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等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

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學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2022-11-11 11:12:18

等離子體離子注入技術(shù)及其應(yīng)用

離子注八材料表面陡性技術(shù), 是材料科學(xué)發(fā)展的一個(gè)重要方面。文中概述7等離子體離子注八技術(shù)的特點(diǎn) 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢。例如, 除7在
2011-05-22 12:35:2948

空間等離子體鞘層的時(shí)域特性研究

根據(jù)靜電場理論給出了描述鞘層電位的Poisson方程、等離子體理論和Boltzmann方程,給出了粒子數(shù)密度守恒方程。通過牛頓運(yùn)動(dòng)定律建立了等離子體的動(dòng)量方程。基于Poisson方程、粒子數(shù)密
2012-02-09 16:43:2117

等離子體焊接槍的數(shù)值模擬

等離子體鎢極氬弧焊接槍為研究對象,通過求等離子體弧柱區(qū)域的能量方程、動(dòng)量守恒、質(zhì)量守恒及電流連續(xù)性方程。得到溫度、速度、電流密度分布。
2012-03-28 15:20:2131

COMSOL系列資料_等離子體模塊簡介

等離子體模塊是用于模擬低溫等離子源或系統(tǒng)的專業(yè)工具。借助模塊中預(yù)置的物理場接口,工程師或科學(xué)家可以探究物理放電機(jī)理或用于評估現(xiàn)有或未來設(shè)計(jì)的性能,例如直流放電、感應(yīng)耦合等離子體、容性耦合等離子體、微波等離子體、表面氣相沉積等。
2015-12-31 10:30:1557

電感耦合等離子體質(zhì)樸分析的應(yīng)用

電感耦合等離子體質(zhì)樸分析的應(yīng)用
2017-02-07 16:15:389

大氣壓低溫等離子體的研究

本文概述了2016年首屆全國高電壓與放電等離子體學(xué)術(shù)會(huì)議。根據(jù)會(huì)議的學(xué)術(shù)報(bào)告,結(jié)合近年來大氣壓低溫等離子體領(lǐng)域中經(jīng)典的綜述論文,從理論研究和實(shí)際應(yīng)用兩方面總結(jié)和分析了大氣壓低溫等離子體的研究現(xiàn)狀及
2018-01-02 16:12:245

低溫等離子體氣體溫度參數(shù)研究

放電等離子體有著非常廣泛的實(shí)際工程應(yīng)用價(jià)值,其內(nèi)部溫度特性是表征等離子體性質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)。為了探明大氣壓下放電等離子體的氣體溫度空間分布特性參數(shù),搭建了一套基于莫爾偏折原理的光學(xué)測試系統(tǒng),對銅電極
2018-01-02 16:37:196

等離子體射流快速改性電荷衰減

隨著高壓直流輸電迅猛發(fā)展,絕緣材料在直流電壓下表面電荷積聚現(xiàn)象嚴(yán)重威脅直流輸電系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。為加快絕緣材料表面電荷的消散,采用大氣壓等離子體射流,以TEOS為前驅(qū)物,在環(huán)氧樹脂表面沉積Si0
2018-01-16 11:07:443

等離子體現(xiàn)金的區(qū)塊鏈擴(kuò)展解決方案的提出

Ethereum的聯(lián)合創(chuàng)始人Vitalik Buterin提出了一種名為等離子體現(xiàn)金的區(qū)塊鏈擴(kuò)展解決方案,這是一種甚至“更可伸縮”的現(xiàn)有解決方案等離子體現(xiàn)金由Buterin和開發(fā)者Dan
2018-03-13 07:31:00739

低溫等離子體處理廢氣

低溫等離子體廢氣處理技術(shù)正越來越引起人們的重視,它是未來環(huán)保產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。由于強(qiáng)溫室氣體SF6本身的理化特性,等離子體處理SF6面臨著更多的挑戰(zhàn),目前該方面的研究綜述鮮見。本文嘗試根據(jù)國內(nèi)外
2018-03-16 10:20:234

用于測量大范圍的等離子體密度的標(biāo)量微波反射計(jì)的設(shè)計(jì)

微波測量方法是將電磁波作為探測束入射到等離子體中,對等離子體特性進(jìn)行探測,不會(huì)對等離子體造成污染。常規(guī)微波反射計(jì)也是通過測量電磁波在等離子體截止頻率時(shí)的反射信號相位來計(jì)算等離子密度。當(dāng)等離子密度較高
2018-11-29 08:53:003362

以太坊等離子體Plasma是如何工作的

以太坊等離子體(Plasma)是由以太坊聯(lián)合創(chuàng)始人Vitalik Buterin和Joseph Poon共同提出的。該概念于2017年8月作為以太坊的擴(kuò)容解決方案誕生。與Thaddeus Dryja
2018-12-20 11:23:52969

區(qū)塊鏈等離子體研究指導(dǎo)框架

然而,自從我開始自己閱讀關(guān)于等離子體的在線資源以來,我身邊來自cryptoeconomics Lab的專業(yè)等離子體研究人員為我提供了一種非常接近的方式,讓完全的初學(xué)者可以從頭開始學(xué)習(xí)等離子體。他們給我提供了一大堆文章的參考資料,我們可以按照正確的順序閱讀。
2019-01-16 11:19:46673

低溫等離子體發(fā)生器的應(yīng)用資料說明

等離子體可以通過多種方式來產(chǎn)生,常見的方法主要包括:熱電離法/射線輻照法/光電離法/激波等離子法/激光等離子法/氣體放電法等。氣體放電是指氣體在電場的作用下被擊穿引起的導(dǎo)電現(xiàn)象,而低溫等離子體的產(chǎn)生方式主要是通過氣體放電來實(shí)現(xiàn)的。下面主要介紹通過氣體放電來產(chǎn)生低溫等離子體的各種方式
2019-04-22 08:00:0035

高頻高壓等離子體發(fā)生過程與系統(tǒng)設(shè)計(jì)

針對傳統(tǒng)直流等離子體發(fā)生器電源效率不高、驅(qū)動(dòng)管熱損耗大等問題,設(shè)計(jì)了一個(gè)高效率低損耗的高頻高壓等離子體發(fā)生器。該系統(tǒng)通過移相全橋控制電路進(jìn)行PWM方波控制,在功率晶體管驅(qū)動(dòng)下,經(jīng)高頻諧振升壓電路
2019-09-09 17:45:515521

PCB電路板等離子體處理的方法介紹

等離子體,是指像紫色光、霓虹燈光一樣的光,也有稱其為抄板物質(zhì)的第四相態(tài)。等離子體相態(tài)是由于原子中激化的電子和分子無序運(yùn)動(dòng)的狀態(tài),所以具有相當(dāng)高的能量。
2019-09-10 14:55:352608

射頻微等離子體的結(jié)構(gòu)有什么特點(diǎn)

在之前的文章中,對射頻大氣壓輝光放電已經(jīng)有所介紹,那么,如果在射頻放電中,將放電的間隙進(jìn)一步縮小到微等離子體尺度內(nèi),即為1mm左右,乃至到了幾百微米的量級,射頻微等離子體又會(huì)出現(xiàn)哪一些新的特點(diǎn)呢?接下來我們與大家共同探討。
2020-11-16 10:38:000

三維狄拉克等離子體激元助力實(shí)現(xiàn)新的納米光電器件

等離子體激元是指傳統(tǒng)金屬和半導(dǎo)體的電子量子化集體振蕩,一直以來吸引著人們對其在傳感、快電子學(xué)和太陽能電池技術(shù)中應(yīng)用的興趣。等離子體激元也可存在于被稱為狄拉克(Dirac)材料的奇異固體中。
2020-12-26 00:38:00480

“碳”秘博世等離子涂層技術(shù)

,就由博世智能制造解決方案事業(yè)部(以下簡稱ATMO-3CN)的專家來帶我們探索等離子涂層技術(shù)的奧秘。 12 本期專家: Yu Sisley 博世智能制造解決方案事業(yè)部涂層生產(chǎn)及工程項(xiàng)目工藝工程師。畢業(yè)于英國曼徹斯特大學(xué),先進(jìn)材料工程碩士及
2021-06-18 09:51:174310

等離子體位移快控電源設(shè)計(jì)

等離子體位移快控電源設(shè)計(jì)(現(xiàn)代電源技術(shù)基礎(chǔ)下載)-等離子體位移快控電源設(shè)計(jì)等離子體位移快控電源設(shè)計(jì)
2021-09-29 17:45:395

金剛石薄膜的等離子體沉積與刻蝕—華林科納半導(dǎo)體

摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應(yīng)器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02,cf4/02等離子體放電。推導(dǎo)出了沉積氣體混合物的組成與根據(jù)蝕刻沉積速率定義的無量綱數(shù)(EN
2022-01-07 16:19:111028

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數(shù)的優(yōu)化

本文對單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵(lì)下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口矩陣法的科學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來檢驗(yàn)腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804

薄膜沉積的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

了實(shí)驗(yàn)室反應(yīng)器配置。給出了根據(jù)所需薄膜特性設(shè)計(jì)和使用等離子體化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的參考點(diǎn)。最后,討論了避免粉末形成和提高薄膜生長速率的解決方案。 介紹 在過去的二十年里,非平衡(“冷”)大氣壓力等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-P
2022-02-21 16:50:111900

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法,該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液;(b)從硅源向等離子體提供硅;以及
2022-04-24 14:58:51979

什么是等離子蝕刻 等離子蝕刻應(yīng)用用途介紹

反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會(huì)被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會(huì)進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553386

精確跟蹤芯片蝕刻過程,用高分辨率光譜儀監(jiān)測等離子體

在半導(dǎo)體行業(yè),晶圓是用光刻技術(shù)制造和操作的。蝕刻是這一過程的主要部分,在這一過程中,材料可以被分層到一個(gè)非常具體的厚度。當(dāng)這些層在晶圓表面被蝕刻時(shí),等離子體監(jiān)測被用來跟蹤晶圓層的蝕刻,并確定等離子體
2022-09-21 14:18:37694

Angew:氮?dú)?b class="flag-6" style="color: red">等離子體增強(qiáng)低溫原子層沉積生長MgPON薄膜固態(tài)電解質(zhì)

現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)?b class="flag-6" style="color: red">等離子體的高溫條件下進(jìn)行,但是高溫環(huán)境下的薄膜生長會(huì)引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積,但是同時(shí)會(huì)顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:13644

低溫等離子體技術(shù)的應(yīng)用

近年來,等離子體技術(shù)的使用范圍正在不斷擴(kuò)大。在半導(dǎo)體制造、殺菌消毒、醫(yī)療前線等諸多領(lǐng)域,利用等離子體特性的應(yīng)用不斷壯大。CeraPlas? 是TDK 開發(fā)的等離子體發(fā)生器,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,它可以在緊湊的封裝中產(chǎn)生低溫等離子體*1,并具有更低的功耗。它有望促進(jìn)各種設(shè)備的開發(fā),使離子體技術(shù)更容易使用。
2023-02-27 17:54:38746

真空等離子清洗機(jī)的制造商正在引入氧和氫等離子體蝕刻石墨烯

等離子體和氫等離子體都可用于蝕刻石墨烯。兩種石墨烯氣體等離子刻蝕的基本原理是通過化學(xué)反應(yīng)沿石墨烯的晶面進(jìn)行刻蝕。不同的是,氧等離子體攻擊碳碳鍵后形成一氧化碳、二氧化碳等揮發(fā)性氣體,而氫等離子體則形成甲烷氣體并與之形成碳?xì)滏I。
2022-06-21 14:32:25391

低溫等離子體表面處理設(shè)備在各種材料領(lǐng)域的應(yīng)用

等離子體清洗技術(shù)自問世以來,隨著電子等行業(yè)的快速發(fā)展,其應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大,用于活化蝕刻等離子體清洗,以提高膠粘劑的粘接性能。
2022-07-04 16:09:18433

常壓等離子體清洗技術(shù)的常見問題

金徠常壓等離子體技術(shù)與其他表面處理方法相比有哪些主要優(yōu)點(diǎn)? 與其他表面活化方法相比,最主要優(yōu)點(diǎn)是具有高效率。 等離子體系統(tǒng)能夠非常容易地集成到現(xiàn)有生產(chǎn)線里,它環(huán)保,節(jié)約空間,還具有低運(yùn)行成本的優(yōu)勢。
2022-10-26 09:48:12335

等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318

等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù) 等離子體清洗在封裝生產(chǎn)中的應(yīng)用

等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,等離子體清洗的優(yōu)勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用,討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36447

無標(biāo)記等離子體納米成像新技術(shù)

? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強(qiáng)的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子體
2023-11-27 06:35:23121

ATA-7030高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用有哪些

高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中有多種重要應(yīng)用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質(zhì),其具有多種獨(dú)特的物理性質(zhì),因此在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,例如聚變能源、等離子體醫(yī)學(xué)、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用。
2023-11-27 17:40:00189

針對氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進(jìn)行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如AlGaN,憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性,為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294

掀起神秘第四態(tài)的面紗!——等離子體羽流成像

01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 等離子體通常被認(rèn)為是物質(zhì)的第四態(tài),除了固體、液體和氣體之外的狀態(tài)。等離子體是一種高能量狀態(tài)的物質(zhì),其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離,并且在整個(gè)系統(tǒng)中自由移動(dòng)。這種狀態(tài)
2023-12-26 08:26:29209

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