電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）2018年開始氮化鎵被引入快充充電器，為充電器工廠提供了巨大的發(fā)展空間，大批的傳統(tǒng)充電器廠商紛紛轉(zhuǎn)戰(zhàn)氮化鎵市場。隨著蘋果推出140W大功率的筆電快充方案，充電器
2023-07-21 09:08:38
2500 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脈沖射頻連續(xù)波下工作。該款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 Weltrend新參考設(shè)計表明，擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健性 ? ? 2023 年 12 月 28
2024-01-03 15:17:33125 2024紫光同創(chuàng)盤古家族產(chǎn)品將全面更新，推出多款新品，涵蓋紫光同創(chuàng)Logos/Logos2/Titan2/Compa全系列，滿足多方位需求，同時，針對高校教學(xué)，推出盤古EU22K(PGL22G)(教學(xué)版/合并下載器)、盤古PGX(PGL50H)(電賽定制)，產(chǎn)品豐富
本主題由 dianzi_0
2024-01-03 14:49:15
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
也提出了更高的要求。 按照柵極特性差異，GaN分為 常開的 耗 盡型（D-mode ）和 常關(guān)的增強型（E-mode） 兩種類型；按照應(yīng)用場景差異，GaN需要 隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負壓關(guān)斷 等多種驅(qū)動方式。針對不同類型的GaN和各種應(yīng)用場景，納芯微推出
2023-12-20 13:35:02235 
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 今年P(guān)I InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品，“900V耐壓”和“100W輸出功率”非常吸引眼光。本次，我們將從新品性能、參考設(shè)計以及Demo測評三個角度，初步認識本次新品。
2023-11-28 15:24:42719 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應(yīng)用，它能應(yīng)用于各種汽車系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預(yù)計，它會對汽車工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC
2023-10-31 11:12:52266 氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設(shè)計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設(shè)計卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:26531 有無大佬知道這個SYN15-AAC是個啥?半導(dǎo)小芯查不到
這東西不知道被誰插在電腦上了,還插在了打印機線上,是同事問我打印機找不到了才發(fā)現(xiàn)這么個東西,插電腦上有一聲響但不知道是干啥用的
2023-10-20 14:14:48
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 后，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計。
2023-10-11 15:33:30311 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
與器件接地參考控制信號。自舉電容器 CBST、圖騰柱雙極驅(qū)動器和常規(guī)柵極電阻器都可作為電平位移電路。此外，一些驅(qū)動芯片已內(nèi)置自舉電路，可直接將自舉信號接入功率器件基準端。
驅(qū)動電路按照電路結(jié)構(gòu)分為隔離型
2023-10-07 17:00:40
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當?shù)谌雽?dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制
2023-09-20 16:07:23387 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342697 
推出非常關(guān)鍵的同步整流控制器，解決了氮化鎵快充的全部難點。在移動電源領(lǐng)域，智融同樣不斷克服技術(shù)難題，推出同步升降壓控制器、協(xié)議芯片、SoC 芯片等產(chǎn)品，致力于為客戶提供端到端的全套解決方案。
2023-09-18 15:52:03
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設(shè)計、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計工具來實現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 這是以電源IC AN7115為主要部分搭建的微型音頻放大器電路。通常，使用 9VDC 電源和 4Ω 揚聲器時，該放大器將提供約 2.1W 的功率。當電源電壓（Vcc）為9.0VDC、THD=10%、RL=8Ω時，AN7114的輸出功率可達1.4W，噪聲輸出為3mV。
2023-08-02 15:33:10412 
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233605 氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品
2023-07-27 11:06:201179 
R2A20112SP/DD 數(shù)據(jù)表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-07-13 19:23:53
0 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現(xiàn)貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
。這款電源內(nèi)置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關(guān)管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態(tài)耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
NP83P06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:17:160 NP100P06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:17:040 NP83P04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:13:510 NP100P04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:00:430 NP110N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 20:55:200 NP82N06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 20:54:420 NP82N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 19:41:180 功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
座采用橙色膠芯，正負極加寬設(shè)計。
全部拆解完畢，來張全家福。
充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)
橙果電子推出的這款氮化鎵充電器為長條柱狀造型設(shè)計，具備折疊插腳，小巧便攜。充電器具備2C1A接口，總輸出功率為65W
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關(guān)的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業(yè)“主力”開關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機充電器?應(yīng)用實例：高性能電機驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件層面，根據(jù)實際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
包含關(guān)鍵的驅(qū)動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統(tǒng)半橋解決方案中相關(guān)的能量損失、成本過高和設(shè)計復(fù)雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現(xiàn)了電力電子領(lǐng)域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15384 e-mode GaN 的弱點，過壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件相同，新型 650 V H2 IC
2023-05-15 10:47:11947 
業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商。
2023-05-10 11:23:31820 業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應(yīng)商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
NP110N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-06 19:09:180 NP82N06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-06 19:08:400 NP82N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-05 19:48:410 鎵PD-65W應(yīng)用器件先進封裝關(guān)鍵技術(shù)研究與開發(fā)、PDPN5*6 IC器件封裝工藝研究、SOP16 IC器件封裝工藝研究、TO247大功率器件封裝工藝研究、TO220F大功率器件封裝工藝研究。目前晶導(dǎo)
2023-04-14 16:00:28
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤新微 GaN-MOS，充電器具備 2C1A 三個輸出接口，兩個 USB-C
2023-04-07 10:59:141224 
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
PI宣布推出900V氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技術(shù)，可提供高達100W的功率，效率超過93%，因而無需散熱片，并可簡化空間受限型應(yīng)用的電源設(shè)計。
2023-03-31 02:10:003363 
R2A20112SP/DD 數(shù)據(jù)表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-03-30 19:52:440 、高耐壓的半導(dǎo)體器件。近期，深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件，為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。 據(jù)了解，新IC采用該公司特有的PowiGaN技術(shù)，使用獨
2023-03-30 11:48:45562 AP7115-25SEG
2023-03-28 14:52:17
在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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