是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現相對罕見。然而,自從1893年以來,粉狀碳化硅就已大規模生產,用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史,主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887

碳化硅SiC功率器件,全球市場總體規模,前三十大廠商排名及市場份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806

碳化硅功率器件的基本原理及優勢

? 隨著新能源汽車的快速發展,碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結構和漂移區參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。
2023-08-31 14:14:22285

igbt和碳化硅區別是什么?

igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049040

瞻芯電子正式開發第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線,開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285

碳化硅的性能和應用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041

碳化硅功率器件:革命性的封裝技術揭秘

碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料,已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力,封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT?

碳化硅SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:08468

碳化硅 SiC 可持續發展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業控制碳化硅
Asd666發布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘有哪些?

SiC 生產過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組四大環節。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法,在高溫真空環境下將粉料升華,通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:13398

碳化硅功率器件封裝的關鍵技術有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發布于 2023-07-13 11:39:58

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317

碳化硅器件企業匯總

此前影響碳化硅器件放量的主要約束為成本經濟性問題,現今隨著晶圓生產制造成本下行、與硅基器件價差持續縮小,同時若考慮散熱系統成本節約、空間節約、電驅系統性能提升和整車價值躍升等附加價值,碳化硅器件已具有一定競爭優勢。
2023-06-08 14:50:37781

碳化硅原理用途及作用是什么

碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結構單元SiC構成,每個SiC結構單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數進行了優化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

碳化硅功率模組有哪些

讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:20390

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎上,經過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。
2023-05-25 10:39:07281

碳化硅器件步入發展“快車道”,碳化硅襯底龍頭企業最新進展到哪了?

快速發展,碳化硅芯片在未來2至3年都將呈現供不應求的態勢。DIGITIMES Research預測,2030年全球電動汽車銷量有望超越5000萬輛,將帶動SiC功率器件于電動車市場銷售額突破八成。 ? 5月3日,英飛凌與國內碳化硅公司天科合達、天岳先進簽訂長期協
2023-05-24 00:10:003421

碳化硅與工業應用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡稱SiC襯底)也是晶體材料的一種,屬于寬禁帶半導體材料,具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢,是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。
2023-05-18 09:54:341934

激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222

精華!SiC碳化硅封裝設備知識介紹,探索新型半導體材料制備的新前沿

集成電路SiC碳化硅
北京中科同志科技股份有限公司發布于 2023-05-13 10:46:45

碳化硅功率器件及應用

碳化硅SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬
2023-05-10 09:43:241338

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底 產業鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483426

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

薄膜的質量以及器件的性能,所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑,無缺陷,無損傷,表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154

碳化硅功率器件的可靠性應用

碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635

意法半導體供應超千萬顆碳化硅器件

意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件
2023-04-26 10:18:51930

激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用

本文介紹了激光在碳化硅SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712

碳化硅:第三代半導體之星

按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

社會的重要元器件碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18

SiC MOSFET碳化硅芯片的設計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201220

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:011295

碳化硅功率器件在充電樁中的應用有哪些?

在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

SIC碳化硅MOSFET的制造工藝

介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817

一文為您揭秘碳化硅芯片的設計和制造

得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章 將 為您介紹 SiC MOSFET器件設計 和制造
2023-03-30 22:15:011425

盛美上海首次獲得 Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設備的采購訂單

解決方案的領先供應商,今宣布首次獲得Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。該平臺還可配置盛美上海自主研發的空間交變相位移(SAPS)清洗技術,在不損傷器件的前提下實現更全面的清洗。該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商,
2023-03-28 17:17:11336

已全部加載完成