本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金字塔密度的影響不小，而對宏觀參數(shù)沒有影響，而膠殘留劑或刻蝕劑等有機污染則存在關(guān)鍵問題，可以抑制堿性紋理化過程。

將單晶硅晶片加工成太陽能電池包括作為第一步，去除鋸片損傷和晶片的堿性紋理，這是改善光捕獲和獲得一個較低的反射的最重要的過程之一，堿性紋理過程發(fā)生在熱的堿性水溶液中，并在晶片表面產(chǎn)生隨機的金字塔，金字塔的啟動對過程條件高度敏感，但也存在有機和無機污染，硅表面或浴液中的污染抑制或加速了錐體的形成，并可能導(dǎo)致硅表面的不均勻性或無紋理部分。

首先，研究了不同污染對堿性紋理化的影響，單晶硅晶片被污染，金屬、膠水和漿液作為濕液滴應(yīng)用于硅表面，在氮氣氣氛中干燥，將金屬溶液從ICP多元素校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液（硝酸中的金屬鹽）中稀釋，從晶片中提取的雙組分粘合劑溶解在醋酸中(40wt。%在50°C)，用絲網(wǎng)印刷機將刻蝕劑印刷到硅表面，并在隨后的加熱過程中干燥，隨后用濕氫氧化鉀水溶液（在室溫下3%氫氧化鉀）在濕臺上剝離刻蝕劑。

在調(diào)查了表面污染對紋理化行為的影響后，評估了不同的清洗序列與紋理化行為和清洗效率之間的關(guān)系，在這項工作中，研究了三個清洗序列，硅片被污染，然后在濕臺上清洗，臭氧溶液是由臭氧發(fā)生器產(chǎn)生的，清洗步驟后，晶片在含有KOH/有機添加劑的濕臺上紋理，溫度為90°，紋理時間為15分鐘。

在研究了晶圓污染后的不同清洗過程之后，討論了有和沒有預(yù)清洗的堿性紋理化的參數(shù)，金屬污染對紋理化行為的影響可以忽略不計，因此只提出了清洗效果，紋理化參數(shù)沒有得到進一步的研究，下圖中顯示了去除的金屬離子的數(shù)量，結(jié)果表明，dHCl/o3溶液是最有效的溶液，這是由鹽酸形成的金屬離子引起的，鹽酸可以從表面溶解，除鐵外，SC1的絡(luò)合效果與dHCl/o3一樣好，氫氧化鉀去除物質(zhì)產(chǎn)生的平均濃度為10E14at/cm2，高于其他清洗。

有機污染對堿性紋理有很大影響，這種影響在不同的紋理化參數(shù)中都可以觀察到，在圖中顯示了參考晶片和受污染晶片的加權(quán)反射，反射從11%增加到蝕刻抗污染晶片的30%。

對有機污染最有效的清潔方法是sc1-清潔方法，被膠水污染的晶片，在此清洗步驟后可以成功地變形，而氫氧化鉀或DHCl/o3清洗步驟后的反射值與未清洗的晶片在同一區(qū)域，用抗蝕刻劑進行的污染似乎是最關(guān)鍵的，因為它們不能被任何使用過的清潔序列充分去除。

在不同紋理化實驗的表面放大的情況下，觀察到與已經(jīng)描述的加權(quán)反射相同的行為，由SC1處理的參考物、漿液、乙酸和預(yù)清洗膠的表面放大范圍為1,50到1.60，而清洗不足的晶圓的表面放大范圍在不完全紋理化范圍內(nèi)（<1,4），通過每個清洗過程的共聚焦顯微鏡圖像顯示，實驗結(jié)果為有機和金屬污染對堿性紋理化的影響提供了新的見解，結(jié)果表明，金屬污染對堿性紋理化的影響很小，對有機污染的調(diào)查表明，在所使用的濃度下，漿液和醋酸都不會對堿性紋理化造成問題，一個嚴(yán)重的問題是蝕刻劑，最小的殘留物完全阻止了紋理化機制，紋理浴中最小的抗污染導(dǎo)致其無法使用，氫氧化鉀去除的材料和臭氧或SC1的氧化電位都不能完全去除蝕刻劑。此外，研究表明，晶片過程中使用的膠水的殘差導(dǎo)致了微金字塔的起始問題，這可能是硅片上未紋理條的一個原因，原因可能是清洗的不發(fā)達(dá)或清洗過程的參數(shù)化不正確，與氫氧化鉀和DHCl/O3相比，標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的SC1成功地消除了這些殘差，如圖所示參數(shù)的結(jié)果證明了這一點。
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