更上一層樓？？？
改動很小，也就是把光模塊的扇出改成激光孔的設(shè)計，客戶就“偷偷瞞著我們”自己修改并投了板?；舜髢r錢用了激光孔的加工工藝，等板子回來的一刻，心情肯定是激動萬分了，期待測試出來的性能更好。但是
2024-03-19 14:53:25
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41
161 
根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個電路的運行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯底材料的選擇、分類以及襯底與外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外線下的干膜阻滯劑的化學(xué)作用硬化，隨后的顯影過程將在下一工序中沖走無硬襯底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 光罩限制（光穿過芯片掩模以在硅晶圓上蝕刻晶體管的孔徑大?。┎粌H定義了小芯片的設(shè)計方式，而且還限制了離散計算和內(nèi)存塊的大小單個晶圓。
2024-01-05 16:23:111976 
用光作為畫筆在微納米世界中作畫。
2023-12-28 16:00:08170 ，從而將一塊或多塊內(nèi)層蝕刻后的板（經(jīng)黑化或棕化處理）以及銅箔粘合成一塊多層板的制程。
給大家介紹一種4層機械盲孔板壓合的方法，其步驟如下：
第一步，開2張芯板的板料；
第二步，鉆1-2層盲孔；
第三步
2023-12-25 14:12:44
，從而將一塊或多塊內(nèi)層蝕刻后的板（經(jīng)黑化或棕化處理）以及銅箔粘合成一塊多層板的制程。
給大家介紹一種4層機械盲孔板壓合的方法，其步驟如下：
第一步，開2張芯板的板料；
第二步，鉆1-2層盲孔；
第三步
2023-12-25 14:09:38
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
沉積到PCB焊盤表面的一種工藝。這種方法通過在焊盤表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點與缺點并存，優(yōu)點是可焊性、平整度高，缺點是存儲要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因為這種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蝕的機制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。
2023-12-11 10:24:18250 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45262 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241335 
的，等離子體刻蝕的缺點是容易產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷，難以獲得光滑的刻蝕側(cè)壁。為了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一種稱為數(shù)字蝕刻的技術(shù)來進(jìn)行研究。
2023-12-01 17:02:39259 
在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經(jīng)過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。
2023-11-29 09:15:31434 
，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
現(xiàn)在市面上常見的ARM架構(gòu)分為兩種一種是M系列另外一種是A系列，這兩種有什么區(qū)別啊，用的時候他們一般分別用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping的質(zhì)量，所以必須控制好Sputter的膜厚及均勻性是非常關(guān)鍵。
2023-10-23 11:18:18475 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點探測。
2023-10-18 09:53:19788 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 ，從而將一塊或多塊內(nèi)層蝕刻后的板（經(jīng)黑化或棕化處理）以及銅箔粘合成一塊多層板的制程。
給大家介紹一種4層機械盲孔板壓合的方法，其步驟如下：
第一步，開2張芯板的板料；
第二步，鉆1-2層盲孔；
第三步
2023-10-13 10:31:12
，從而將一塊或多塊內(nèi)層蝕刻后的板（經(jīng)黑化或棕化處理）以及銅箔粘合成一塊多層板的制程。
給大家介紹一種4層機械盲孔板壓合的方法，其步驟如下：
第一步，開2張芯板的板料；
第二步，鉆1-2層盲孔；
第三步
2023-10-13 10:26:48
SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:031123 
IAR中的sizeof是一種運算符嗎？是怎么實現(xiàn)的？
2023-10-08 06:44:50
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
集成電路采用有機載板的一種封裝法。有BGA的PCB板一般小孔較多；通常BGA下過孔設(shè)計為成品孔，直徑8~12mil；BGA下過孔需塞孔，焊盤不允許上油墨，且焊盤上不鉆孔。PAD孔則為其他形狀的焊盤
阻抗
2023-09-01 09:55:54
集成電路采用有機載板的一種封裝法。有BGA的PCB板一般小孔較多；通常BGA下過孔設(shè)計為成品孔，直徑8~12mil；BGA下過孔需塞孔，焊盤不允許上油墨，且焊盤上不鉆孔。PAD孔則為其他形狀的焊盤
阻抗
2023-09-01 09:51:11
****激光鉆孔
激光鉆孔是一種非接觸式工藝，工件和工具不會相互接觸。激光束用于去除電路板材料并創(chuàng)建精確的孔，可以毫不費力地控制鉆孔深度，精確鉆出最小直徑為 2 mil的孔
3****槽孔
鉆機鉆孔程序中
2023-08-28 13:55:03
，鉆頭可以鉆出的最小孔徑約為6mil
2激光鉆孔
激光鉆孔是一種非接觸式工藝，工件和工具不會相互接觸。激光束用于去除電路板材料并創(chuàng)建精確的孔，可以毫不費力地控制鉆孔深度，精確鉆出最小直徑為 2 mil
2023-08-25 11:28:28
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312376 在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
系統(tǒng)。該電路采用 GaN HEMT 工藝、0.25μm 柵極長度、穿過襯底的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。它以芯片形式提供。 &nb
2023-08-09 15:03:37
電路采用 GaN HEMT 工藝、0.25μm 柵極長度、穿過襯底的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。 放大器 – HPA&n
2023-08-09 14:47:43
當(dāng)談到該創(chuàng)新工藝時，不可避免地要與傳統(tǒng)的光刻工藝體系進(jìn)行對比。光刻工藝體系是一種減法工藝：首先要在襯底表面沉積一層材料，例如銅；然后在材料層表面涂布一層光刻膠；接著將光刻膠圖形化曝光并顯影，形成有圖案的光刻覆蓋區(qū)域
2023-07-29 11:01:50835 
刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
這種可以使3D打印電極分辨率最大化的工藝由多種因素驅(qū)動。首先，雙光子光刻工藝的高分辨率和設(shè)計靈活性使得探索各種新型電極形狀成為可能。例如，利用該3D打印工藝制備的仿生蚊針式電極可以穿過硬腦膜，并且其倒刺結(jié)構(gòu)可以讓電極固定在組織內(nèi)。
2023-07-04 16:21:18337 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
偏差
據(jù)IPC-4101《剛性及多層印制板用基材規(guī)范》，覆銅板的厚度偏差分為兩種，一種厚度公差包括金屬箔的厚度，另一種不包括銅箔的芯板厚度。覆銅板（包括銅箔）厚度公差分三個等級（K、L和M），從K級至M
2023-06-25 09:57:07
要求孔壁的銅皮要保留器件孔，其 工藝流程 ：鉆孔→沉銅→板面電鍍→外層線路→圖形電鍍→鍍鉛錫→銑半孔→退膜→蝕刻→退錫。
半長槽處理
當(dāng)半孔為槽孔時，需要在槽孔的兩端各加一個∮0.8-1.1mm
2023-06-20 10:39:40
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
的涂料沖的一道又一道。”
另一個美女笑著說：“你還好意思說我呢，你也好不到哪里去，我那汗水是一股一股暢通無阻，你那是流到青春痘的凹坑里還把坑填平，像極了我剛投板的那個PCB上的樹脂塞孔。”
明明和琪琪相視
2023-06-14 16:33:40
層熱軸，它對于大多數(shù)活化劑都表現(xiàn)出了不良的粘著性，這就需要開發(fā)一類類似去污漬和回蝕化學(xué)作用的技術(shù)。
更適合印制電路板原型制作的一種方法是使用一種特別設(shè)計的低粘度的油墨，用來在每個通孔內(nèi)壁上形成高粘著性
2023-06-12 10:18:18
用。該技術(shù)的缺點是在進(jìn)行蝕刻之前電路圖形需要鍍上錫/鉛或一種電泳阻劑材料，在應(yīng)用焊接阻劑之前再將其除去。這就增加了復(fù)雜性，額外增加了一套濕化學(xué)溶液處理工藝。 2、全板鍍銅 在該過程中全部的表面區(qū)域和鉆孔都
2023-06-09 14:19:07
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
一種簡單的報錯設(shè)計，可在次基礎(chǔ)上增加。
沖突
阻擋
重復(fù)
不在工位
不在崗
計時不準(zhǔn)
范圍外
強停
其它
2023-05-20 20:07:57
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機械系統(tǒng)（MEMS）是將機械元件和電子電路集成在一個共同的基板上，通過使用微量制造技術(shù)來實現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術(shù)，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
其實不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線，例如下圖這塊剛經(jīng)過蝕刻工藝的PCB，敷銅走線就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
樹脂塞孔的概述
樹脂塞孔就是利用導(dǎo)電或者非導(dǎo)電樹脂，通過印刷，利用一切可能的方式，在機械通孔、機械盲埋孔等各種類型的孔內(nèi)進(jìn)行填充，實現(xiàn)塞孔的目的。
樹脂塞孔的目的
1
樹脂填充各種盲埋孔之后，利于
2023-05-05 10:55:46
然后就出現(xiàn)PCB板中的所有過孔，你選中一種孔，點確定，就能選中想要選中的孔了。如下圖所示。
上圖就把所有同一類的過孔都選中了。這個還有其它類型可以操作的，并不是這一種過孔。還可以選同類
2023-04-28 17:54:05
主要講述 PCB Layout 中焊盤和過孔的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)及工藝要求，包括 BGA 焊盤。
一、 過孔的設(shè)置（適用于二層板，四層板和多層板）孔的設(shè)計
過線孔：制成板的最小孔徑定義取決于板厚度
2023-04-25 18:13:15
范圍內(nèi)不能有元件或焊點，以便裝擋條。
如果元器件較多，安裝面積不夠，可以將元器件安裝到邊，但必須另加上工藝擋條邊（通過拼板方式）。
九、孔金屬化問題
定位孔、非接地安裝孔，一般均應(yīng)設(shè)計成非金屬化孔。
原作者：志博君 志博PCB
2023-04-25 17:00:25
個月內(nèi)可焊性良好就可以。
2）如果PCB上有細(xì)間距器件（如0.5mm間距的BGA），或板厚≤0.8mm，可以考慮化學(xué)（無電）鎳金（Ep.Ni2.Au0.05）。還有一種有機涂覆工藝（Organic
2023-04-25 16:52:12
一、傳統(tǒng)工藝品制作煥發(fā)生機，3D掃描技術(shù)帶來生產(chǎn)工藝革新 傳統(tǒng)工藝美術(shù)是老百姓在日常生活和勞作中的精神提煉與藝術(shù)創(chuàng)作的具體體現(xiàn)。而雕刻便是傳統(tǒng)工藝美術(shù)的具體表現(xiàn)之一。傳統(tǒng)的雕刻工藝包括木雕、浮雕
2023-04-25 13:04:47375 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 了工序，省去了波峰焊這道工序，多種操作被簡化成一種綜合的工藝過程; 2、通孔回流焊接工藝需要的設(shè)備、材料和人員較少； 3、通孔回流焊接工藝可降低生產(chǎn)成本和縮短生產(chǎn)周期； 4、可降低因波峰焊而造成的高
2023-04-21 14:48:44
漏印 絲網(wǎng)漏印（簡稱絲?。┦?b class="flag-6" style="color: red">一種古老的印制工藝，與油印機類似。絲網(wǎng)漏印就是在絲網(wǎng)（真絲、滌綸絲等）上通過貼感光膜（制膜、曝光、顯影、去膜）等感光化學(xué)處理，將圖形轉(zhuǎn)移到絲網(wǎng)上，或在絲網(wǎng)上黏附一層漆膜或
2023-04-20 15:25:28
的內(nèi)容如與本規(guī)范的規(guī)定相抵觸的，以本規(guī)范為準(zhǔn)。 3. 定義 導(dǎo)通孔（via）：一種用于內(nèi)層連接的金屬化孔，但其中并不用于插入元件引線或其它增強材料?！ ∶?b class="flag-6" style="color: red">孔（Blind via）：從印制板內(nèi)僅延展
2023-04-20 10:39:35
可以用在陶瓷板上面。過孔一般分為三類： 盲孔、埋孔和通孔 ?！懊?b class="flag-6" style="color: red">孔”位于印制電路板的頂層和底層表面，具有一定深度，用于表層線路和內(nèi)層線路的連接。“埋孔”在電路板內(nèi)層的連接孔，電路板表面看不到?！巴?b class="flag-6" style="color: red">孔”穿過
2023-04-19 10:07:46
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
鋼網(wǎng)是SMT生產(chǎn)使用的一種工具，其主要功能是將錫膏準(zhǔn)確地涂敷在有需要焊接的PCB焊盤上。鋼網(wǎng)的好壞，直接影響印刷工作的質(zhì)量，目前一般使用的金屬鋼網(wǎng)，是由薄薄的、帶有小孔的金屬板制作成的，在開孔處，錫
2023-04-14 11:13:03
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
Probe的簡稱，即飛針檢測?！ ?、FT：Functional Tester的簡稱，即功能檢測?！ ?、比對卡：一種檢查PCB插件或焊接結(jié)束后缺件、錯件、極性相反等組裝缺陷的簡易工裝，在薄片
2023-04-07 14:41:37
PCB生產(chǎn)商的通孔插裝工藝模板的印刷方法有幾種？
2023-04-06 16:12:14
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點。從45nm節(jié)點后，雙重圖形化技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在柵圖形化工藝中。隨著技術(shù)節(jié)點的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關(guān)鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設(shè)計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 的安裝及使用?！ “?b class="flag-6" style="color: red">孔板要增加費用的原因：半孔是一種特殊工藝流程，為了保證孔內(nèi)有銅，必須得工序做到一半的時候先鑼邊，而且一般的半孔板非常小，所以半孔板一般費用比較高，非常規(guī)設(shè)計得非常規(guī)價格?！ ?半
2023-03-31 15:03:16
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 貼化、小型化趨勢越來越明顯，產(chǎn)品的密集程度也在不斷增加，產(chǎn)品向高密度和互聯(lián)化發(fā)展。盤中孔工藝使PCB工藝立體化，有效節(jié)約板內(nèi)布線空間，適應(yīng)了電子行業(yè)發(fā)展的需求。一般情況下，使用真空塞孔機塞孔和陶瓷
2023-03-27 14:33:01
一． 雙面板工藝流程：覆銅板（CCL）下料（Cut）→鉆孔（Drilling）→沉銅（PTH）→全板鍍銅（Panel Plating）→圖形轉(zhuǎn)移（Pattern）油墨或干膜→圖形電鍍（Pattern
2023-03-24 11:24:22
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