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上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時(shí)，其電壓耐量可放一個(gè)合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過(guò)此值），電流耐量則得按器件的結(jié)溫降額要求決定、它與外部散熱條件和器件
2024-03-21 09:44:15
功率器件是指用于控制和調(diào)節(jié)電能的器件，其主要功能是將電能轉(zhuǎn)換為其他形式的能量，如電機(jī)的驅(qū)動(dòng)、電源的變換等。功率器件一般分為三類：晶閘管、功率二極管和場(chǎng)效應(yīng)管。晶閘管主要用于大功率開關(guān)控制，功率二極管
2024-03-20 14:43:16
106 本文通過(guò)單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)對(duì)比與分析，選取原生HgCdTe材料，對(duì)其進(jìn)行PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件的全過(guò)程工藝模擬，形成大面積的雪崩Ⅰ區(qū)。采用微分霍爾、微分少子壽命等測(cè)試手段進(jìn)行材料表征，評(píng)估獲得了關(guān)鍵雪崩區(qū)域的真實(shí)材料晶體質(zhì)量。
2024-03-15 09:38:28105 
常規(guī)的碲鎘汞PIN結(jié)構(gòu)雪崩器件一般采用non-p結(jié)構(gòu)，其中最為關(guān)鍵的雪崩Ⅰ區(qū)采用離子注入及推結(jié)退火的后成結(jié)工藝。
2024-03-15 09:37:4975 
AP8022H芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，適用于小功率離線式開關(guān)電源。該芯片提供的智能化保護(hù)功能，包括過(guò)流保護(hù)，欠壓保護(hù)，過(guò)溫保護(hù)和軟啟動(dòng)功能。間歇工作模式
2024-03-09 11:09:32
0 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47103 
功率MOSFET的雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2024-02-25 16:16:35487 
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
2024-02-25 15:48:081122 
電子元器件的封裝測(cè)試是確保元器件在正常工作條件下能夠穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。
2024-02-23 18:17:171002 雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí)，會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本
2024-02-23 17:06:03243 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
怎么一回事，制冷量和功率又該如何換算，一臺(tái)10KW的空調(diào)，制冷量25000W，還有一個(gè)能效比是2.5，這個(gè)能效比是什么意思？家用電器的幾級(jí)能耗是什么意思？這個(gè)和具體用電器的輸入功率，輸出功率，效率等什么因素有關(guān)？
2024-02-22 14:46:48
OPEAK提供雪崩光電探測(cè)器(APD)比帶放大光電探測(cè)器（PIN），同樣帶寬下具有更高的靈敏度和更低的噪聲，因此非常適合用于低光功率應(yīng)用，一般而言，雪崩光電二極管利用內(nèi)部增益機(jī)制提高靈敏度。在二極管
2024-01-23 09:25:260 高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著重要的角色。半導(dǎo)體測(cè)試是指對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種電性能參數(shù)測(cè)試和質(zhì)量檢測(cè)的過(guò)程。以下是關(guān)于高壓功率放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用的詳細(xì)介紹。 一、高壓信號(hào)發(fā)生器
2024-01-15 11:24:49138 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過(guò)電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 光功率測(cè)試儀怎么使用？ 光功率測(cè)試儀是一種用于測(cè)量光纖連接的光功率的儀器。它是光通信設(shè)備測(cè)試和維護(hù)的重要工具。下面將詳細(xì)說(shuō)明光功率測(cè)試儀的使用方法。 一、準(zhǔn)備工作 首先，確保光功率測(cè)試儀的電池充滿
2024-01-05 14:31:37388 崩擊穿和齊納擊穿是半導(dǎo)體器件中常見的兩種擊穿現(xiàn)象，它們?cè)谖锢頇C(jī)制、電壓特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種擊穿現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的介紹和分析。 一、雪崩擊穿 物理機(jī)制 雪崩擊穿是指在高電場(chǎng)作用
2023-12-30 17:06:003140 
逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件，其主要作用是在控制信號(hào)的作用下，將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中，功率開關(guān)器件的性能直接影響到整個(gè)逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09285 開關(guān)電源功率常見的測(cè)試方法有：通過(guò)測(cè)量電壓和電流來(lái)計(jì)算出功率、使用功率計(jì)直接測(cè)出功率。這兩種測(cè)試方法各有優(yōu)點(diǎn)與不足。以自動(dòng)化方式測(cè)試開關(guān)電源工率，用開關(guān)電源測(cè)試軟件不僅可以提高測(cè)試速度，還可以對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行多維度分析，確保測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果可靠性。
2023-12-20 16:03:42635 品牌：久濱型號(hào)：JB-JM5名稱：耐碎石沖擊試驗(yàn)機(jī)一、產(chǎn)品概述： 汽車材料耐碎石沖擊測(cè)試機(jī)是一種高精密度的多重沖擊儀器，它的優(yōu)點(diǎn)在于所獲得結(jié)果具有很好的重復(fù)性和可比性，通過(guò)壓縮空氣和加速的鋒利粒子
2023-12-14 16:36:22
來(lái)激勵(lì)被測(cè)材料或器件。功率放大器能夠?qū)⒌?b class="flag-6" style="color: red">功率信號(hào)放大到所需的高功率水平，從而有效地激發(fā)被測(cè)試物體的響應(yīng)。例如，在聲學(xué)測(cè)試中，功率放大器可以將信號(hào)放大，以便在材料中產(chǎn)生足夠的聲音強(qiáng)度來(lái)進(jìn)行聲學(xué)特性測(cè)量。 提供可
2023-12-14 10:42:43177 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240 光功率計(jì)測(cè)試光纖正常值多少？ 光功率計(jì)是用于測(cè)試光纖光信號(hào)強(qiáng)度的儀器，通過(guò)測(cè)量光纖上的光功率來(lái)判斷其傳輸質(zhì)量。在進(jìn)行光功率計(jì)測(cè)試之前，我們需要了解光纖的正常功率值范圍。 在光纖通信系統(tǒng)中，發(fā)射
2023-12-11 11:06:081754 SCK-Y玻璃瓶耐內(nèi)壓力測(cè)試儀適用于各種啤酒瓶、酒瓶、飲料瓶、輸液瓶、西林瓶等各類玻璃瓶耐內(nèi)壓力測(cè)試，產(chǎn)品依據(jù)GB/T 4546-2008(玻璃容器 耐內(nèi)壓力試驗(yàn)方法)標(biāo)準(zhǔn)中實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目規(guī)定，全自動(dòng)
2023-12-08 13:11:41
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53289 
季豐電子ATE實(shí)驗(yàn)室最新引進(jìn)了兩臺(tái)雙脈沖測(cè)試儀DPT1000A和Edison，分別覆蓋功率單管和模塊。
2023-12-05 18:09:59430 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 
-產(chǎn)品詳情-AF-01藥用鋁箔耐破度測(cè)試儀產(chǎn)品介紹AF-01鋁箔耐破度測(cè)試儀專業(yè)應(yīng)用于各類藥用鋁箔耐破強(qiáng)度試驗(yàn),是鋁箔強(qiáng)度性能檢測(cè)的基本儀器,是食品、藥品包裝廠家、商檢、科研等部]的理想檢測(cè)設(shè)備
2023-12-01 14:29:45
本推文包含兩個(gè)部分，一個(gè)是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系，一個(gè)是光電器件仿真簡(jiǎn)介。旨在提倡用理論知識(shí)去指導(dǎo)仿真，和通過(guò)仿真結(jié)果反過(guò)來(lái)加深對(duì)理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534 
下，PN結(jié)中的載流子會(huì)迅速增多，形成一個(gè)大的電流。擊穿特性是PN結(jié)的重要特點(diǎn)之一，對(duì)于電子器件設(shè)計(jì)和安全運(yùn)行都有重要的影響。 雪崩擊穿是PN結(jié)的一種擊穿機(jī)制，當(dāng)反向電壓足夠大時(shí)，電子和空穴在結(jié)區(qū)域的耗盡層中會(huì)獲得足夠的能量，以使它們
2023-11-24 14:20:271214 什么是雪崩擊穿？單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同？雪崩擊穿失效機(jī)理是什么？ 雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過(guò)電壓等原因?qū)е陆^緣擊穿，進(jìn)而引發(fā)設(shè)備失效的一種故障現(xiàn)象。在電力系統(tǒng)中，絕緣是保證設(shè)備正常運(yùn)行
2023-11-24 14:15:36817 當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后，半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過(guò)碰撞電離開始倍增，這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的，所以我們稱之為雪崩擊穿。
2023-11-23 16:22:27572 
三分鐘看懂雪崩光電二極管
2023-11-23 09:09:06640 
單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測(cè)單個(gè)光子并提供數(shù)字信號(hào)輸出。
2023-11-21 09:17:39582 
有關(guān)運(yùn)放全功率帶寬的問題，全功率帶寬應(yīng)該怎么測(cè)試？ADA4857和AD8479兩款運(yùn)放全功率帶寬的測(cè)試條件不一樣，一個(gè)輸出電壓峰峰值為2V，另一個(gè)輸出電壓峰峰值為20V，應(yīng)該如何確定這個(gè)值？
2023-11-21 08:21:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件的熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 09:21:590 簡(jiǎn)介：本資料的主要內(nèi)容包括風(fēng)電及大功率逆變器中阻容器件及功率器件的應(yīng)用，太陽(yáng)能逆變器中膜電容及光驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用以及電阻及功率器件在電動(dòng)汽車的應(yīng)用。
2023-11-09 15:40:110 一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
一、引言食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力性能的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。食品復(fù)合袋作為食品包裝的重要形式，其耐內(nèi)壓力性能對(duì)于食品的保存和安全性具有重要影響。本文將介紹食品復(fù)合袋耐內(nèi)壓力
2023-10-25 16:42:21
網(wǎng)分的射頻輸出功率如何設(shè)置？改動(dòng)射頻輸出功率，對(duì)測(cè)試參數(shù)有什么影響？ 網(wǎng)分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號(hào)分成兩個(gè)或多個(gè)輸出端口，用于進(jìn)行不同的測(cè)試或應(yīng)用。網(wǎng)分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21879 
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展，作為
2023-10-18 10:34:31378 
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)
2023-10-18 08:33:092498 
探頭與示波器被稱為工程師的眼睛，是工程師進(jìn)行電信號(hào)測(cè)量時(shí)必不可少的工具。探頭在功率領(lǐng)域的應(yīng)用是其發(fā)揮作用的重要方面，包括功率器件測(cè)試和變換器測(cè)試兩個(gè)方面。
2023-10-17 14:37:10206 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
紙張耐折度測(cè)試儀 耐折度是指紙或紙板在一定張力下所能承受往復(fù)135°的雙折次數(shù),以往復(fù)折疊的雙折次數(shù)或按以10為底的雙折次數(shù)對(duì)數(shù)值表示。 試驗(yàn)步驟：校準(zhǔn)儀器水平,調(diào)節(jié)所需的彈簧
2023-10-12 16:47:27
電子元器件可靠性測(cè)試是保證元器件性能和質(zhì)量的一個(gè)重要測(cè)試項(xiàng)目，同時(shí)也是電子設(shè)備可靠性的基礎(chǔ)。常見的可靠性測(cè)試項(xiàng)目有機(jī)械沖擊測(cè)試、高溫存儲(chǔ)測(cè)試、溫度循壞測(cè)試、引線鍵合強(qiáng)度測(cè)試等。
2023-10-11 14:49:05350 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:32398 龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。
2023-09-20 16:29:21808 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342682 
玻璃瓶耐內(nèi)壓測(cè)試機(jī) 在玻璃瓶檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)中，玻璃瓶的耐內(nèi)壓力是一項(xiàng)至關(guān)重要的指標(biāo)。這是因?yàn)椴Ａ康?b class="flag-6" style="color: red">耐內(nèi)壓力直接關(guān)系到其易破碎程度，對(duì)于保證玻璃瓶在使用過(guò)程中的安全性和可靠性具有重要意義。根據(jù)
2023-09-19 14:19:04
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試，功率循環(huán)通過(guò)在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59857 
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。功率二極管是一種關(guān)鍵的電子器件，廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域
2023-09-02 11:13:57790 氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢(shì)，有助于實(shí)現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能源等實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中承受瞬態(tài)過(guò)壓(Overvoltage)、過(guò)流(Overcurrent)等應(yīng)力沖擊的先決條件。
2023-07-30 17:20:10841 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-29 15:34:440 功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。
2023-07-27 16:17:151630 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBR雪崩能量應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 17:37:300 PN8034內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開關(guān)電源。
2023-07-21 15:55:072352 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號(hào)： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測(cè)及其測(cè)試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時(shí)也對(duì)其動(dòng)態(tài)特性測(cè)試帶來(lái)了挑戰(zhàn)，現(xiàn)階段存在的主要問題有以下三點(diǎn)
2023-07-08 15:14:02325 
車規(guī)級(jí)功率器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì)，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能
●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化
●評(píng)測(cè)方面:多應(yīng)力綜合測(cè)試方法、新型結(jié)溫測(cè)試方法和技術(shù)
●進(jìn)展方面:國(guó)產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時(shí)間沉淀
2023-07-04 10:48:05415 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率器件是指用于控制、調(diào)節(jié)和放大電能的電子元件。它們主要用于處理大功率電信號(hào)或驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，例如電機(jī)、變壓器、照明設(shè)備等。
2023-06-28 17:02:091644 光隔離探頭主要用于開關(guān)電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等由功率半導(dǎo)體組成的高壓高頻電路的測(cè)試，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測(cè)試。
2023-06-27 17:32:33555 
1 Buck 變換器的功率器件設(shè)計(jì)公式 （1）：Buck 變換器的電路圖： （2）：Buck 變換器的主要穩(wěn)態(tài)規(guī)格： （3）：功率器件的穩(wěn)態(tài)應(yīng)力： -- 有源開關(guān) S： -- 無(wú)源開關(guān) D： 上述
2023-06-26 10:06:01434 
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過(guò)電壓（半導(dǎo)體的雪崩擊穿）、過(guò)電流（鍵合線或者襯底熔化）、過(guò)熱（半導(dǎo)體材料由于高溫而分解）。
2023-06-11 15:58:46452 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長(zhǎng)期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場(chǎng)景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來(lái)很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識(shí)別和壽命評(píng)估帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:12477 
功率模組OSRG測(cè)試什么 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT
2023-05-31 09:39:49671 EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
2023-05-24 09:51:302761 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)
2023-05-15 10:04:53804 
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障，例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
2023-05-05 09:11:22556 通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 16:11:33917 
平臺(tái)型多通道消光比測(cè)試儀可獨(dú)立進(jìn)行偏振消光比測(cè)試、光功率測(cè)試、插損變化測(cè)試等，配備 USB(RS232) 接口，上位機(jī)軟件可自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)測(cè)試、 記錄、分析，可方便地組成自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。 廣泛應(yīng)用于光通信設(shè)備、光纖、光無(wú)源器件與光有源器件的測(cè)試，功率范圍寬、測(cè)試精度高、性價(jià)比高、可靠性好。
2023-04-25 17:35:450 騷擾功率測(cè)試是絕大多數(shù)AV類產(chǎn)品，家電以及電動(dòng)工具產(chǎn)品在認(rèn)證時(shí)常見的EMC測(cè)試之一。本文從騷擾功率的測(cè)試原理說(shuō)起，論述測(cè)試要點(diǎn)，以及出現(xiàn)測(cè)試不合格的原因分析，和可以采取的對(duì)策。后給出一個(gè)實(shí)際的整改案例加以說(shuō)明。
2023-04-18 10:45:191646 
在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)
2023-04-18 09:53:235973 
電壓擺幅在MOSFET擊穿電壓之上，從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管，并在FET上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項(xiàng)測(cè)試重復(fù)進(jìn)行，電流逐漸增加，直到開始的泄漏測(cè)試失敗，表明器件已被損壞。
2023-04-17 09:45:061407 
單光子探測(cè)器是一種可檢測(cè)單個(gè)光子能量的高靈敏度器件。按工作原理不同，單光子探測(cè)器可分為光電倍增管（PMT）、超導(dǎo)單光子探測(cè)器（SSPD）和單光子雪崩光電二極管（SPAD）。
2023-04-15 16:00:591405 碲鎘汞線性雪崩焦平面探測(cè)器具有高增益、高帶寬及低過(guò)剩噪聲等特點(diǎn)，在航空航天、天文觀測(cè)、軍事裝備及地質(zhì)勘探等領(lǐng)域展現(xiàn)了巨大的應(yīng)用潛力。
2023-03-28 09:12:33727
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