發動機控制、智能電網和智能家居技術采用的增加以及對高壓設備的需求增加促進了全球柵極驅動器市場的增長。

完整的發動機控制系統包括電源、主機微控制器、柵極驅動器和半橋拓撲結構的 MOSFET。微控制器設置 PWM 占空比并負責反饋或開環控制。在低壓項目中，柵極驅動器和 MOSFET 通常集成為一個單元。但是，對于大功率單元，兩個單元是分開的，以便于熱管理并最大限度地減少電磁干擾。

發動機控制系統中的柵極驅動器主要設計用于提高外部功率 MOSFET 的性能，以將電流饋送到電動機。柵極驅動器充當邏輯電平控制輸入和功率 MOSFET 之間的中間級。

鑒于典型電路可以包含的外部 MOSFET 種類繁多，柵極驅動器必須堅固且靈活，并且必須能夠提供智能解決方案來正確驅動功率半導體。模塊化電機控制解決方案提供了另一種選擇，市場上有多種集成柵極驅動器，可提供高柵極驅動電壓以確保 MOSFET 具有最小的內阻。

德州儀器 (Texas Instruments) 的德州儀器 ( Texas Instruments
) 智能儀器驅動器提供了一種旨在驅動和保護功率 MOSFET 的智能解決方案。此功能允許設計人員優化 EMI 開關和性能，但也允許他們減少物料清單計數并為 MOSFET 提供額外保護。Texas Instruments 智能柵極驅動器采用電流布局，可輕松控制 MOSFET 變化的速度。可調柵極驅動的電流參數稱為 IDRIVE。

DRV8323x系列提供三個獨立的柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 MOSFET 對。柵極驅動器包括一個電荷泵，用于為高側晶體管產生升高的柵極電壓（占空比支持高達 100%），以及一個為低側晶體管供電的線性穩壓器。

STMicroelectronics

ST 柵極驅動器系列設計用于在高達 600 V 的高電壓的惡劣工業環境中工作，保持良好的抗噪性和低開關損耗。高壓半橋驅動器 L6491、L6494 和 L6498 的電流容量高達 4 A，因此特別適用于中高容量電源開關。

L6385E是一款緊湊而直接的高壓柵極驅動器，采用 BCD 技術制造，能夠驅動功率 MOSFET 或 IGBT 器件。高側部分可在高達 600 V 的電壓軌下運行。L6385E 器件提供兩個輸入引腳和兩個輸出引腳，并確保輸出與輸入同相交替。L6385E 在兩個引導部分都配備了 UVLO 保護，確保更出色地防止電源線上的電壓降。

Infineon

EiceDRIVER柵極驅動器提供從 0.1 A 到 10 A的廣泛典型輸出電流選項。強大的柵極驅動保護具有快速短路保護 (DESAT)，使這些驅動器 IC 適用于硅和寬帶電源，包括 CoolGaN 和 CoolSiC。單通道電流隔離柵極驅動器 IC 1EDF5673K 適用于具有非隔離柵極（二極管輸入特性）和低閾值電壓的增強模式（e 模式）氮化鎵 (GaN) HEMT。2ED020I06-FI 是一款高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器，具有高脈沖電流緩沖級，旨在實現最小導通。所有邏輯輸入都與 3.3-V 和 5-V TTL 兼容。傳播延遲相結合，以簡化高頻應用中的使用。

Power Integrations

Power Integrations 為高達 6,500 V 的電機驅動市場提供各種柵極驅動器解決方案。SID11x2K Scale iDriver是采用 eSOP 封裝的單通道 IGBT 和 MOSFET 驅動器。創新的 FluxLink 技術提供增強的電絕緣。一個隔離的單極電壓源為柵極控制提供正電壓和負電壓。其他功能包括短路保護 (DESAT) 和高級軟關斷 (ASSD) 和最小電壓阻斷 (UVLO)。控制器信號（PWM 和故障）與 CMOS 5V 邏輯兼容，也可以通過使用外部電阻分壓器將其調整為 15V 電平。

ON Semiconductor

ON Semiconductor 的 NCP510x器件是具有兩個輸出的高壓柵極驅動器，用于直接驅動以半橋配置（版本 B）或任何其他高側配置加低側 (版本 A)。自舉技術用于確保正確驅動高端電源開關。導頻電路與兩個獨立的輸入一起工作。

ROHM Semiconductor
BM63764S-VC是一款 600-V/15-A 智能 IGBT (IPM) 電源模塊，用于采用 25 引腳 HSDIP 封裝的高速開關單元。它由柵極驅動器、自舉二極管、IGBT 和續流二極管組成。使用小型損耗IGBT，它們針對洗衣機或風扇電機等高速開關操作進行了優化。典型應用包括高速交流 100 至 240 Vrms 變頻器（直流電壓低于 400 V）和高速電機變頻器。

審核編輯 黃昊宇