想要降低STM32WB的功耗，查找手冊發現開啟SMPS模塊可以降低功耗。配置SMPS模塊具體步驟是什么有大佬知道嗎？是開啟SMPS宏定義，然后寫PWR的寄存器就可以了嗎？怎么證明自己的SMPS模塊-配置正確了呢？
2024-03-20 08:18:42
低功耗、高性能M0芯片亮點(1~3): 低功耗, 寬電壓, PWM
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笙泉科技全新低功耗
2024-03-15 16:53:53
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物
2024-01-10 10:18:33
570 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 低功耗設計前，功耗為27.9mW。
2024-01-03 10:05:08169 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
藍牙技術聯盟于2010年推出了藍牙4.0規范，其中低功耗藍牙的出現滿足了小型電池供電設備進行低功耗無線連接的需求，因此得到廣泛應用。本文章將帶你深入了解低功耗藍牙的應用。低功耗藍牙簡介2010
2023-12-28 08:24:49350 
隨著半導體技術的發展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
請問ADA4302-4適合應用在差分的CVBS信號的分拆么？如果適合，除了手冊之外還有其他文檔供使用么？或者使用過程中需要注意哪些內容呢？
2023-12-18 06:44:04
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06548 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
AD7768芯片是否可以應用在地震檢測儀器數據采集中？它 的靈敏度是否能夠和ADS1282相媲美？
2023-12-07 07:35:46
德州儀器 (TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
2023-11-27 17:12:011013 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 電子發燒友網站提供《數字隔離器可應用在本質安全應用中.pdf》資料免費下載
2023-11-24 10:24:45
0 ，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:302310 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質脆材質特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現的問題。同時，GaN產品的高壓特性，也在封裝設計過程對爬電距離的設計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
隨著智能家居市場的快速發展，低功耗芯片在智能家居產品中的應用也變得越來越廣泛。這些智能家居產品包括智能多功能網關、智能傳感器、寵物投喂產品、智能酒店以及監控系列等。在這些領域，低功耗芯片的應用能夠
2023-11-12 15:06:00159 
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems），并號稱“成為領先的氮化鎵龍頭企業”。 英飛凌表示，這家總部位于加拿大
2023-10-26 08:43:52206 德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47323 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的理論極限，進一步發展只是以緩慢和高成本實現微小
2023-10-25 16:24:43641 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
隨著科技的不斷進步，電力電子領域也在不斷發展。在這個領域中，氮化鎵（GaN）作為一種新型的寬禁帶半導體材料，正逐漸被廣泛應用在各種電力電子器件中，其中最重要的就是充電器。
2023-10-24 16:17:45246 常見的復位電路有RC復位電路，和用ic復位電路，這兩種復位電路有什么區別，分別應用在哪里？
2023-10-24 06:51:34
低功耗單片機，怎么仿真
2023-10-20 06:32:01
隨著科技的不斷發展，電風扇在我們的生活中扮演了越來越重要的角色。無論是炎炎夏日還是熱帶雨林，電風扇都能為我們帶來清涼舒適的感覺。近年來，傾倒開關的應用在電風扇的設計中越來越常見，那么，傾倒開關應用在電風扇上有哪些優勢呢？
2023-10-18 14:59:41252 
低功耗設計是當下的需要！這篇文章：低功耗設計方法論的必要性讓我們深入了解了現代設計的意圖和對功耗感知的需求。在低功耗方法標簽下的時鐘門控和電源門控的后續文章中，討論了一些SoC低功耗設計的方法。在這篇文章中，我們將考慮一個這樣的低功耗設計的FSM，可以推廣到任何低功耗時序電路的設計。
2023-10-17 10:41:13309 
求助sharp lz9gh236一般應用在哪個方面上
2023-10-17 07:11:42
開關模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。
2023-10-11 09:49:18238 為什么高斯濾波廣泛的應用在圖像處理中
2023-10-09 06:31:45
全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 NB-IoT的低功耗是怎么實現的
2023-10-07 07:05:52
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業界領先的質量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253 干貨 | 氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
電子發燒友網站提供《TouchGFX圖形應用在亮屏時的低功耗實現.pdf》資料免費下載
2023-09-20 11:26:551 目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
安全光幕和安全光柵的區別是什么呢？主要應用在什么行業？
2023-06-29 09:55:26458 
PHY6222
超低功耗藍牙芯片
是一款低功耗藍牙芯片，主要應用在數據傳輸的產品領域。例如，車載藍牙、手環、醫療、藍牙鎖、藍牙自拍桿、藍牙健身器材等等。處理器為32位的ARM Cortex M0
2023-06-27 17:30:17
一般低功耗，是如何體現的呢?
2023-06-26 08:13:11
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
功率，降額使用。
PI官方的資料顯示，INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI獨家的PowiGaN技術，也就是內置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業“主力”開關速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
隨著物聯網技術的不斷發展，超低功耗MCU已經成為了物聯網方案中主要的芯片處理技術。超低功耗MCU具有眾多的優點，其中一大所用就是能夠大大提高物聯網設備的續航能力，保證設備在長時間內不掉電不斷電。那么
2023-06-13 18:18:17
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過[氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-05-17 10:19:13832 
想必各位ICer們在招聘JD上專門看到低功耗設計經驗的要求，什么是低功耗設計呢？對于后端工程 師來講，在物理實現方面就是引入多條電源線
2023-05-15 11:42:52687 
有可以進行mesh組網的低功耗藍牙模塊么？這種低功耗藍牙模塊組網支持多少個節點？是低功耗藍牙模塊BLE
2023-05-09 17:16:05
低功耗系列模數轉換芯片ADC?ADX1xx系列主要應用于對直流或低速信號的高精度檢測場合，可以實現電池的電壓/電流檢測、溫度或壓力信號的采集并應用在對功耗要求較高的手持類產品中。具有低功耗、高集成度、小體積、高精度、低成本等優勢。
2023-04-27 17:36:02653 GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
2023-04-27 09:44:45173 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-04-03 11:12:17553 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-03-27 09:42:371332 
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