**VB264K - P-Channel MOSFET (3LPG-SOT23-3-VB)**- **參數說明:** - 封裝:SOT23 - 溝道類型:P
2024-03-08 15:05:14
型號: 3J14-VB絲印: VB2355品牌: VBsemi參數:- 封裝類型: SOT23- 溝道類型: P-Channel- 額定電壓: -30V- 額定電流: -5.6A- 開態電阻
2024-03-08 14:45:47
CyFxUVCApplnUSBEventCB()的
...
case CY_U3P_USB_EVENT_SUSPEND:
CyU3PDebugPrint (4, \"SUSPEND encountered...rn\"
2024-02-28 07:25:31
**詳細參數說明:**- **型號:** NTR4502PT3G-VB- **絲印:** VB2355- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型
2024-02-19 17:07:03
**產品型號:** SI3457CDV-T1-GE3-VB**絲?。?* VB8338**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:SOT23-6- 溝道類型:P—Channel- 額定電壓
2024-02-19 16:07:18
**NTF5P03T3G-VB****絲印:** VBJ2456 **品牌:** VBsemi **參數:** SOT223;P—Channel溝道, -40V;-6A
2024-02-19 15:37:01
**VBsemi RJE0605JPD-00-J3-VB 詳細參數說明:**- **絲印:** VBE2658- **品牌:** VBsemi- **參數:** - **封裝
2024-02-19 14:55:41
): -5.8A- 導通電阻(RDS(ON)): 50mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth): -0.6~-2V- 封裝: SOT89-3**應
2024-02-19 13:45:30
**詳細參數說明:**- 產品型號: IPD042P03L3-G-VB- 絲印: VBE2309- 品牌: VBsemi- 封裝: TO252- 溝道類型: P—Channel- 額定電壓
2024-02-19 11:17:49
**型號:FDC604P-VB****絲?。篤B8338****品牌:VBsemi****參數:**- 封裝:SOT23-6- 類型:P-Channel 溝道- 額定電壓:-30V- 額定電流
2024-01-03 17:02:11
型號:SI1317DL-T1-GE3-VB 絲?。篤BK2298 品牌:VBsemi **參數:** - 封裝:SC70-3 - 溝道類型
2023-12-29 11:04:58
型號:SSM3J36FS-VB絲?。篤BTA2245N品牌:VBsemi參數:- 封裝類型:SC75-3- 溝道類型:P—Channel- 最大漏電壓(Vds):-20V- 最大漏極電流(Id
2023-12-28 17:10:25
型號: SUD50P06-15-GE3-VB絲印: VBE2625品牌: VBsemi參數:- 封裝: TO252- 溝道類型: P—Channel- 額定電壓(V): -60V- 額定電流(A
2023-12-28 11:52:38
3P4W制的已無問題,3P3W-2CT的接線讀值也無問題了,但是不理解3P3W-3CT的接線方式應該如何配置,如下圖所示
這種N相不接,我無論將ADE7880配置在哪種模式,計算出來的電壓都是不對的,并且是跳動的,跳動的范圍挺大,
請各種專家幫幫我,這種不接N線的要測量應該如何實現,謝謝。
2023-12-26 07:06:10
Ω@10V, 26mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)- 閾值電壓(Vth):-2V- 封裝類型:TO252應用簡介:SUD50P08-25L-E3-VB是一種P溝道MO
2023-12-22 11:36:33
mΩ @ 10V, 4mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth):1.7V- 封裝:TO220詳細參數說明:SUP85N03-3M6P-GE
2023-12-21 12:00:06
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓:-1.5V封裝:TO252該型號的SQD19P06-60L-GE3-VB是一種P溝道MOSFET晶體管,適用于多種應用
2023-12-18 17:39:03
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓:-1.6V封裝:TO252該型號的SUD50P04-13L-GE3-VB 是一種P溝道MOSFET晶體管,適用于多種應
2023-12-18 11:40:57
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth):1~3V- 封裝:SOT89-3應用簡介:2SJ518-VB是一款P溝道MOSFET,適用于負極性電壓應用,具
2023-12-14 15:57:47
Ω @ 10V, 72mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓(Vth):-1.3V- 封裝:TO252應用簡介:DMP6180SK3-13-VB是一款P溝道
2023-12-14 15:48:07
(ON)):35mΩ @ 10V- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)- 閾值電壓(Vth):-1.5V- 封裝:SOP8應用簡介:MMDF3P03HDR2G-VB是一款
2023-12-14 10:14:18
Ω @ 10V- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)- 閾值電壓范圍(Vth):-0.6~-2V- 封裝:SOT89-3應用簡介:2SJ355-VB是一款P溝道場效應
2023-12-14 09:31:53
型號:FQT5P10TF-VB絲?。篤BJ2102M品牌:VBsemi參數:- 溝道類型:P溝道- 最大耐壓:-100V- 最大持續電流:-3A- 開通電阻(RDS(ON)):200m
2023-12-13 16:15:14
型號:SUD08P06-155L-E3-VB絲印:VBE2610N品牌:VBsemi詳細參數說明:- 溝道類型:P溝道- 額定電壓:-60V- 額定電流:-38A- 導通電阻:61mΩ(在10V下
2023-12-13 14:37:23
型號: SQD40P10-40L-GE3-VB絲?。?VBE2104N品牌: VBsemi參數: P溝道,-100V,-40A,RDS(ON),33mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs
2023-12-13 14:24:33
以來迅速發展的新型微電子封裝技術,包括焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統封裝(SIP)等項技術。介紹它們的發展狀況和技術特點。同時,敘述了微電子
2023-12-11 01:02:56
N3PF06 (VBJ2658)參數說明:P溝道,-60V,-6.5A,導通電阻58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V),閾值電壓-1~-3V,封裝:SOT223。 
2023-12-08 16:18:17
詳解汽車LED的應用和封裝
2023-12-04 10:04:54220 SSM3J36FS(VBTA2245N)是一款P溝道MOS型晶體管,采用SC75-3封裝。該產品具有-20V的耐壓能力和-0.4A的額定電流。其導通電阻RDS(ON)在4.5V時為450mΩ,在
2023-11-30 16:08:17
型號 STN3PF06-VB絲印 VBJ2658品牌 VBsemi參數 P溝道 -60V -6.5A 
2023-11-16 11:37:39
型號 SI6913DQ-T1-GE3-VB絲印 VBC6P3033品牌 VBsemi參數 溝道類型 P溝道 額定電壓
2023-11-15 11:48:58
型號 SUD08P06-155L-E3-VB絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數說明 溝道類型 P溝道 
2023-11-09 16:24:41
型號 SQD40P10-40L-GE3-VB 功能類型 P溝道功率MOSFET 最大電壓 -100V 最大電流
2023-11-09 16:05:38
型號 SI9948AEYT1E3絲印 VBA4658品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 2個P溝道 額定電壓 60V 額定電流 5.3A 開通電阻(RDS(ON)) 58m
2023-11-07 10:56:52
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.7Vth 封裝 SOP8應用簡介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P溝道MOSFET,適用于負極電
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 1V 封裝類型 SOT23詳細參數說明 SI2323DDST1GE3是一款P溝道MOS管,適用
2023-11-06 11:02:58
門源電壓范圍 20V 門源閾值電壓范圍 1V~3V 封裝類型 SOT236應用簡介 RRQ030P03TR(絲印 VB8338)是VBsemi公司生產的一款P溝
2023-11-06 10:44:25
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET,適用于負電
2023-11-06 09:17:31
門源電壓范圍 20V 門源閾值電壓 1.76V 封裝類型 TO252應用簡介 TJ30S06M3L(絲印 VBE2625)是VBsemi公司生產的一款P溝道功率M
2023-11-03 15:00:00
型號 AO7407絲印 VBK2298品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 20V 額定電流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V,117.6mΩ @ 2.5V
2023-11-03 11:45:53
型號 SI3477DVT1GE3絲印 VB8338品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V,54m
2023-11-03 10:21:57
型號 NTS4101PT1G絲印 VBK2298品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 20V 額定電流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V,117.6m
2023-11-02 16:26:15
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2369DST1GE3是一款P溝道MOSFET,適用于負極電壓控制和負
2023-11-02 10:57:13
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 0.83Vth 封裝 SOT223應用簡介 NTF6P02T3G是一款P溝道MOSFET,適用于需要負極電壓控制和
2023-11-02 10:16:18
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET,適用于負
2023-11-02 09:28:15
, 100mΩ @2.5V 門源電壓 12Vgs (±V) 門閾電壓 1.2~2.2Vth 封裝 SOT236應用簡介 SI3911DVT1GE3是一款具有兩個P溝道MOS
2023-11-01 15:46:24
型號 FQT5P10絲印 VBJ2102M品牌 VBsemi參數 頻道類型 P溝道 額定電壓 100V 額定電流 3A RDS(ON) 200mΩ @ 10V,240mΩ @ 4.5V
2023-11-01 11:46:31
) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和
2023-11-01 11:30:21
#include
#define led P0
sbit k1=P3^2;
sbit k2=P3^3;
sbit k3=P3^4;
void delay50ms(void)
{
unsigned
2023-11-01 07:42:30
51單片機P1-3口如何輸入輸出
2023-11-01 07:02:35
NTS2101PT1G詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 20V 額定電流 3A 導通電阻 98mΩ @ 4.5V, 117.6mΩ @ 2.5V 門源電壓 12Vgs (±V
2023-10-30 15:25:54
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET,適用于高功率開關和
2023-10-28 15:35:51
51單片機的P3口說能復用如我要把它當作普通的IO口使用還要做些設置嗎?
2023-10-28 07:34:14
SUD50P04-09L-E3是一款P溝道功率場效應管,具有以下參數 - 最大耐壓 -40V- 最大漏極電流 -65A- 導通時的電阻(RDS(ON)) 10mΩ@10V, 13m
2023-10-27 15:20:45
:WPM2015-3/TR是一款適用于低電壓、高電流開關控制的P溝道MOSFET。其小封裝和低導通電阻使其適用于緊湊的空間和高效能要求的電路。常用于電池供電設備、小型電子
2023-10-27 10:15:33
P0口是開漏的,可以實現線與功能,可做為地址總線,可以作為地址總線的低八位,P1口是普通IO口(有些單片機有特殊功能比如AD,PWM),P20口可作為地址總線的高八位,可以做普通IO口,P3口是特殊功能。某些51單片機還有P4口可以通過寄存器配置不同的輸入輸出模式(比如推挽,上拉等)。
2023-10-27 06:32:59
3G/4G通信是目前流行的技術,EVB-P6UL具備Mini-PCIE接口,可以直接支持3G/4G通信模塊,為您帶來無線連接的解決方案。
本文簡要介紹了目前3G的技術及目前流行使用MiniPCIE接口
2023-10-09 08:53:15
51單片機P3口的wr非口有什么作用,接c0832 芯片時,芯片中的wr非口有什么作用,這個不太懂,有沒有關于p3口功能的文檔?
2023-10-08 08:03:33
BGA和CSP封裝技術詳解
2023-09-20 09:20:14951 我自己的板子上P32、P33外部中斷沒反應。用論壇的初始化工具配置的不行,自己配置的也不行。其他引腳中斷正常。P32~P35。每個端口都有幾個做中斷用的,就P32 P33不行。
P3->PMD |= 0x00000000;
P3->IEN |= 0x007C007C;
2023-08-24 06:41:07
正在學習繪制PCB,缺少stm8s003f3u6tr的封裝,求大佬給文件
2023-08-07 07:03:25
測試情況:測試IC: M0516LDN, NUC029.
(1)單獨使用GPIO P2P3P4中斷可以正常喚醒;
(2)使用EXINT0和Exint1外部中斷可以正常喚醒;
(3)GPIO
2023-06-19 06:39:23
SBR3U60P5產品簡介DIODES 的 SBR3U60P5 采用緊湊型熱效率 PowerDI5 封裝,在高溫下提供低 V F和低反向泄漏。 產品規格 品牌  
2023-06-16 13:19:58
SBR3U60P1 產品簡介DIODES 的 SBR3U60P1 是PowerDI?中的單個整流器123封裝,提供優異的高溫穩定性和低正向電壓。 產品規格 品牌
2023-06-16 13:02:49
最近在用M051開發板實現PWM輸出的控制,因為涉及多種PWM控制模式,所以想設置多個按鍵控制。而按鍵控制需要中斷的產生,敢問2個外部中斷EXINT0、EXINT1跟GPIOP0P1P2P3P
2023-06-16 08:13:28
詳解半導體封裝測試工藝
2023-05-31 09:42:18996 貼片功率電感應用你知道哪個重要環節發展尤為重要嗎?對,當然是選型設計環節了!選型以及工作需要做的好與壞,直接可以影響到企業后續通過一系列的生產方式推進。那么,你知道貼片功率電感選型工作中哪個教學環節
2023-05-30 00:01:02299 CMD273P3 產品簡介 Qorvo 的 CMD273P3 是一款低損耗寬帶正控制 MMIC DPDT 轉換開關,采用無引線 3x3 毫米表面貼裝封裝
2023-05-29 14:47:49
CMD272P3 產品簡介 Qorvo 的 CMD272P3 是一款低損耗寬帶正控制 MMIC DPDT 轉換開關,采用無引線 3x3 毫米表面貼裝封裝
2023-05-29 14:41:22
探析電源管理IC低壓差穩壓器(3): LDO選型指南
接續前文(探析低壓差穩壓器(2): 才知道! 原來LDO要這樣選!),繼續為您介紹如何選擇LDO.
LDO選型指南 (續)
3. 線性度
線性
2023-05-29 12:45:44
請問有沒有ESP8266-DevKitC-02U-F的Eagle/Proteus的3D模型和封裝庫文件?
如果有人可以分享它會很棒。
2023-05-16 09:07:30
是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型?
2023-05-12 07:21:34
Qorvo 的 CMD273P3 是一款低損耗寬帶正控制 MMIC DPDT 轉換開關,采用無引線 3x3 毫米表面貼裝封裝。CMD273P3 覆蓋直流至 12 GHz,在 6 GHz 時具有
2023-05-09 13:51:35
Qorvo 的 CMD272P3 是一款低損耗寬帶正控制 MMIC DPDT 轉換開關,采用無引線 3x3 毫米表面貼裝封裝。CMD272P3 覆蓋直流至 10 GHz,在 6 GHz 時提供 1
2023-05-09 13:48:50
在發布了幾個關于使用 ESP8266 或 ESP32 構建網頁的教程之后,是一個用網頁控制便宜的 MP3-TF-16P(也稱為 DFPlayer Mini)MP3 播放器的示例。
2023-04-28 08:33:16
CMD318P3產品簡介Qorvo 的 CMD318P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD318P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的微波無線電以及
2023-04-23 21:25:57
CMD307P3產品簡介Qorvo 的 CMD307P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD307P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的電子戰和通信系統
2023-04-23 20:57:07
CMD271P3產品簡介Qorvo 的 CMD271P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 mm 塑料表面貼裝 QFN 封裝。CMD271P3 非常適合需要小尺寸和低功耗
2023-04-23 20:20:53
CMD270P3產品簡介Qorvo 的 CMD270P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD270P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的電子戰和通信系統
2023-04-23 20:14:15
CMD264P3產品簡介Qorvo 的 CMD264P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD264P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的電子戰和通信系統
2023-04-23 20:07:11
CMD263P3產品簡介Qorvo 的 CMD263P3 是一款寬帶 MMIC 低噪聲放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD263P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的微波無線電以及
2023-04-23 13:18:44
CMD305P3 產品簡介Qorvo 的 CMD305P3 是一款寬帶 MMIC 驅動放大器,采用無引線 3x3 毫米塑料表面貼裝封裝。CMD305P3 非常適合需要小尺寸和低功耗的電子戰
2023-04-20 12:03:50
我們有一個舊產品設計,使用 DIP-28 封裝的 MC705P6ACPE 微控制器。該設備于 2014/2015 年停產。在搜索 NXP 網站時,我看到一個類似編號的設備 MC705P6ECPE,也
2023-04-17 08:02:40
MWCT2xx3A P/N是否與最新的 Qi.1.3.4 標準兼容?
2023-04-14 07:22:03
我正在尋找使用 P3T1755 作為基于 I3C 傳感器的目標設備。 只是想知道它是否支持 SDR 私有讀寫交易? 如果是,你能幫我提供示例/偽代碼嗎?
2023-04-10 08:36:34
是 VDD_PCIE_DIG_1P8_3P3引腳——我們在定制板中將其設置為 1v8。但是,MEK 板使用 3v3。定制板i.MX8QXP-MEK VDD_PCIE_DIG_1P8_3P3電壓變化是否也需要更改設備樹?PHY 鏈路問題是否是由模塊和處理器之間的阻抗不匹配引起的?
2023-04-03 06:31:15
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