MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:36
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器件選型。 1. Compact系列CPLD總體介紹 Compact 系列器件是采用 55nm 工藝制造的低成本、高密度IO并具有非易失性的CPLD產品，采用先進的封裝技術，提供上電瞬間啟動功能；其中
2024-03-16 07:08:16
MR25H256 MRAM 存儲器 mikroBUS? Click? 平臺評估擴展板
2024-03-14 22:03:11
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術開發(fā)出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。
2024-03-05 10:05:46198 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
佰維存儲的TF200系列microSD卡已經成功通過了樹莓派（Raspberry Pi 4B）的AVL認證，確保了與樹莓派微型計算機的完美兼容。這一系列的microSD卡憑借其高穩(wěn)定性、高可靠性和高耐久性等特點，已經成為了許多主流終端設備的首選存儲解決方案。
2024-01-24 17:00:48192 臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創(chuàng)新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。
2024-01-22 10:50:50123 
據(jù)報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。
2024-01-18 14:44:00838 1月9日-12日，超4000家展商匯聚于2024年國際消費電子展。其中，康盈半導體攜旗下B端和C端全明星系列產品線產品亮相CES，涵蓋eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI
2024-01-15 18:23:27180 
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的性能，每比特開關能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18430 
型號: STT5PF20V-VB絲印: VB8338品牌: VBsemi參數(shù):- 封裝: SOT23-6- 溝道類型: P-Channel- 最大電壓(Vds): -30V- 最大電流(Id
2024-01-03 11:35:45
佰維存儲始終秉承著創(chuàng)新理念、追求行業(yè)領先的精神，致力于為電競用戶創(chuàng)造突破性的使用體驗。借助公司在存儲解決方案研發(fā)及先進封測技術上取得的技術成果，佰維存儲悟空系列能為電競玩家和超頻專家?guī)戆踩行У臄?shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)保護，讓他們盡享飛速游戲體驗。
2023-12-29 14:11:58157 ”系列存儲產品首發(fā)上市 ，旨在滿足電競玩家和超頻專家的實際性能需求，為電競愛好者提供煥然一新的流暢體驗。 ? ? 悟空系列承載了佰維存儲對產品不斷創(chuàng)新、追求卓越的匠心獨運，致力于為電競用戶開創(chuàng)突破性的體驗。基于公司在
2023-12-29 11:44:56113 
電競產業(yè)穩(wěn)步發(fā)展，帶動游戲硬件領域的旺盛需求。在電子競技比賽中，“失之毫厘，差之千里”，一款高性能、穩(wěn)定可靠的電競存儲產品是每位游戲愛好者的必備之選。近日，佰維存儲為電競消費者傾力打造的“悟空”系列存儲產品首發(fā)上市，旨在滿足電競玩家和超頻專家的實際性能需求，為電競愛好者提供煥然一新的流暢體驗。
2023-12-29 11:03:04334 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
Oracle中的Parallel是一種高級技術，可以顯著提高查詢和數(shù)據(jù)處理的性能。它利用多處理器系統(tǒng)中的并行計算能力，同時利用多個CPU來處理查詢，從而加快數(shù)據(jù)處理速度，減少查詢時間
2023-11-17 14:25:23473 STT2408A50 可控硅規(guī)格書參數(shù)資料下載。
2023-11-15 14:44:11
0 隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產品逐漸涌現(xiàn)于市場中
2023-11-14 09:28:10418 
16-bit Parallel 64-Pin LFCSP EP Tray AD9268BCPZ-125 Product Technical
2023-11-07 18:39:31
ROM存儲和RAM存儲在物理結構上有什么區(qū)別，如何才能實現(xiàn)只讀存儲和隨機存儲？
2023-10-30 07:09:38
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時開啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
本應用筆記詳細描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區(qū)（ZW），實現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內容正常運行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
STM32怎么實現(xiàn)一個非阻塞性的串口屏收發(fā)
2023-10-24 08:15:33
隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù)，提前預測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機。累積
2023-10-19 11:27:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX22195: High-Speed, Octal, Industrial Digital Input with Parallel Output Data
2023-10-17 19:15:17
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
IAR能否支持對兆易的GD32進行編程開發(fā)
2023-10-11 07:30:23
ST 的 8 位微控制器平臺基于高性能 8 位內核，配有先進的成套外設。 該平臺采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲器專有技術。STM8 通過增強型堆棧指針運算、先進的尋址模式和新指令實現(xiàn)快速、安全的開發(fā)。S
2023-10-10 08:05:14
ST 的 8 位微控制器平臺基于高性能 8 位內核，配有先進的成套外設。 該平臺采用 ST的 130 nm 嵌入式非易性存儲器專有技術。STM8 通過增強型堆棧指針運算、先進的尋址模式和新指令實現(xiàn)快速、安全的開發(fā)。
2023-09-28 08:05:11
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術為中心，致力于設計、開發(fā)和銷售相關產品的Fabless企業(yè)。總公司設在深圳，在上海、蘇州等地設有r&d中心和支持團隊。
2023-09-20 10:27:21661 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現(xiàn)。本應用筆記針對保護內部存儲器內容的 ECC 機制，描述了與之相關的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進行 ECC
2023-09-08 07:31:20
本參考手冊面向應用程序開發(fā)人員。它提供了關于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設備。
STM32G4系列是一系列具有不同內存大小和封裝的微控制器以及外圍設備。
有關訂購信息、機械
2023-09-08 06:59:58
（STSAFE-A110 微控制器（以下統(tǒng)稱為 STSAFE））可增強安全性。安全服務是一種可升級的代碼，提供了一組服務，非安全應用程序可以在運行時間使用這些服務，這些服務管理著與非安全應用程序相隔離的關鍵資產。非安全
2023-09-06 07:52:32
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
新能源汽車的核心技術是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 本指南介紹事務性內存，它允許自動執(zhí)行代碼，而無需始終實現(xiàn)限制性能的同步方法。
ARM事務內存擴展(TME)是事務內存的ARM實現(xiàn)。
現(xiàn)代復雜系統(tǒng)在不止一個處理器上執(zhí)行。
對存儲器訪問的管理確保了當
2023-08-17 07:57:59
動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經網(wǎng)絡的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內存事務
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
深圳市三佛科技有限公司供應KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM功率開關，原裝，現(xiàn)貨 高性能、低成本離線式 PWM 功率開關KP3111LGA必易微5V200mA離線式PWM
2023-08-01 16:51:03
收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板后一直對米爾旗下開發(fā)板的做工感到非常精致，同時也有著很強大的功能，也一直很喜歡米爾系列開發(fā)板。
引領工業(yè)市場從32位MPU向64位演進
基于瑞薩高性價比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
FSMC(Flexible Static Memory Controller，靈活的靜態(tài)存儲控制器)是STM32系列采用的一種新型的存儲器擴展技術，使用FSMC外設來管理擴展的存儲器。
2023-07-27 17:23:241334 
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術都源于R
2023-07-25 10:31:33
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 新唐M032就是以前的nuc123 (USB 通訊系列)和NUC029的合并系列，但是就穩(wěn)定性，抗干擾性就不如單純的NUC123, 在測試發(fā)現(xiàn)，M032的UART TTL通訊干擾出會誤碼，而nuc123基本不會，USB抗干擾也沒NUC123強悍
2023-06-27 06:34:25
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復地將重要數(shù)據(jù)保存于設備的過程。可以記錄系統(tǒng)內外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復地保存數(shù)據(jù)，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù)，如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢日志內存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323 服務器數(shù)據(jù)恢復環(huán)境：
一臺DELL EqualLogic PS系列存儲，存儲設備中12塊磁盤組建一組raid5，文件系統(tǒng)是VMFS系統(tǒng)；共劃分3個卷。
服務器故障：
存儲設備在工作中突然
2023-06-09 11:30:18325 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領先汽車處理企業(yè)恩智浦半導體宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統(tǒng)的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 色壞易折安瓿折斷力測試儀安瓿瓶折斷力測試儀是一種用于測試安瓿瓶的機械強度、可靠性和安全性能的專用試驗設備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測試夾具等主要組成部分。在測試過程中，將待測安瓿瓶放置在測試
2023-05-23 16:42:10
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需
2023-05-09 08:45:33
下一階段，復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲
2023-04-19 17:45:462547 服務器數(shù)據(jù)恢復環(huán)境：
DELL EqualLogic PS系列某型號存儲；
16塊SAS硬盤組成一組RAID5；
劃分了4個卷，采用VMFS文件系統(tǒng)，存放虛擬機文件。
服務器故障
2023-04-19 11:29:57465 
昆騰系列存儲：9個配置24塊硬盤的磁盤柜。8個磁盤柜存儲數(shù)據(jù)，1個磁盤柜存儲元數(shù)據(jù)。
2023-04-17 13:49:45280 
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
打造具備高可靠性、高安全性、覆蓋不同電壓、不同容量的車規(guī)級存儲產品，在應用端得到了充分的驗證并深受客戶認可。全系列創(chuàng)新產品覆蓋，滿足行業(yè)所需隨著自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的快速發(fā)展，在緊湊空間
2023-04-13 15:18:46
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導程序存儲區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲區(qū)InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機存儲器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機存儲器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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