美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
恢復二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現(xiàn)低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產(chǎn)品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
拓撲結構，其中
SiC MOSFET 用于高頻
開關，Si IGBT 用于低頻
開關。隔離式柵極驅(qū)動 器必須能夠驅(qū)動不同要求的
開關，其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/
SiC MOS
混合式多電平配置?？蛻?/div>
2018-10-30 11:48:08
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現(xiàn)低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
STMicroelectronics的快速碳化硅結構肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結構肖特基二極管的開關使設計人員可以達到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
的高耐壓和低阻值，但其開關性能劣于多數(shù)載流子。Si-PND中提高了開關速度的產(chǎn)品是FRD，然而開關時的恢復特性依然劣于SBD。右圖表示Si-SBD、Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐壓覆蓋范圍
2018-12-03 15:12:02
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
校正，新能源電網(wǎng)，新能源汽車，軌道交通等不同領域！附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號選型表：
2021-11-09 16:36:57
B1D02065E,B1D16065HC,B1D20065HC, B1D40065H等多個型號650V，1200V系列最全型號參數(shù)選型表：
2021-10-27 15:00:42
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規(guī)范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現(xiàn)更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
概述：STR6656是日本三肯公司生產(chǎn)的用于彩電開關電源厚膜塊，它為單列5腳封裝。工作電壓650V，工作電流25A，功率150W。為離線準諧振開關穩(wěn)壓電源控制電路。有過流、過壓及欠壓保護等電路
2021-05-19 06:45:56
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
和低壓開關特性等性能。 如圖1所示，為單管測試電路，其中，測試負載為200W242歐姆純電阻。圖1 單管測試電路首先考察Vgs在500k頻率下的開通延遲時間為938.4ns，關斷延遲時間為
2020-05-21 15:24:22
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
電子設備和工業(yè)設備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復時間Trr，反向恢復電流Irr和反向恢復損耗Err明顯降低?！ ?5 總結 基本半導體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
。最大直流母線電壓為 425V，電池為 450V?？紤]到電壓降額可靠性要求，在 OBC 應用中首選 650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW的輸出功率，采用TO-247封裝
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優(yōu)勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
我用的是IKW75N65E25型號的IGBT，耐壓650V，在實現(xiàn)軟開關時，開關電壓上升時有十分明顯的震蕩，分析過電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題，用仿真軟件仿真過能得到結果，但是實物實驗時就會出現(xiàn)圖中的問題。求助?。?！
2017-01-12 11:00:12
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
批量生產(chǎn)時LED燈具參數(shù)的一致性?！?b class="flag-6" style="color: red">SIC9654具有豐富的保護功能：輸出開短路保護、采樣電阻開短路保護、欠壓保護、輸出過壓保護、過溫自適應調(diào)節(jié)等。●特性：■內(nèi)部集成650V功率管■±3%以內(nèi)的系統(tǒng)恒流
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
更進一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導通電阻達到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應以及固有的抗過電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
在設計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇?！ ≡谠O計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。這對于優(yōu)化CLLC轉(zhuǎn)換器的效率非常重要，尤其是在高頻下。直流母線最大電壓為425V，電池為450V。考慮到降額可靠性要求，在OBC應用中最好使用650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
母線電路需設計極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征 ■ 低RDS(on) ■ 低柵極電荷（ (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13
svf7n65f場效應管7a 650v mos管特點■ 7A,650V,RDs(on)(典型值)=1.1Ω @Vcs=10V■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 開關速度快■ 提升了dv/dt能力驪
2022-03-30 15:41:09
SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261670 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 ?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產(chǎn)品特性
?
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 2020年7月4日 華潤微電子（CR MICRO）正式向市場投入1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時宣布國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:507770 前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202346 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關特性，并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
功率晶體管與標準門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34688 保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40558 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:071113 
探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:03991 圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
開關電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35275 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續(xù)創(chuàng)新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
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