SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為對顆粒去除非常有效，但去除機制仍不清楚。對于
2021-12-20 09:41:59
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影響。硅技術中RCA濕化學處理的特性基于SC-1和QDR的處理時間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率。提出了一種通過增加濕法清洗化學過程的變量來改進晶片表面制備的方法。 介紹 對SC-1和QDR的加工時間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率的影響進行了廣泛的研究.這些研究表明，對顆粒
2021-12-27 10:38:32796 
和去除的作用。清潔溶液。加入檸檬酸后，由于檸檬酸鹽的吸附作用，二氧化硅和銅的ζ電位略有增加。檸檬酸被吸附在二氧化硅和銅表面，導致這些表面上有更多的負電荷。二氧化硅顆粒對銅的附著力隨著檸檬酸濃度的增加而降低，這是
2021-12-29 11:00:011082 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。
2022-03-29 14:56:212248 
器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結合，以減少蠟去除時間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導致表面接觸角小于5°，這表明不需要進一步的清洗步驟。通過將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過程相結合，進一步提
2022-04-27 16:55:521314 
中的顆粒去除效率。在大約0.05∶1∶5(0.05份nh4oh、1份H2O、5份H2O)的比率下，優化了nh4oh-1-zO溶液中的nh4oh-1∶5的IH含量。在使用該比率的NHdOH-hzo tFt處理期間，通過表面微觀粗糙度測量的損傷沒有增加。 介紹 QT清洗技術將繼續在半導體器件的ULSI制造中
2022-06-01 14:57:576891 
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
輸出，總諧波失真和噪聲不超過1%。用戶選擇“3D立體聲”模式將獲得增強的立體聲輸出。KX4888有兩個獨立耳機使能輸入端，分別對應不同的邏輯閾值電平。HP輸入端可以使電路工作在單端耳機模式并且關斷BTL
2011-03-13 23:02:54
范圍（用主機測距），然后在此范圍內精確定點。定點時可先每隔4－5米定一下點，當聽到有規律的“啪啪···”振動聲音（故障點放電聲應與所收電磁波同步，聽聲過程中應參考所接收的電磁波），應放慢腳步（隔1米
2020-12-10 10:39:09
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
<p>聲表面波傳感器共8章，內容包括聲表面波技術基礎，聲表面波傳感器理論分析，聲
2009-08-07 12:29:41
1.諧振型聲表面波傳感器的Q值是怎么得出來得？2.如何從導納曲線中看出諧振頻率，通帶，阻帶等信息？
2020-05-12 08:58:43
×5mm的小型化過程。3 聲表面波器件封裝的發展趨勢隨著移動通信工作頻率從900MHz擴展到1 800MHz、2 400MHz及以上頻段，用于移動通信的聲表面波濾波器也隨之提高到相應頻段。數家公司已供應
2018-11-23 11:14:02
【作者】：陳江義;喬明明;【來源】：《鄭州大學學報(工學版)》2010年02期【摘要】：以常用的聲表面波(SAW)帶通濾波器設計方法為基礎,利用模塊化設計思想,采用Visual Basic語言作為
2010-04-22 11:50:38
傳播速度的十萬分之一，所以壓電基片上叉指換能器的這一功能適合于電子模擬信號處理技術，能實現多種模擬信號處理功能。 聲表面波無源無線傳感器和目標識別器的研究是上世紀80年代中后期開展起來的新興研究領域[1
2018-10-24 17:08:08
中殘余物過程中樣品的勻漿用于飲用水和污水中雜質分析過程用于化妝品和制藥行業中脂質體的制備時間 – 可設置1-99min或連續操作,可隨時暫停并顯示剩余時間溫度 – 溫度可設置20-80℃,可顯示實際
2016-05-25 16:25:57
本文以Altera公司的FPGA為目標器件，通過開發實例介紹FPGA開發的完整的流程及開發過程中使用到的開發工具，包括QuartusII、FPGA CompilerII、Modelsim，并重點解說如何使用這三個工具進行協同設計。
2021-04-29 06:04:13
圖像處理的形態學是處理二值圖，下面程序首先對圖像進行二值化處理，然后使用形態學函數的IMAQ RemoveParticle進行圖像去除部分顆粒，端子Number of Erosion可以控制移除
2015-08-12 21:00:09
PCB設計過程中布線效率的提升方法現在市面上流行的EDA工具軟件很多，但這些pcb設計軟件除了使用的術語和功能鍵的位置不一樣外都大同小異，如何用這些工具更好地實現PCB的設計呢？在開始布線之前
2018-07-09 17:23:05
地實現PCB的設計呢？在開始布線之前對設計進行認真的分析以及對工具軟件進行認真的設置將使設計更加符合要求。下面是一般的設計過程和步驟。 1、確定PCB的層數 電路板尺寸和布線層數需要在設計初期確定
2012-09-10 11:28:35
認真的分析以及對工具軟件進行認真的設置將使設計更加符合要求。下面是一般的設計過程和步驟。 1、確定PCB的層數 電路板尺寸和布線層數需要在設計初期確定。如果設計要求使用高密度球柵數組（BGA）組件
2012-10-07 23:22:13
請教各位大神這個圖片能否通過調節PWM的占空比來生成正弦波，鋸齒，三角波，噪聲波？有沒有什么算法可以提供參考下？本人學歷不高，不能理解太高深的知識
2019-01-06 16:44:01
SPI在通信的過程中是用什么來區別主棧和從棧的
2023-10-10 07:15:19
有時候，SH（SPM）后，會引入較多顆粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的時候SH去膠后引入的顆粒，用FSI清洗無法去除，不知為何？有哪位同仁知道的請指點。
2011-04-14 10:44:26
有時候，SH（SPM）后，會引入較多顆粒，一般在后面的FSI清洗中可以去除95%，但有的時候SH去膠后引入的顆粒，用FSI清洗無法去除，不知為何？有哪位同仁知道的請指點。
2011-04-14 14:37:09
你好：我用例子“E:\NXP\AUTOSAR\S32K_AUTOSAR_OS_4_0_98_RTM_1_0_0sample\standard\sc1”編譯時，總是出現無法生成
2023-04-06 07:42:14
）和基于雷達原理的溫度讀取器組成。 其工作過程是：讀取器發出電磁掃描信號，探頭接收到電磁波信號并由叉指換能器轉換成其內部工作的聲表面波；聲表面波再經叉指換能器轉換成電磁波信號經由天線返回到讀取器；聲
2015-11-06 09:56:15
人員的操作手法要求很高。三，化學法，化學去除主要是通過溶劑將涂層溶解去除，合適的去除溶劑可以使涂層完全去除，并且不損害電子器件，根據三防漆材料類型來選擇合適的去除劑，化學去除由于簡單易行，是比較常用的去除方法
2017-05-28 10:44:47
串口通信的過程中波特率可以根據數據來調整嗎
2023-10-13 07:55:45
實驗名稱：電壓放大器在聲波截面梯度場的重建及其在聲波場處理中的應用
實驗內容：水下聲信號在傳播過程中會引起介質折射率的變化，當激光穿過聲擾動介質時，介質折射率的空間變化引起激光束的偏轉，利用
2024-03-08 17:45:52
我們正在使用 LIS2DE12 開發新產品，并計劃在 ABS 塑料外殼的組裝過程中使用超聲波焊接。焊機將以 20KHz 的頻率、20um 的振幅和“大”壓力錘擊外殼。焊接過程通常需要 1-3 秒。這對安裝在外殼內 PCB 上的傳感器有害嗎？
2023-01-12 08:33:26
定量裝置并配合自動水循環系統，能夠準確地自動定量內桶水量， 從而免去人工稱水重和調節水溫的步驟，避免了操作過程中人為因素給測試結果帶來的誤差， 減輕了操作人員的勞動強度，縮短測試時間使工作效率得到了提高。 打開主機和恒溫箱電源，啟動微機操作系統，點擊“微機量熱儀”圖標進入量熱儀程序`
2019-09-28 19:50:59
四軸在飛行的控制過程中可以用什么算法來控制?姿態
2023-10-12 07:03:10
在硬件設計過程中該怎么選擇合適的電源模塊來為芯片供電？
2021-09-28 08:55:07
內物質運動，細胞受微細按摩，組織分界面上溫度升高。超聲波傳遞會增強生物膜彌散過程，改變膜電位使離子和膠體通透性增強，促進血液循環，軟化組織，刺激細胞功能。加速化學反應，加強新陳代謝，影響酶的功能和生物
2018-12-27 09:39:57
頻率的平方成正比，在聲波的傳播過程中，和頻及倍頻等頻率較高的信號衰減很快，經過一段距離后，僅剩下頻率較低的差頻信號。與常規換能器相比，首先，該差頻信號具有更好的指向性；其次，該差頻信號幾乎沒有旁瓣
2019-04-09 09:40:05
信息暢通無阻的過程稱為低通濾波。通過濾波可以去除高頻分量，消除噪聲，起到平滑圖像去噪聲的增強作用。 在頻域中實現對圖像的濾波過程如下： (1)對原始輸入圖像進行傅里葉變換，得到頻譜函數F(u，v
2018-11-14 15:47:14
于使用、更靈活且價格更低廉。與傳統的超聲傳感器設計相比，這些新增功能大大拓展了其應用范圍。 如今，MHZ（兆洲）牌超聲波物位儀能在眾多工業領域幫助機械設計人員找出降低成本、提高質量控制效率以及增強檢驗功能的創新解決方案。而其在包裝領域的應用也越來越深入。
2019-06-28 06:47:01
在從圖像源到終端顯示的過程中，電路噪聲、傳輸損耗等會造成圖像質量下降，為了改善顯示器的視覺效果，常常需要進行圖像增強處理。圖像增強處理有很強的針對性，沒有統一的*價標準，從一般的圖片、視頻欣賞角度來說，濾除噪聲、擴展對比度、銳化以及色彩增強等處理能顯著提升視覺效果。
2019-10-21 07:52:08
偏離攪拌中心；還可以安裝導波管，從而有效消除因攪拌器攪拌對液位測量產生的影響。 2.泡沫對超聲波液位計影響： 在用超聲波液位計來測量液位的過程中，經常會遇到泡沫的干擾。泡沫按照屬性可以分為：干、濕
2016-04-01 14:27:36
近年來，隨著雷達技術的發展和普及，科技大片中的無人駕駛離我們越來越近。全球很多中高檔汽車已經開始配備汽車雷達。目前用于汽車上的雷達分為超聲波雷達、毫米波雷達、激光雷達等，不同的雷達工作原理不同，性能
2019-09-19 09:05:02
在數據采集的過程中，如果有較大的噪聲波動，一般會將鄰近的 N 個點平均作為輸出。請設計一個程序處理以上提到的情況，N＝4。
2015-07-07 12:41:49
和相關檢測電路組成的SAW 氣體傳感器。敏感薄膜在吸附氣體的過程中， 被測氣體導致的應力作用于聲表面波傳輸路徑中的介質， 使其動力學特性發生改變， 進而改變聲表面波器件的諧振頻率。與之配套的檢測電路測試
2018-11-05 16:16:21
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一個問題，自己沒辦法解決，所以想請教下。一個剛從氮氣包裝袋拿出來的晶圓片經過去離子水洗過后，在強光照射下或者顯微鏡下觀察，片子表面出現一些顆粒殘留，無論怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
？除了這些需要有別的操作嗎？2、中斷之間的切換要多少時間呢？能否在1us之內完成？3、是否保證了一個中斷服務只能被更高優先級的中斷打斷？4、是否有一些代碼在執行過程中不可能被打斷？這些代碼主要有哪些呢？5、通常來說，在C6678中使用中斷嵌套是不是不提倡的？會對流程有哪些不良影響？謝謝！
2019-01-07 11:05:55
單片機開發過程中，有一個好的調試系統可以極大地提高開發效率。舉個例子，做平衡系統時調節PID參數，你會選擇 修改參數–>編譯–>燒錄–>運行–>修改…，還是做一個功能可以一邊
2022-01-14 08:25:36
`因為許多 建筑工程施工的全過程之中，管路都是分配在地底或是是很隱蔽工程的部位，因而假如管路出現一切難題得話沒辦法去發覺，因此必須根據安裝超聲波流量計來更強的管理方法和操縱管路內物塊流動性的狀況
2020-09-03 15:10:30
，而且清洗液上下對流。此時若將手指浸入清洗液中，則有強烈針刺的感覺。上述這種現象稱為超聲空化作用。 超聲清洗就是利用了空化作用的沖擊波，其清洗過程中由下列四個因素作用所引起。 (1
2009-06-18 08:55:02
本人在做一個弱信號檢測的過程中遇到一個難題。用OPA657做跨阻放大器的時候，被檢測信號很弱，是一個1M的方波信號。我用200k電阻作為放大電阻，但是這樣的話，背景光（太陽光）就被放大到飽和了，輸出
2023-11-15 06:45:35
，用什么稀釋：1、干的程度較低的情況下，可以和新錫漿稀釋混合攪拌后使用，僅適用于價格較低檔的產品上2 、錫膏存在保質期，變干屬于變質范疇，一般不可再作用于植錫錫漿（錫膏）有鉛無鉛哪個好用，區別在哪里：錫
2022-05-31 15:50:49
2010年同季則提高6%。飛兆半導體報告2011年第二季的凈收入為4,490萬美元(或每稀釋股 0.34美元)，相對上季的凈收入為4,350萬美元 (或每稀釋股 0.33美元)，而 2010年第二季
2011-07-31 08:51:14
聲為超聲波，超聲波是20kHz以上的聲波，人耳聽不到，它以聲源為中心，以球面波的形式向周圍傳播。超聲波為機械波，不受電磁環境的影響。用接收超聲波信號來判斷局放存在
2021-11-03 16:09:16
清洗標的： 玻璃基板/光學玻璃 主要材料: 金屬骨架+SUS304不銹鋼殼體，槽體材質SUS316不銹鋼 基礎工藝流程: 超聲→超聲→兆聲→鼓泡漂洗→熱水漂洗→慢提拉（烘干
2022-12-09 17:18:54
SC-1型超聲波加濕器電路圖
2009-02-28 00:21:033350 
超聲波金屬焊接是一種壓力焊接工藝。在焊接過程中，多層材料在縱向壓力下緊密配合，同時施加橫向高頻剪切振動。在振動過程中，材料被壓縮和變形，剪切運動去除表面突起，去除表面氧化物和污染物，并增加焊接部件
2021-09-26 18:07:53607 在化學機械拋光原位清洗模塊中，而不是在后原位濕法清洗過程中。因此，化學機械拋光后的原位清洗優化和清洗效率的提高在化學機械拋光后的缺陷控制中起著舉足輕重的作用。化學機械拋光原位清潔模塊通常由兆頻超聲波和刷式洗滌器工
2022-01-11 16:31:39442 
它們已經成為當今晶片清潔應用的主要工具之一。 本文重點研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過程中的顆粒去除機理并研究了從氮化物基質中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后，檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30449 
器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結合，以減少蠟去除時間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導致表面接觸角小于5°，這表明不需要進一步的清洗步驟。通過將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過程相結合，進一步提
2022-01-26 16:02:02321 
、稀釋動態清潔(基于HF/臭氧的工藝)和AFEOL(稀釋SC1、HF和臭氧化學的組合)根據金屬和顆粒去除性能和主要表面特性(表面粗糙度和少數載流子壽命)進行評估。還研究了硅和氧化物的消耗。對圖案化的柵極
2022-02-10 16:17:55301 
本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271442 
納米。另一方面，在2008年發表的報告中，對于32納米高壓線和空間圖案，EUV掩模上吸收體缺陷的臨界缺陷尺寸被描述為大約24納米，這意味著必須去除具有相同尺寸的顆粒。在如此嚴格的缺陷要求下，清潔工
2022-02-17 14:59:271349 
研究了在半導體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結果表明，堿性溶液的顆粒去除效率優于酸性溶液。 在堿性溶液中，顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒，然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167 
SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為對顆粒去除非常有效，但去除機制仍不清楚。對于
2022-02-23 13:26:322009 
本文首次提出了由標準SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據。SC1/SC2蝕刻(也稱為RCA清洗)通過NH3:H2O2:H2O混合物使硅片氧化，在稀釋的HF中去除氧化物，通過
2022-02-23 14:15:227104 
兆聲波增強了較小和較大顆粒尺寸的顆粒去除。99% 的 PRE 值是通過使用稀釋的 HF/SC1 化學物質和通過使用 SC1 增加兆聲波功率而獲得的。如果需要，單晶片清潔系統允許在正面分配 DIW，以在將化學物質施加到背面時最大限度地減少晶片器件側的化學接觸。蝕刻速率測試證實沒有化
2022-03-03 14:17:11664 
摘要 隨著 ULSI 設備越來越小型化，對產量產生不利影響的顆粒直徑一直在縮小。最近，直徑為 0.1 或更小的超細顆粒變得很重要。預計這種類型的超細顆粒難以去除。本研究建立了一種評估超細顆粒去除效率
2022-03-03 14:17:36376 
本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機溶劑中的硅片上去除顆粒的實驗。納米粒子首先通過可控污染工藝沉積在硅晶片上。對于新沉積和老化的顆粒，研究了作為兆頻超聲波功率的函數的顆粒去除效率。通過改變處理條件和漂洗
2022-03-07 15:26:56541 
應用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過程。一種非常常見的方法是高速旋轉干燥，但從減少顆粒和防止水痕的角度來看，這都是無效的。一種高性能的替代品是基于旋轉力和馬蘭戈尼力的“旋轉戈尼”干燥器。這兩種技術的結合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺。
2022-03-15 11:27:481021 
在半導體器件的制造過程中，兆聲波已經被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460 
為了確保高器件產量，在半導體制造過程中，必須在幾個點監控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實現這種控制的工具之一，尤其是在化學機械平面化工藝之后。盡管自20世紀90年代初以來，刷子刷洗就已在生產中使用，但刷洗過程中的顆粒去除機制仍處于激烈的討論之中。這項研究主要集中在分析擦洗過程中作用在顆粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。
2022-03-25 17:01:252376 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。 本文將討論一個詳細的SC-I清洗的化學模型。了解導致氧化物同時生長和蝕刻的
2022-03-25 17:02:502376 
面損傷有負面影響。近年來，它已被修改為加入更稀的溶液，以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中，提出了一種新思路，即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設置轉變為改進模式。使用 DIW 進行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。
2022-03-30 14:29:42311 
兆頻超聲波清洗已被用于去除集成電路器件的硅晶片制造中的缺陷，例如顆粒和聚合物/抗蝕劑殘留物。然而，隨著器件技術節點的縮小，兆頻超聲波清洗正面臨著保持高清洗效率的挑戰，這種高清洗效率是由較小顆粒的穩定
2022-03-30 14:33:50995 
處理納米級顆粒污染仍然是半導體器件制造過程中的主要挑戰之一。對于越來越多的關鍵處理步驟而言尤其如此，在這些步驟中，需要去除顆粒物質的殘留物而不會對敏感器件圖案造成機械損壞，同時實現盡可能低的基板損失
2022-03-31 14:59:40303 
在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。
2022-04-01 14:25:332948 
為了成功地清除來自晶片表面的顆粒污染，有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒（0.1-0.5mm）沉積
2022-04-06 16:53:501046 
的內在能力和局限性。已經確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過計算施加給細顆粒的
2022-04-08 17:22:531231 
能力和局限性。已經確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520 
/O2氣體氣氛中進行干洗，在CF4等離子體條件下進行干燥，在O2等離子體的條件下進行干燥劑后， 通過執行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導體裝置制造過程中使用的光刻膠，增進半導體裝置的可靠性，防止設備污染。
2022-04-13 13:56:42872 
本文研究了兆聲功率、溫度和時間的相互影響，在兆聲功率和中高溫下進行的稀釋化學反應被證明對小顆粒再利用是非常有效的。數據顯示，當在中等溫度(例如45℃)下使用高純度化學品時，可以延長壽命，過渡金屬表面濃度和表面粗糙度已經在稀釋的SC1處理后進行了測量，并與傳統SC1處理后的金屬污進行了比較。
2022-04-19 11:24:52409 
在半導體器件的制造過程中，由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級的異物（顆粒），1/3的制造過程被稱為清洗過程。在半導體器件中，通常進行RCA清潔，其中半導體器件以一批25個環（盒）為單位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
化學機械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導體器件制造的一個關鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發生刷-粒子接觸。考慮了直徑
2022-05-07 15:48:381575 
。 1 通常我們在破解STM32過程中，如果原開發者沒有嵌入軟加密，那我們只需對芯片進行開片，去除加密鎖，然后通過編程器直接讀取，讀取的BIN文件或HEX文件，完全可以正常使用。 2 在去除加密鎖后，提取的程序代碼無法工作，存在軟加密，很多軟加密是通過燒錄器選
2022-05-24 16:29:273933 氧化物的性質有害，這反過來影響整個器件的性質。 種程序用于清潔硅晶片。一個廣泛使用的程序是標準的RCA清潔。RCA清洗包括暴露在三種不同的溶液中——SC1、氫氟酸和SC2。SC1溶液包含氫氧化銨、過氧化氫和水，通常能有效去除顆
2022-06-21 17:07:391229 
用半導體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
關于過濾器的超聲波清洗的小常識 工業公司需要確保他們的設備始終以最佳水平運行，以免影響生產時間或質量。這意味著他們需要一種方法在流體流進入其他機器之前從流體流中去除所有不需要的顆粒，以保持最佳性能
2022-10-21 17:50:53609 的聲場、聲流場及顆粒操控動態過程，最后通過水下顆粒操控實驗對仿真結果進行驗證。研究發現，顆粒在水下操控過程受到聲輻射力與聲流曳力的共同作用，由聲波干涉作用形成的局部駐波場主要依靠聲輻射力將顆粒團聚
2023-01-05 15:30:28468 
集成設備制造的縮小圖案要求濕化學加工的表面清潔度和表面光滑度，特別是對于常見的清潔技術RCA清潔（SC-1和SC-2）。本文討論了表面制備參數的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407 
在化學腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續流動，我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發生，則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 稀釋率的概念稀釋率是指在激光熔覆中，由于熔化基材的混入而引起的熔覆合金成分的變化程度，用基材合金占總熔覆層的百分率表示（符號η）。H:熔覆層高度，h:基材熔深，W:熔覆層寬度，η=A2/(A1+A2
2023-04-20 09:38:241068 
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