次數多，其時間縮短、高精度化決定半導體的生產性和質量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過。在該方式中，逐個處理晶片。上一行程粒子的交錯污染少。近年來，由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:04
1104 
本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時間質譜儀對晶圓清洗溶液進行全自動在線監測。該分析儀通過其在正負模式下提供強(元素)和弱(分子)電離的能力，提供了關于金屬、陰離子
2022-03-08 14:06:581412 
在超大規模集成(ULSI)制造的真實生產線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術去除污染物，例如使用批量浸漬工具進行濕法清潔批量旋轉
2022-03-16 11:54:09948 
摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。還研究了各種溶液
2022-06-01 14:57:576891 
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
在當今的器件中，最小結構的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過程的重要性正在不斷增長。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11865 
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產率，便采用
2018-03-16 11:53:10
蘇州晶淼專業生產半導體、光伏、LED等行業清洗腐蝕設備，可根據要求定制濕法腐蝕設備。晶淼半導體為國內專業微電子、半導體行業腐蝕清洗設備供應商，歡迎來電咨詢。電話：***，13771786452王經理
2016-09-05 14:26:32
`華林科納濕法設備分類全自動設備：全自動RCA清洗機全自動硅片刻蝕機全自動片盒清洗機全自動石英管清洗機半自動設備：半自動RCA清洗機半自動硅片刻蝕機半自動石英管清洗機半自動有機清洗機`
2021-02-07 10:14:51
過程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大顆粒，并且在隨后的有機溶液濕法清洗過程中原電池反應導致Ａｌ 被腐蝕而在互連導線側壁生成孔洞。通過對光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
工作，正交編碼器作為位置反饋。控制轉速可以從STMCWB中正常工作。 但是當請求更多2500轉/分鐘時，速度監控圖表中要求的速度會上升，但電機的卷軸旋轉大約保持2500轉/分鐘。這是軟件的限制嗎？我們要調整
2019-05-13 14:59:39
。它適用于大批量PCBA清洗，采用安全自動化的清洗設備置于電裝產線，通過不同的腔體在線完成化學清洗（或者水基清洗）、水基漂洗、烘干全部工序。 清洗過程中，PCBA通過清洗機的傳送帶在不同的溶劑清洗腔體
2021-02-05 15:27:50
氧化物）中的高質量電介質。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優勢可歸因于這種高質量原生氧化物的存在以及由此產生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
。。全自動自清洗過濾器控制系統中的各參數均可調節。3）設有電機過載保護，可有效保護電機。4）具有在清洗排污時不間斷供水、無需旁路的特點，且清洗時間短，排污耗水量少，不超過總流量的 1%。5）維修性強、安裝拆卸簡便易行。6）與用戶管線的連接方式為法蘭連接，法蘭采用國標法蘭，通用性強。
2021-09-13 06:57:56
、功率放大器、數碼攝像機。實驗過程：旋轉軟體機器人的實驗研究：在旋轉軟件機器人的轉速測量實驗中，功率放大器將信號發生器發出的激勵信號進行放大，然后激勵信號施加在機器人上。為了測量機器人的旋轉角度，在
2021-04-09 10:02:13
、功率放大器、數碼攝像機。實驗過程：旋轉軟體機器人的實驗研究：在旋轉軟件機器人的轉速測量實驗中，功率放大器將信號發生器發出的激勵信號進行放大，然后激勵信號施加在機器人上。為了測量機器人的旋轉角度，在
2021-04-14 09:56:50
蘇州晶淼專業生產半導體、光伏、LED等行業清洗腐蝕設備，可根據要求定制濕法腐蝕設備。晶淼半導體為國內專業微電子、半導體行業腐蝕清洗設備供應商，歡迎來電咨詢。電話：***，13771786452王經理
2016-09-05 10:40:27
清洗設備,太陽能電池制絨酸洗設備,硅晶圓片清洗甩干機濕法清洗機,硅片清洗機,硅刻蝕機、通風櫥、邊緣腐蝕機、石英管清洗機,鐘罩清洗機、晶圓清洗機、硅片顯影機、腐蝕臺、LED晶片清洗機、硅料切片后清洗設備
2011-04-13 13:23:10
中央空調清洗過程 中央空調清洗一般包括冷凍水、冷卻系統清洗除垢、水處理、溴化鋰機組內腔清洗處理、更換新溶液、舊溶液再生、中央空調風機盤管清洗。結垢物和堵塞物堅硬較難清洗，列管堵塞嚴重，甚至超過管束
2010-12-21 16:22:40
什么是編碼器？如何去測量旋轉量和旋轉速度？檢測旋轉和角度的機制是什么？
2021-09-08 07:53:47
電動機旋轉速度是如何控制的？
2021-01-28 07:06:02
使用等離子清洗技術清洗晶圓去除晶圓表面的有機污染物等雜質，但是同時在等離子產生過程中電極會出現金屬離子析出，如果金屬離子附著在晶圓表面也會對晶圓造成損傷，如果在使用等離子清洗技術清洗晶圓如何規避電極產生的金屬離子？
2021-06-08 16:45:05
`請問電機的旋轉速度為什么能夠自由地改變？`
2019-12-13 16:59:53
電機的旋轉速度為什么能夠自由地改變？ *1: r/min 電機旋轉速度單位：每分鐘旋轉次數，也可表示為rpm. 例如：2極電機 50Hz 3000 [r/min] 4極電機 50Hz 1500
2016-01-29 10:01:07
一：直通式反沖洗過濾器簡介 直通式反沖洗排污過濾器是一種集通用的過濾功能和在系統運行不停機的前提下對濾筒進行清洗并排污的多功能使用產品，它設計了全新的結構形式，在濾筒的前段設置閥板，通過
2021-06-30 08:06:52
其中國市場的開發、推廣。公司自有產品包括半導體前段、后段、太陽能、平板顯示FPD、LED、MEMS應用中的各種濕制程設備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:23:36
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一個問題，自己沒辦法解決，所以想請教下。一個剛從氮氣包裝袋拿出來的晶圓片經過去離子水洗過后，在強光照射下或者顯微鏡下觀察，片子表面出現一些顆粒殘留，無論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
hi,調試電機時，閉環以9000rpm旋轉，不能按要求轉速旋轉。改變速度環 pi 會引起調整動作，但速度仍會增加。我可以知道要調整哪個參數嗎？
2023-05-19 09:29:43
KMI 15/16 傳感器模塊系列為汽車電子和工業控制領域提供了結構簡單、性能優良、價格低廉的旋轉速度測量的方案。本文詳細介紹磁敏電阻元件的結構和原理、KMI 模塊的原理和結構、
2009-07-13 09:51:48
53 旋轉速度估計是高速旋轉目標成像的基礎，論文提出一種新的旋轉速度估計方法，該算法基于旋轉目標在距離時間域所具有的特性，在利用傅里葉變換粗略估計旋轉速度的基礎上，
2009-11-09 14:59:478 敘述了凝汽器銅管化學清洗的優點和在清洗過程中必須注意的幾個問題，并且用實例進一步說明化學清洗還能夠有效防止凝汽器銅管的腐蝕。
2010-02-03 11:43:558 早在2018年7月，普渡大學的研究人員就創造了世界上旋轉速度最快的物體，該物體以每分鐘600億轉的速度旋轉。
2020-01-17 16:56:193705 電機旋轉速度單位：r/min每分鐘旋轉次數，也可表示為rpm。例如：2極電機50Hz3000[r/min] 4極電機50Hz1500[r/min] 結論：電機的旋轉速度同頻率成比例
2020-12-14 23:47:16916 本發明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:211999 電機旋轉速度單位：r/min每分鐘旋轉次數，也可表示為rpm。例如：2極電機50Hz3000[r/min] 4極電機50Hz1500[r/min] 結論：電機的旋轉速度同頻率成比例
2021-01-21 07:50:442 】 濕法清洗 有機藥液 槽式 單片式 滾筒式在集成電路生產過程中，WET ?濕法工藝主要是指使用超純水及超純酸堿 , 有機等化學藥液 , 完成對晶圓的清洗刻蝕及光刻膠剝離等工藝 ??[1]。伴隨著集成電路設計線寬越來越窄，使得集成電路高
2023-04-20 11:45:00823 
旋轉磁場的轉速在電動機實際運行過程中只與磁極對數有關，我國規定標準電源頻率為f=50周/秒，所以磁極對數多，旋轉磁場的轉數成就低。一般情況下，由于轉差率的存在，電機實際轉速略低于旋轉磁場的轉速，旋轉磁場的轉速n=3000。
2021-10-09 11:25:0618987 單晶片兆頻超聲波清洗機的聲音分布通過晶片清洗測試、視覺觀察、聲音測量和建模結果來表征。該清潔器由一個水平晶圓旋轉器和一個兆頻超聲波換能器/發射器組件組成。聲音通過液體彎月面從換能器組件傳輸到水平石英
2021-12-20 15:40:31776 
在化學機械拋光原位清洗模塊中，而不是在后原位濕法清洗過程中。因此，化學機械拋光后的原位清洗優化和清洗效率的提高在化學機械拋光后的缺陷控制中起著舉足輕重的作用。化學機械拋光原位清潔模塊通常由兆頻超聲波和刷式洗滌器工
2022-01-11 16:31:39442 
它們已經成為當今晶片清潔應用的主要工具之一。 本文重點研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過程中的顆粒去除機理并研究了從氮化物基質中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后，檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30449 
和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。 介紹 半導體是一種固體物質，其導電性介于絕緣體和導體之間。 半導體材料的定義性質是，它可以摻雜雜質，以可控的方式改變其電子性質。
2022-01-18 16:08:131000 
這些氣泡的濕法蝕刻工藝，并得出最佳濕法蝕刻。 如圖1所示，bath內一次性加入晶片少則25片，多則50片,因為有這么多的晶片，所以晶片和晶片之間的間隙很小（6.35 mm），所以晶片和晶片之間的流體會沿著晶片進行固體旋轉，這使得蝕
2022-01-19 17:11:32340 
關鍵詞:銅化學機械拋光后清洗，聚乙烯醇刷，非接觸模式，流體動力阻力。 介紹 聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗
2022-01-26 16:40:36405 
本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271442 
研究了在半導體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
半導體制造工業中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-02-22 13:47:511696 
次數多，其時間縮短、高精度化決定半導體的生產性和質量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過。在該方式中，逐個處理晶片。上一行程粒子的交錯污染少。近年來，由于高壓噴氣
2022-02-22 16:01:08904 
清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。 介紹 半導體是一種固體物質，其導電性介于絕緣體和導體之間。半導體材料的定義性質是，它可以摻雜
2022-02-23 17:44:201426 摘要 該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
考慮由于流體層上的非均勻速度而導致的徑向分散現象。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁 介紹 更好地了解硅晶片制造中的濕法工藝對于提高清潔效率以及優化水分配和工藝時間非常重要。在這里，我們專注于沖洗過程，執行
2022-03-01 14:38:07330 
泵（非脈動流）中，晶圓清洗過程中添加到晶圓上的顆粒數量遠少于兩個隔膜泵（脈動流）。 介紹 粒子產生的來源大致可分為四類：環境、人員、材料和設備/工藝。晶圓表面污染的比例因工藝類型和生產線級別而異。在無塵室中，顆粒污
2022-03-02 13:56:46521 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術。其進一步推進應得到理論計算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數值計算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉晶片上的整個水運動，并進行評估
2022-03-02 13:58:36750 
摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術:一種是傳統的濕法技術，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
研究了兆聲波對300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運動的影響。使用水溶性藍色墨水的示蹤劑觀察整個浴中的水運動。兆聲波加速了整個浴槽中的水運動，盡管沒有兆聲波時的水運動趨向于局部化。兆聲波產生的小氣泡的運動也被追蹤到整個晶片表面。兆聲波和水流增加了氣泡的傳輸速率。
2022-03-07 15:28:57457 
特別適合于重金屬監測。該方法用于監測BHF中的銅污染，通過測量其對表面重組的影響，并通過其對整體重組的影響，快速熱退火步驟用于驅動在清洗過程中沉積在表面的鐵。鐵表面污染測量到1X109cm-2水平
2022-03-09 14:38:22714 
在半導體器件的制造過程中，兆聲波已經被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460 
殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅，這些殘留物可以通過鋸切過程中產生的摩擦熱燒到晶片表面，為了去除這些殘留物，需要選擇正確的化學物質來補充所使用的設備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320 
為了確保高器件產量，在半導體制造過程中，必須在幾個點監控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實現這種控制的工具之一，尤其是在化學機械平面化工藝之后。盡管自20世紀90年代初以來，刷子刷洗就已在生產中使用，但刷洗過程中的顆粒去除機制仍處于激烈的討論之中。這項研究主要集中在分析擦洗過程中作用在顆粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432 
隨著LSI的精細化，晶片的清洗技術越來越重要。晶片清洗技術的一個重要特性是如何在整個過程中去除刨花板或重金屬，以及在這個清洗過程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發生。作為晶片的清洗技術，目前也在使用水槽式清洗，用于清洗的藥品從鐘來看，RCA清洗是主流。
2022-03-18 14:11:12348 
本研究的目的是為高效半導體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點是清洗過程是在室溫和標準壓力下進行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實際制造工藝相比，半導體公司的效率相對較低，但本研究可以提出在室溫
2022-03-21 15:33:52373 
在半導體制造過程中的每個過程之前和之后執行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對于有效地沖洗清洗化學物質以使它們不會在學位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211161 VLSI制造過程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對設備的性能和產量(yield)產生深遠影響時的門。在典型的半導體制造工藝中，清潔工藝在工藝前后反復進行
2022-03-22 14:13:163579 
在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。
2022-04-01 14:25:332948 
本文考慮了范德華相互作用的2個數量級范圍，以考慮了實際粒子的形狀和材料，將這些相互作用與靜電電荷、阻力、表面張力、沖擊波、高加速度和氣溶膠粒子所產生的排斥力進行相互比較，可以預測不同清洗過程的內在
2022-04-11 16:48:42520 
，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過程中，正在努力減少化學液和超純水的量，回收利用，開發新的清洗過程，在干燥過程中，使用超純水和IPA分離層的
2022-04-13 16:47:471239 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
清潔組的步驟、旋轉上述沉積的半導體晶片的凸緣區域，在規定的時間內清洗上述旋轉的半導體晶片、將上述清潔的半導體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。
2022-04-14 15:13:57604 的機械旋轉運動和供給的藥液流動，附著在表面的納米粒子從晶圓上脫離[3]。在清洗過程中，觀察表面上的拋光納米粒子的清洗現象。 闡明機制， 對于更有效的納米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-15 10:53:51516 
在半導體器件的制造過程中，由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級的異物（顆粒），1/3的制造過程被稱為清洗過程。在半導體器件中，通常進行RCA清潔，其中半導體器件以一批25個環（盒）為單位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
半導體制造工業中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴散、光和化學氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉擦洗之前有預清潔作為濕法清潔/蝕刻
2022-04-21 12:27:43589 
介紹 聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類，根據其接觸類型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責
2022-04-27 16:56:281310 
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-05-10 15:58:32504 
VGT-1409FH熱式加速度傳感器超聲波清洗機清洗過程由PLC控制，由不銹鋼材質制作的超聲波清洗槽、超聲波漂洗槽、慢拉槽等組成一條連續工作的裝置。
2022-06-01 16:30:053 引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數值技術計算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導體制造中是一個巨大的挑戰。在這項工作中，使用物理數值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結果與文獻中的數值和實驗結果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結果表明，振蕩流清洗比穩定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數。
2022-06-07 15:51:37291 
引言 小結構的清洗和沖洗是微電子和納米電子制造中的重要過程。最新技術使用“單晶片旋轉清洗”，將超純水(UPW)引入到安裝在旋轉支架上的晶片上。這是一個復雜的過程，其降低水和能源使用的優化需要更好地理
2022-06-08 17:28:50865 
應用。該化學品提供了在單晶片工具應用的清洗過程中原位控制錫拉回或者甚至完全去除錫掩模的途徑。這些化學品不含NH4OH或TMAH，因此非常方便用戶使用。
2022-06-14 10:06:242210 
，和(2)在熱清洗后必須完全去除表面氧化層，和(3)必須提供光滑的表面。清洗過程采用旋轉超聲波霧化技術。首先，通過有機溶劑去除雜質；第二次NH4OH∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶10的溶液和HCl∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶20的溶液連續蝕刻非常薄的GaAs層，該步驟的目標是去除金屬
2022-06-16 17:24:02793 
用半導體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產品的產量都與晶片的清潔度直接相關，因為晶片要經過數百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578 
的實驗和理論分析來建立晶片表面清潔技術。本文解釋了金屬和顆粒雜質在硅片表面的粘附機理，并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規模集成電路)集成密度的增加對硅片質量提出了更高的要求。更高質量的晶片意味著晶體精度、成形質量和
2022-07-11 15:55:451025 
濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 為了快速，準確地控制這些設備，必須檢測設備的運動狀態。因此，使用稱為編碼器的傳感器來檢測旋轉角度，移動距離和旋轉/移動速度。
2022-11-16 11:47:095290 
感應式交流電機（以后簡稱為電機）的旋轉速度近似地取決于電機的極數和頻率。由電機的工作原理決定電機的極數是固定不變的。
2023-03-14 10:19:50486 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在半導體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術的提升是為了制造高質量產品。目前已經有多種濕法清洗晶圓的技術，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學物質的酸和堿溶液，會產生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環境監管等問題。
2023-06-02 13:33:211021 
現在很多人在反應焊接過程出現很多焊渣，然而又不好清洗，不知道是不是產品本身的問題，助焊劑（膏）在焊接過程中一般并不能完全揮發，均會有殘留物留于板上。對于該殘留物是否需要清洗區除，需要根據所選助焊劑
2022-01-07 15:18:121181 
介紹了水泥磨的球磨機滑履冷卻水循環系統的清洗，以及結垢原因的分析，對比了傳統清洗工藝與福世藍清洗工藝為何選用福世藍清洗工藝，并圖文描述其清洗過程。
2022-06-06 18:12:22385 
WaferCleaner晶圓清洗機晶圓清洗是芯片生產過程中最繁瑣的工序，其作用主要是去除晶圓表面包括細微顆粒、有機殘留物和氧化層等在內的沾污。在芯片生產過程中，晶圓表面的沾污會嚴重影響到最終的芯片
2022-09-30 09:40:51620 
在以往電子工業的整個生產過程中，傳統的焊接工藝往往存在殘留量大、腐蝕性大、外觀差等缺點。焊接后，需要用洗板水清洗。在清洗過程中，由于細間隙和高密度元器件的組裝，會造成清洗困難，即增加清洗成本，浪費
2022-10-18 15:54:02955 
本文中所指的電機為感應式交流電機。感應電動機又稱“異步電動機（asynchronousmotor）”，即轉子置于旋轉磁場中，在旋轉磁場的作用下，獲得一個轉動力矩，因而轉子轉動。r/min電機旋轉速度
2024-02-02 16:47:53121 
超聲波清洗四大件：清洗機、發生器、換能器、清洗槽在超聲波清洗過程中發揮著至關重要的作用。它們共同協作，將電能轉換為超聲波能，并通過清洗液的作用，實現對物品的高效、環保清洗。
2024-03-06 10:21:2874 
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