鋅銀電池
鋅銀電池通稱為銀鋅電池，采用氫氧化鉀或氫氧化鈉為電解液，由銀作正極材料，鋅作負(fù)極材料。由銀制成的正極上的活性物質(zhì)是多孔性銀，由鋅制成的
2009-12-15 11:04:00
6628 引言 在太陽能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力取代它。在過去的幾年中，硅異質(zhì)結(jié)(SHJ
2022-01-05 11:21:021143 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251768 
濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進(jìn)行化學(xué)蝕刻
2022-03-28 14:20:49982 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進(jìn)顆粒去除；從而松動顆粒，使機(jī)械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。
2022-03-29 14:56:212248 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
項(xiàng)工作中，使用光刻和蝕刻技術(shù)將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:587362 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進(jìn)行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:161092 
蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因?yàn)椴煌娴腟i原子
2022-07-11 16:07:221342 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現(xiàn)性。在MACE期間
2022-07-14 17:19:33897 
晶片邊緣的蝕刻機(jī)臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機(jī)，在動態(tài)隨機(jī)存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴(kuò)散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
發(fā)射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級問題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
陽極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測量結(jié)果。這項(xiàng)研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動力學(xué)和機(jī)制。蝕刻后半導(dǎo)體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過程的附加信息。 實(shí)驗(yàn) 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時(shí)間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
氫氧化鉀在 Si中的蝕刻得到垂直表面（例如，高表面張力影響結(jié)晶硅平面的蝕刻），而氫氧化四甲基銨得到 45° 的側(cè)壁。我們通過創(chuàng)建微鏡陣列來說明這些制造結(jié)構(gòu)的使用，這些微鏡陣列使光束能夠從 45
2021-07-19 11:03:23
環(huán)境，使用的是對人體乃至對機(jī)械都有傷害的介質(zhì)。例如硫酸、鹽酸、硝酸和堿性的氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣液體等都是腐蝕性液體。當(dāng)然還有很多的包括腐蝕性氣體。中昊傳感器解決方案專家，有傳感器問題找中昊！`
2017-08-10 09:40:04
，正極材料是二氧化錳，電解液是氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液。它的構(gòu)造中間是由鋅粉壓制的圓柱狀負(fù)極，其外纏裹著浸滿氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液的纖維材料，再外是由二氧化錳、碳粉及氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液組成的正極。電池的外殼由惰性金屬制成與正極相連，電池的負(fù)極通過集電針與電池底部相連
2010-03-25 11:02:34
氫氧燃料電池有兩個燃料入口，氫及氧各由一個入口進(jìn)入電池，中間則有一組多孔性石墨電極，電解質(zhì)則位于碳陰極及碳陽極中央。氫氣經(jīng)由多孔性碳陽極進(jìn)入電極中央的氫氧化鉀電解質(zhì)，在接觸后進(jìn)行氧化，產(chǎn)生水及電子。
2019-10-22 09:11:55
的體積。 如：1升中含1克分子溶質(zhì)的溶液，它的克分子濃度為1M；含1／10克分子濃度為0.1M，依次類推。 舉例：將100克氫氧化鈉用水溶解，配成500毫升溶液，問這種溶液的克分子濃度是多少? 解
2018-08-29 10:20:51
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點(diǎn)
2022-01-06 15:13:51
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水
2022-06-29 16:04:56
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對密度2.70。熔點(diǎn)
2023-09-27 11:34:57
什么是鋅汞電池?
以鋅為負(fù)極，氧化汞為正極，氫氧化鉀溶液為電
2009-10-28 13:56:07911 鎳鎘電池電解液中氫氧化鋰的作用
降低自放電; 提高循環(huán)壽命；提高電池的容量---這是因?yàn)椋?b class="flag-6" style="color: red">氫氧化鋰能吸附在活性物質(zhì)顆粒周圍，阻止顆粒變大，
2009-11-05 17:12:221731 氫氧化亞鎳的性質(zhì)
氫氧化亞鎳【Ni（OH）2】屬于層狀化合物，層間有水分子和其它陰陽離子，其分子中帶有兩個分子的結(jié)晶水，成為綠色粉末狀物質(zhì)
2009-11-05 17:26:143885
什么是鋅汞電池？ 以鋅為負(fù)極，氧化汞為正極，氫氧化鉀溶液為電解液
2009-11-09 09:33:11746
什么是堿性電池？ 堿性電池是以二氧化錳為正極，鋅為負(fù)極，氫氧化鉀為電
2009-11-09 09:34:221556 片狀氫氧化鎳的合成及電化學(xué)性能研究淺談
摘要：本文以氨水為配位劑，用配位沉淀法制備了片狀氫氧化鎳，用SEM、XRD等手段表征材
2009-12-07 09:27:471461 鋅空動力電池
鋅空氣電池是由鋅粉、碳電極和氫氧化鉀溶液組成，空氣
2009-12-16 08:46:442368 什么是鋅空動力電池?
鋅空氣電池是由鋅粉、碳電極和氫氧化鉀溶液組成，空氣中的氧和碳電極接觸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生電能，其中鋅
2009-12-16 08:48:23846 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負(fù)極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時(shí)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 18:12:2435584 
鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負(fù)極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時(shí)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 19:10:208855 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負(fù)極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時(shí)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2017-12-19 19:25:0929604 
銀鋅蓄電池電動勢的變化，主要受正極板的化學(xué)反應(yīng)階段性影響，而與電解液的密度無關(guān)。 銀鋅蓄電池正、負(fù)極的電極電位φ與氫氧化鉀百分比濃度N的關(guān)系如圖1所示。從圖中可以看出氫氧化鉀濃度變化（相當(dāng)于密度變化）時(shí)，正、負(fù)極的電極電位都要變化
2018-01-27 10:38:0256532 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負(fù)極、氧為正極，以氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）水溶液為電解質(zhì)。鋁攝取空氣中的氧，在電池放電時(shí)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，鋁和氧作用轉(zhuǎn)化為氧化鋁。
2018-03-12 09:05:376159 鋁空氣電池的化學(xué)反應(yīng)與鋅空氣電池類似，鋁空氣電池以高純度鋁Al（含鋁99.99%）為負(fù)極、氧為正極，以氫氧化鉀或氫氧化鈉水溶液為電解質(zhì)。
2018-03-12 09:20:1521892 從上圖我們不難發(fā)現(xiàn)，氫氧化鋰電池級的應(yīng)用正在逐年增加。尤其是近兩年，其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相較十年前，可以說是發(fā)生了巨變。氫氧化鋰在電池上的應(yīng)用，體現(xiàn)在其使高鎳三元材料具備高能量密度和更好的充放電性能。使用氫氧化鋰作為鋰原材料，首次放電容量高達(dá)172mAh/g。
2018-09-14 11:36:1416277 近五個月來，國內(nèi)碳酸鋰價(jià)格一路下行，連帶一直平穩(wěn)的金屬鋰價(jià)格有所下滑。但縱觀氫氧化鋰的行情，依然堅(jiān)挺。目前，電池級氫氧化鋰與電池級碳酸鋰的價(jià)差最高達(dá)將近5萬元／噸。然而回顧2016年之前，電池級氫氧化鋰和電池級碳酸鋰的價(jià)格幾乎持平，可以說是不相上下。
2018-09-18 15:23:001585 雅化集團(tuán)擬公開發(fā)行8億元可轉(zhuǎn)債用于 2 萬噸電池級碳酸鋰（氫氧化鋰）生產(chǎn)線項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金。
2019-04-18 14:46:591789 以氫氧化鈉、氫氧化鉀溶液作電介質(zhì)的蓄電池。一般用于通信、電子計(jì)算機(jī)、小功率電子儀器作直流電源;也適用于變、配電所繼電保護(hù)、斷路器分合閘和信號回路的直流電源。
2019-11-25 15:37:054509 、化成或涂膏、烘干、壓片等方法制成極板；用聚酰胺非織布等材料作隔離層；用氫氧化鉀水溶液作電解質(zhì)溶液；電極經(jīng)卷繞或疊合組裝在塑料或鍍鎳鋼殼內(nèi)。
2019-12-03 09:20:088806 堿性鋅錳電池是以鋅為負(fù)極，二氧化錳為正極，氫氧化鈉或氫氧化鉀為電解質(zhì)，采取反極式結(jié)構(gòu)制成的電池。
2020-04-16 10:24:093629 堿性鋅錳電池供以氫氧化鉀水溶液等堿性物質(zhì)作電解質(zhì)的鋅錳電池，是中性鋅錳電池的改良型。
2020-04-16 10:33:544850 第一，電池級氫氧化鋰產(chǎn)品在磁物、硫酸根、鈉離子等雜質(zhì)指標(biāo)上全面嚴(yán)于電池級碳酸鋰；生產(chǎn)出高品質(zhì)的氫氧化鋰既要求擁有優(yōu)質(zhì)、穩(wěn)定的上游資源保障，還要求具備鋰化工環(huán)節(jié)的Know-how，未來對生產(chǎn)線的自動化也將提出更高的要求。
2020-08-20 14:08:065143 水焊機(jī)是利用水在堿性催化劑（如氫氧化納或氫氧化鉀）作用下，在電解槽兩端通直流電，將水發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)生成氫氣和氧氣，以氫氣做為燃料，氧氣助燃，經(jīng)安全閥與阻火器再經(jīng)氫氧火焰槍點(diǎn)火形成氫氧火焰，對工件施焊。 它主要由電解槽、電解電源、安全閥與阻火器、火焰調(diào)節(jié)罐、氫氧火焰槍組成。
2020-09-27 15:05:064440 摘要 下游市場需求持續(xù)增長和市場競爭加劇或是威華股份加碼氫氧化鋰產(chǎn)能的主要考量，同時(shí)也是其主營業(yè)務(wù)調(diào)整之后的戰(zhàn)略布局。 聚焦新能源業(yè)務(wù)之后，威華股份加大了在該領(lǐng)域的投入。 日前，威華股份
2020-10-29 14:36:251780 12月19日，四川省宜賓市天宜鋰業(yè)科創(chuàng)有限公司電池級氫氧化鋰項(xiàng)目一期竣工暨二期工程開工儀式在江安縣工業(yè)園區(qū)舉行。 據(jù)了解，該項(xiàng)目是四川省重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，主要生產(chǎn)電池級氫氧化鋰等鋰電材料系列產(chǎn)品，該項(xiàng)
2020-12-22 10:42:182242 碳酸鋰和氫氧化鋰都是電池的原材料，市場上，碳酸鋰的價(jià)格一直都比氫氧化鋰更低一些。這兩種材料有何區(qū)別？首先，從制備工藝方面看，兩者都可以從鋰輝石中提取，成本相差不大，但是如果兩者互相轉(zhuǎn)換，則需要額外的成本和設(shè)備，性價(jià)比不高
2020-12-25 19:28:562218 特斯拉公司簽訂電池級氫氧化鋰供貨合同，約定自 2021年起至2025 年，特斯拉向雅安鋰業(yè)采購價(jià)值總計(jì) 6．3 億美元～8．8 億美元的電池級氫氧化鋰產(chǎn)品。 需要指出的是，這并不是特斯拉首次在國內(nèi)采購電池級氫氧化鋰。在與雅化集團(tuán)簽訂合作之前，特斯拉
2021-01-04 14:50:541965 由于現(xiàn)有氫氧化鋰產(chǎn)能規(guī)劃仍不能滿足下游需求，天宜鋰業(yè)表示正在盡快擴(kuò)大產(chǎn)能，其二期項(xiàng)目已規(guī)劃2.5萬噸電池級氫氧化鋰，并已于去年12月正式開工建設(shè)，春節(jié)前已經(jīng)完成主要成套設(shè)備的招投標(biāo)工作，計(jì)劃于2021年年底建成。
2021-03-08 10:52:472974 碳酸鋰和氫氧化鋰都是電池的原材料，市場上，碳酸鋰的價(jià)格一直都比氫氧化鋰更低一些。這兩種材料有何區(qū)別？
2021-03-18 00:26:44
13 氫氧化鈉，無機(jī)化合物，化學(xué)式NaOH，也稱苛性鈉、燒堿、固堿、火堿、苛性蘇打，可作酸中和劑、 配合掩蔽劑、沉淀劑、沉淀掩蔽劑、顯色劑、皂化劑、去皮劑、洗滌劑等，用途非常廣泛。氫氧化鈉具有強(qiáng)堿
2021-05-28 15:59:411191 我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 。在堿性溶液中，TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當(dāng)考慮到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的兼容性，并且熱氧化物被用作掩模層時(shí)，使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率，氫氧化鉀優(yōu)于
2021-12-28 16:36:401056 
介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價(jià)帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化學(xué)蝕刻包括兩個主要步驟:氫氧化物催化
2021-12-31 15:23:35422 
隨機(jī)金字塔覆蓋的紋理。蝕刻速率和紋理化工藝取決于鍍液溫度、氫氧化鉀濃度、硅濃度和異丙醇濃度等。在此過程中，由于異丙醇的沸點(diǎn)較低(82℃)，鍍液的組成發(fā)生了變化。在這個過程中它很容易蒸發(fā)，必須定期重做。為了簡化添加劑和獲得更高的初
2022-01-04 17:13:20764 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
引言 本文介紹了表面紋理對硅晶圓光學(xué)和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導(dǎo)致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測量法
2022-01-11 14:41:581050 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156 
引言 濕化學(xué)蝕刻是制造硅太陽能電池的關(guān)鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因?yàn)樗鼈兛梢孕纬删哂须S機(jī)金字塔的表面紋理，從而增強(qiáng)單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過
2022-01-13 14:47:19624 
鎵的均方粒根粗糙度在16nm之間，在尖晶石基質(zhì)上生長的氮化鎵的均方根粒度在11和0.3nm之間。 雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)基于氫氧化鉀的溶液可以蝕刻氮化鋁和氮化銦錫，但之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量氮化鎵的酸或堿溶液.在這篇文章中，我們使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:05942 
。 本文講述了一種合成氧化鋅顆粒的濕式化學(xué)方法。通過利用硝酸鋅和各種沉淀劑，如氫氧化鉀、氫氧化鈉和(ch2)6n4，我們得到了不同形態(tài)的顆粒。此外，添加一種結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑會導(dǎo)致氧化鋅顆粒尺寸（對于氫氧化鉀和氫氧化鈉）的減少，并在
2022-01-21 11:42:49797 
本文探討了紫外輻照對生長在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實(shí)驗(yàn)過程中，我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948 
索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電
2022-02-07 14:35:421479 
下的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計(jì)的劃痕上進(jìn)行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕，從而提高其損傷閾值，達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對表面粗糙度和外觀的影響。我們表明，在
2022-02-24 16:26:032429 
，在實(shí)現(xiàn)晶片通孔互聯(lián)的情況下，圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風(fēng)險(xiǎn)，光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此，了解最常見的各向異性蝕刻劑（氫氧化鉀）的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過蝕刻
2022-03-07 15:26:14372 
在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
高度光滑表面光潔度的45個反射鏡。在這項(xiàng)工作中，我們使用了一種CMOS兼容的各向異性蝕刻劑，含有四甲基氫氧化銨(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非離子表面活性劑(NC-200)，含有100
2022-03-14 10:51:42581 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。
2022-03-17 15:42:561112 本文根據(jù)測量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測量來驗(yàn)證這些能帶圖，硅在陽極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119 
本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理，我們還對溶液的表面張力進(jìn)行了測量。
2022-03-18 13:53:01288 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實(shí)現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11529 
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率
2022-03-21 13:16:47573 
通過電位學(xué)和電位步測量，研究了氫氧化鉀溶液中（100）和（111）電極的電化學(xué)氧化和鈍化過程。在不同的表面之間觀察到顯著的差異，對n型和p型電極的結(jié)果進(jìn)行比較，得出堿性溶液中硅的電化學(xué)氧化必須
2022-03-22 15:36:40550 
在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進(jìn)顆粒去除；從而松動顆粒，使機(jī)械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。 本文將討論一個詳細(xì)的SC-I清洗的化學(xué)模型。了解導(dǎo)致氧化物同時(shí)生長和蝕刻的
2022-03-25 17:02:502376 
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體學(xué)氮化鎵蝕刻平面為0001%，1010
2022-04-14 13:57:511214 
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學(xué)反射率來表征，而電學(xué)
2022-04-24 14:59:54441 
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度，用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362656 
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-GaN平面比包括a-GaN平面在內(nèi)的其他取向
2022-05-05 16:38:031394 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限制的蝕刻速率。與以前的報(bào)道相反，從受反應(yīng)物傳輸
2022-05-11 16:30:56294 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160 我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗(yàn)，評價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時(shí)間
2022-05-20 16:37:451683 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113 
鎳氫電池是一種堿性電池，其負(fù)極采用由儲氫材料作為活性物質(zhì)的氫化物電極，正極采用氫氧化鎳電極（簡稱鎳電極），電解質(zhì)為氫氧化鉀水溶液。鎳氫電池充電時(shí)，氫氧化鉀電解液中的氫離子會被釋放出來，由這些化合物將它吸收，避免形成氫氣，以保持電池內(nèi)部的壓力和體積。
2022-09-07 14:51:0210115 近日，天華超凈在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，根據(jù)公司的經(jīng)營計(jì)劃，2023 年天宜鋰業(yè)一期和二期生產(chǎn)線均達(dá)到滿產(chǎn)，其中一期項(xiàng)目包括技改擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)生產(chǎn) 5 萬噸電池級氫氧化鋰。偉能鋰業(yè) 2.5 萬噸電池
2022-11-07 11:28:051669 
堿性燃料電池（alkaline fuel cell，簡稱AFC）采用強(qiáng)堿（如氫氧化鉀、氫氧化鈉）為電解質(zhì)，氫氣為燃料，純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-28 16:26:344615 堿性燃料電池（alkaline fuel cell，簡稱AFC）采用強(qiáng)堿（如氫氧化鉀、氫氧化鈉）為電解質(zhì)，氫氣為燃料，純氧或脫除微量二氧化碳的空氣為氧化劑。
2022-12-29 10:37:343937 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 氫氧化鋁中的結(jié)晶水含量，高達(dá)34.46%，當(dāng)周圍溫度上升到300℃以上，這些水分全部析出。由于水的比熱大，當(dāng)其化為水蒸氣時(shí)需從周圍吸取大量熱能。氫氧化鎂也含結(jié)晶水，但含水率僅30.6%，不如氫氧化鋁。
2023-07-20 16:31:12316 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
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