摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機(jī)制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機(jī)理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。還研究了各種溶液
2022-06-01 14:57:57
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本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質(zhì)，如外延硅沉積或氧化物層生長，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
過程可以節(jié)省鎢硅化物沉積之前，去除多晶硅層上的表面氧化層過程和表面清洗步驟，這些步驟都是傳統(tǒng)的高溫爐多晶硅沉積和CVD鎢硅化物工藝所必需的。使用多晶硅-鎢硅化物整合系統(tǒng)可以使產(chǎn)量明顯增加。如下圖所示
2022-09-30 11:53:001235 外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4710443 一、典型的PCBA清洗工藝 溶劑清晰：ODS類、碳?xì)漕?、醇類、酮類、含氟溶劑、共沸共溶等混合劑?！ ∪軇┨匦в幸兹?、易爆、破環(huán)環(huán)境、對人體有危害?！ “胨?b class="flag-6" style="color: red">清洗：郵寄溶劑+水漂洗 多數(shù)
2021-02-05 15:37:50
內(nèi)，清洗液必須與元器件、PCB表面、金屬鍍層、鋁鍍層、標(biāo)簽、字跡等材料兼容，特殊部件需考慮能否經(jīng)受清洗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">清洗工藝流程為：入板→化學(xué)預(yù)洗→化學(xué)清洗→化學(xué)隔離→預(yù)漂洗→漂洗→噴淋→風(fēng)切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
，作為清洗劑應(yīng)盡量選用防火安全性好的、閃點(diǎn)比較高的清洗劑。其清洗工藝特點(diǎn)是： 1） 對油脂類污物清洗能力很強(qiáng)，洗凈能力持久性強(qiáng)，且表面張力低，對細(xì)縫、細(xì)孔部分清洗效果好； 2） 對金屬不腐蝕； 3
2018-09-14 16:39:40
安全性好的、閃點(diǎn)比較高的清洗劑。其清洗工藝特點(diǎn)是： ?。?） 對油脂類污物清洗能力很強(qiáng)，洗凈能力持久性強(qiáng)，且表面張力低，對細(xì)縫、細(xì)孔部分清洗效果好； （2） 對金屬不腐蝕； ?。?） 可蒸餾回收，反復(fù)
2018-09-13 15:47:25
PCB電路板清洗效果檢測是PCB生產(chǎn)加工及電路板改板設(shè)計等各制板環(huán)節(jié)中都有涉及，關(guān)于PCB電路板清洗效果檢測的方法及評估標(biāo)準(zhǔn)，電子加工廠及電路板工程師都應(yīng)該遵循一定的標(biāo)準(zhǔn)。以下是PCB電路板清洗
2018-09-10 16:37:29
Verilog設(shè)計內(nèi)外延時
2012-08-15 16:31:14
大家好！ 我從事SMT清洗工藝已有多年，自己整理了一些好
2010-02-01 15:56:39
焊錫（RMA），可免洗?！ ?） 水溶型焊劑：焊后用水清洗。 3） 低固態(tài)含量助焊劑：免清洗。免清洗技術(shù)具有簡化工藝流程、節(jié)省制造本錢和污染少的長處。近十年來，免清洗焊接技術(shù)、免清洗焊劑和免清洗焊膏
2012-07-23 20:41:56
工業(yè)清洗應(yīng)用相當(dāng)成熟的技術(shù)，一種基于熒光強(qiáng)度測量原理，能夠快速監(jiān)測產(chǎn)品清洗質(zhì)量，并可監(jiān)控清洗過程的槽液污染度。相信它會為您的產(chǎn)品質(zhì)量、工藝研發(fā)帶來新的突破!會議時間：7月6日 15:30-16:306月15日前報名免費(fèi)!誠邀參與!`
2017-06-12 11:13:04
：LED芯片的制造工藝流程 LED芯片的制造工藝流程圖外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形
2015-03-11 17:08:06
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會把關(guān)于 PCB 可靠性的問題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:57:31
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會把關(guān)于 PCB 可靠性的問題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:55:39
設(shè)備；硅片腐蝕臺;濕臺;全自動RCA清洗設(shè)備;外延鐘罩清洗機(jī)（專利技術(shù)）；硅片電鍍臺；硅片清洗機(jī)；石英管清洗機(jī)；LED清洗腐蝕設(shè)備等。光伏太陽能：全自動多晶硅塊料腐蝕設(shè)備；多晶硅硅芯硅棒腐蝕清洗
2011-04-13 13:23:10
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案，請參考，謝謝！有問題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
。 中央空調(diào)清洗方法第三步：再經(jīng)過特殊擦凈布擦干，檢查完好無損，把過濾網(wǎng)安裝到機(jī)體后，視運(yùn)行是否正常。若正?？梢院瀱悟?yàn)收，清洗工作結(jié)束。家用中央空調(diào)清洗有利提高制冷效率;有利提高制冷效果，有利延長家用空調(diào)機(jī)設(shè)備的壽命，有利提高節(jié)能效果，有利用戶身體健康，效果比“健康空調(diào)機(jī)”更健康、更理想。
2010-12-21 16:22:40
銅前準(zhǔn)備、電鍍銅。而電鍍銅的好壞，又在很大程度上取決于電鍍銅前準(zhǔn)備。因此，業(yè)內(nèi)人士往往會把關(guān)于 PCB 可靠性的問題，聚焦到電鍍銅前準(zhǔn)備的部分。目前行業(yè)主流的電鍍銅前準(zhǔn)備工藝，主要有三種：沉銅、黑孔
2022-06-10 15:53:05
工資5000-7000/月五險一金、年終獎金、專業(yè)培訓(xùn)、定期體檢a)崗位職責(zé)：1、負(fù)責(zé)MEMS傳感器研發(fā)2、熟悉主要的MEMS前道工藝并進(jìn)行針對性的MEMS工藝設(shè)計工作3、關(guān)于MEMS研發(fā)項(xiàng)目立項(xiàng)
2016-08-15 11:03:52
屬于有機(jī)溶劑，屬于可燃性溶劑，閃點(diǎn)比較高，毒性比較低，使用上比較安全，但是須用水進(jìn)行漂洗，然后進(jìn)行烘干。有些清洗劑中添加5%~20%的水和少量表面活性劑，既降低了可燃性，又可使漂洗更為輕易。半水清洗工藝
2018-09-13 15:50:54
主要介紹了等離子清洗的原理、等離子清洗的特點(diǎn)和優(yōu)勢以及等離子清洗在生產(chǎn)中的實(shí)際應(yīng)用效果。【關(guān)鍵詞】：等離子;;清洗;;應(yīng)用【DOI】：CNKI:SUN:JDYG.0.2010-01-006【正文快照
2010-06-02 10:07:40
;nbsp;有機(jī)清洗液、復(fù)合劑、氟溶劑、輕油、乙醇系列；堿性、中性清洗液 應(yīng)用例舉如下： 1）.電鍍前處理 電鍍工藝，對工件表面清潔度要求較高，而超聲波清洗
2009-06-18 08:55:02
?。?）錫膏印刷 對于THR工藝，網(wǎng)板印刷是將焊膏沉積于PCB的首選方法。網(wǎng)板厚度是關(guān)鍵的參數(shù)，因?yàn)镻CB上的錫膏 層是網(wǎng)板開孔面積和厚度的函數(shù)。這將在本章的網(wǎng)板設(shè)計部分詳細(xì)討論。使用鋼質(zhì)刮刀以
2018-11-22 11:01:02
半導(dǎo)體設(shè)備用治具的清洗爐（Vacuum Bake Cleaner）●該設(shè)備用于去除附著在 MOCVD 托盤和零部件上的沉積物（GaN、AlN 等）。采用潔凈氣體的干式清洗法，因此不需要濕法后道處
2022-01-14 14:21:00
集成電路工藝專題實(shí)驗(yàn) Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
實(shí)驗(yàn)一 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積………………………………………………………3實(shí)驗(yàn)二 硅單晶外延層的質(zhì)
2009-03-06 14:06:56
5 引出并闡述了．x-,lk超純凈清洗技術(shù)的概念、內(nèi)涵、要素及特點(diǎn)。介紹了對無氟電冰箱進(jìn)行超純凈清洗的工藝方法、效果及工程設(shè)計技術(shù)要點(diǎn)。
2009-06-29 13:34:0126 本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。針對實(shí)際應(yīng)用中的問題，展開討論。通過實(shí)際案例分析,展示了干刻清洗工藝的應(yīng)用價值。關(guān)鍵字：干刻清
2009-12-14 11:06:1016 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結(jié)晶軸方向，生長一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416888 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-23 08:35:54539 PCB電路板清洗效果檢測方法及評估標(biāo)準(zhǔn)
PCB電路板清洗效果檢測是PCB生產(chǎn)加工及電路板改板設(shè)計等各制板環(huán)節(jié)中都有涉及，關(guān)于PCB電路板清洗效果檢測的方法及評
2010-01-23 11:24:472774 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 半導(dǎo)體清洗工藝全集 晶圓清洗是半導(dǎo)體制造典型工序中最常應(yīng)用的加工步驟。就硅來說，清洗操作的化學(xué)制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業(yè)設(shè)備的支持。所
2011-12-15 16:11:44186 LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2016-08-05 17:45:2117422 
，材料性能優(yōu)良，因而引起材料界的高度重視。 一、 噴射沉積原位反應(yīng)法。 此法是將原位反應(yīng)和噴射沉積工藝結(jié)合在一起制備顆粒增強(qiáng)鐵基耐磨材料的方法。該工藝在制備鐵基耐磨復(fù)合材料時，將金屬粉（如鈦粉）加熱熔化后注入等離
2017-10-27 17:24:0910 LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2019-03-27 16:58:1520976 在PCBA貼片加工廠里，要使印制電路組件的清洗順利進(jìn)行并且達(dá)到良好的效果，除了要了解清洗機(jī)理、清洗劑和清洗方法之外，還應(yīng)該了解影響清洗效果的主要因素，如元器件的類型和排列、PCB的設(shè)計、助焊劑的類型、焊接的工藝參數(shù)、焊后的停留時間及溶劑噴淋的參數(shù)等。
2019-09-29 11:11:502781 PCBA水清洗工藝是以水作為清洗介質(zhì)，可在水中添加少量（一般為2%～10%）表面活性劑、緩蝕劑等化學(xué)物質(zhì)，通過洗滌，經(jīng)多次純水或去離子水的源洗和干燥完成PCBA清洗的過程。
2019-12-26 11:35:309025 PCBA加工后免清洗是一個系統(tǒng)工程，從PCB設(shè)計到SMT生產(chǎn)過程都須嚴(yán)格要求，要盡量避免生產(chǎn)制造過程中造成人為的污染。在免清洗工藝設(shè)計和工藝管理控制上要有切實(shí)有效的措施。
2019-12-26 11:38:023937 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 半導(dǎo)體清洗設(shè)備直接影響集成電路的成品率，是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié)，約占所有芯片制造工序步驟30％以上，且隨著節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，清洗工序的數(shù)量和重要性會繼續(xù)提升，清洗設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。
2020-09-28 14:53:285659 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議
2022-12-13 11:42:001674 三元催化器清洗效果好的方法是拆解清洗：拆解清洗是一件十分費(fèi)事費(fèi)力的方法，需要將三元催化器從車輛上完全拆卸下來，之后用清洗劑（草酸、潔廁靈）浸泡上一段時間后，再用清水沖洗，這樣清洗三元催化器的方法是比較有效的。
2020-12-14 16:37:2927313 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 摘 要：光罩清洗的流程以及優(yōu)化，需要在實(shí)際生產(chǎn)運(yùn)用中來完善，要保證在不影響清洗能力的情況下來優(yōu)化各個工藝參數(shù)，在各種工藝清洗時的時間和MASKStage的轉(zhuǎn)速來縮短清洗光罩的時間，而這個參數(shù)需要
2020-12-29 11:38:313216 
摘要：采用DOE（實(shí)驗(yàn)設(shè)計）方法，通過比較鋁線拉力的數(shù)值、標(biāo)準(zhǔn)方差及PpK，得到最適合鋁 線鍵合工藝的等離子清洗功率、時間和氣流速度參數(shù)的組合。同時分析了引線框架在料盒中的擺放 位置對等離子清洗效果
2020-12-30 10:26:391199 原位清洗站全自動和手動原理圖下載
2021-04-06 15:41:170 超聲波清洗機(jī)對汽車飛機(jī)機(jī)車有什么清洗效果？ 超聲波清洗機(jī)有專用于汽車、機(jī)車、飛機(jī)維修保養(yǎng)的清洗設(shè)備定制。 1、清洗效果： 專用超聲波清洗機(jī)替代了汽車軸承保養(yǎng)清洗時使用汽油等易燃物品，大大減少人工
2021-04-16 14:53:422919 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗(yàn)設(shè)計的“世界觀”。基板襯底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:584300 
在化學(xué)機(jī)械拋光原位清洗模塊中，而不是在后原位濕法清洗過程中。因此，化學(xué)機(jī)械拋光后的原位清洗優(yōu)化和清洗效率的提高在化學(xué)機(jī)械拋光后的缺陷控制中起著舉足輕重的作用?；瘜W(xué)機(jī)械拋光原位清潔模塊通常由兆頻超聲波和刷式洗滌器工
2022-01-11 16:31:39442 
本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271442 
摘要 本文介紹了半導(dǎo)體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實(shí)驗(yàn)研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù)，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
在半導(dǎo)體制造過程中的每個過程之前和之后執(zhí)行的清潔過程是最重要的過程之一，約占總過程的30%，基于RCA清洗的濕式清洗工藝對于有效地沖洗清洗化學(xué)物質(zhì)以使它們不會在學(xué)位處理后殘留在晶片表面上，以及諸如
2022-03-22 13:30:211161 近年來隨著成本原因以及環(huán)境保護(hù)和清潔生產(chǎn)的要求，越來越多的電子廠商在PCBA生產(chǎn)制程中采用免清洗或簡單清洗工藝，也就是在焊接過程中采用免清洗助焊劑。對于非高可靠性的電子產(chǎn)品，采用免清洗工藝可以達(dá)到
2022-04-06 13:34:573210 指導(dǎo)操作員掌握正確的清洗要求及工藝流程，使焊接區(qū)域獲得良好的清洗效果，達(dá)到品質(zhì)之要求
2022-06-08 14:45:580 評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項(xiàng)倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數(shù)值技術(shù)計算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導(dǎo)體制造中是一個巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，使用物理數(shù)值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結(jié)果與文獻(xiàn)中的數(shù)值和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結(jié)果表明，振蕩流清洗比穩(wěn)定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數(shù)。
2022-06-07 15:51:37291 
已經(jīng)被提議作為集成在硅基光子平臺中的紅外發(fā)光器件的活性材料。 用于后續(xù)外延生長的鍺表面的清潔(外延清潔)通?；谕ㄟ^原位退火步驟完成的非原位化學(xué)預(yù)清潔。使用非原位化學(xué)處理來去除天然氧化物和金屬污染物，并生長保護(hù)外延表面免受污染的化
2022-06-17 16:26:561439 
摘要 在先進(jìn)的p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管中，SiGe溝道可用于提高空穴遷移率和定制閾值電壓偏移。在這種器件的源極/漏極區(qū)中SiGe:B的低溫選擇性外延生長(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:24973 
在鋰負(fù)極原位形成過程中，動態(tài)的機(jī)械應(yīng)力會影響初始鋰金屬沉積形貌，導(dǎo)致電池可逆性較差。
2022-09-08 09:12:341855 通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:204185 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:067421 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:353012 以晶圓為基本材料，其生產(chǎn)工藝過程包括硅片清洗、硅片擴(kuò)散、化學(xué)氣相沉積、物理氣相層積，晶圓表面處理、原子層沉積、光刻等
2023-02-11 11:31:426157 
通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 本文以 SOP008L 為例，通過對等離子清洗前后引線框架水滴角對比試驗(yàn)，工藝實(shí)驗(yàn)達(dá)到預(yù)期的效果，符合封裝工藝的實(shí)際情況。研究結(jié)論對提高封裝產(chǎn)品的可靠性提供了相應(yīng)的參考依據(jù)。
2023-02-13 16:17:15900 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096935 本文以 SOP008L 為例，通過對等離子清洗前后引線框架水滴角對比試驗(yàn)，工藝實(shí)驗(yàn)達(dá)到預(yù)期的效果，符合封裝工藝的實(shí)際情況。研究結(jié)論對提高封裝產(chǎn)品的可靠性提供了相應(yīng)的參考依據(jù)。
2023-02-19 09:36:02700 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210569 印刷電路板的清洗作為一項(xiàng)增值的工藝流程,印制板清洗后可以去除產(chǎn)品在各道加工過程中表面污染物的沉積,而且能夠降低產(chǎn)品可靠性在表面上污染物質(zhì)等方面的安全風(fēng)險。因此,現(xiàn)如今電路板生產(chǎn)中大部分都運(yùn)用了清洗
2023-05-25 09:35:01879 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511749 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
介紹了水泥磨的球磨機(jī)滑履冷卻水循環(huán)系統(tǒng)的清洗，以及結(jié)垢原因的分析，對比了傳統(tǒng)清洗工藝與福世藍(lán)清洗工藝為何選用福世藍(lán)清洗工藝，并圖文描述其清洗過程。
2022-06-06 18:12:22385 
上海伯東 Aston? 質(zhì)譜分析儀是一款快速, 強(qiáng)大的化學(xué)特異性氣體質(zhì)譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在這些非等離子體（“l(fā)ights-off”）過程中提供原位計量和控制. 它可以實(shí)現(xiàn)快速, 化學(xué)特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實(shí)時數(shù)據(jù).
2023-06-20 17:28:55263 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
和在刻蝕工藝中一樣，半導(dǎo)體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質(zhì)量。例如，降低壓強(qiáng)，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質(zhì)量。因?yàn)椋瑝簭?qiáng)低表明設(shè)備內(nèi)反應(yīng)氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
近日，廈門大學(xué)王鳴生教授課題組探索了Na-K合金負(fù)極中同時使用鈉和鉀的可能性，并通過原位光學(xué)顯微鏡(Operando OM)揭示了其工作機(jī)制。
2023-08-28 09:59:10686 
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36447 
摘 要:文章主要論述了手工清洗劑的分類；手工清洗劑的選擇應(yīng)考慮哪些特性；手工清洗工藝方法；幾種手工清洗劑的特性、材料兼容性及清洗后的效果。并給出了批量手工清洗方案和返工返修類手工清洗方案。批量手工清洗方案重點(diǎn)在必需進(jìn)行二次漂洗，返工返修類用噴霧罐噴淋并用無紡布擦拭干凈。
2023-10-19 10:06:45495 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-03 09:42:540 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:16878 
半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆?；驓埩粑锏倪^程，否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉矶嗑Ч钖艠O的地方，因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進(jìn)行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
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