三星近年來在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域持續(xù)投入，并力爭在先進制程技術(shù)上取得突破。然而，據(jù)韓媒報道，三星在3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決，這對其在市場上的競爭力構(gòu)成了一定的挑戰(zhàn)。 據(jù)百能云芯電子
2024-03-11 16:17:05
107 從延長便攜式設(shè)備電池壽命，到提高處理效率和響應(yīng)能力，瑞薩的40納米MCU技術(shù)正在重新定義嵌入式系統(tǒng)的可能性。
2024-03-11 15:11:51135 1. 傳三星挖臺積電墻腳 將拿下Meta AI 芯片代工訂單 ? 三星晶圓代工事業(yè)緊追臺積電之際，傳出三星再挖臺積電客戶，有望拿到Meta下世代自研AI芯片代工訂單，將采2奈米制程生產(chǎn)，成為三星
2024-03-08 11:01:06550 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 趨勢，半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加速向更先進的10納米第四代（1a）和第五代（1b）版本的過渡。
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示會上，美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00249 ，臺積電和三星已經(jīng)推出3納米制程芯片，而英特爾則剛剛實現(xiàn)了5納米制程。然而，這一決定表明英特爾有意在制程技術(shù)領(lǐng)域迎頭趕上，計劃在未來幾年內(nèi)推出更為先進的1.4納米芯片。這一制程技術(shù)的推進將是英特爾為實現(xiàn)2025年之前進入2納米芯片生產(chǎn)
2024-02-23 11:23:04172 臺積電預(yù)期，目前營收總額約 70% 是來自 16 納米以下先進制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻在未來幾年漸增，比重將會繼續(xù)增加，預(yù)估未來成熟制程技術(shù)占營收總額將不超過 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室，以加強其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實驗室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:01362 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:46324 三星電子近日宣布，已在美國硅谷開設(shè)一個新的研發(fā)（R&D）實驗室，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實驗室將由三星的Device Solutions America（DSA）運營，并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動。
2024-01-29 11:29:25432 臺積電是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè)，也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶，并計劃在上半年實現(xiàn)第二代3納米GAA架構(gòu)制程的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-01-22 15:53:26324 按工藝來看，3 納米制程產(chǎn)品占當(dāng)期銷售額的 15%，5 納米產(chǎn)品占比達到了 35%，而 7 納米產(chǎn)品則占據(jù)了 17%；整體上看，先進制程（包括 7 納米及以上）銷售額占總銷售額的比重達到了 67%。
2024-01-18 14:51:58389 
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25109 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387 近期，韓國主要的半導(dǎo)體制造商三星電子曝出重大泄密案，員工和供應(yīng)商泄露了公司的重大技術(shù)信息，引發(fā)巨大經(jīng)濟損失。據(jù)悉，兩名涉事員工金某和方某已被當(dāng)?shù)貦z方起訴，他們涉嫌在2016年向中國長鑫存儲（CXMT）透露了三星集團18納米DRAM制程秘訣。
2024-01-04 09:54:37290 根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格，漲幅預(yù)計將達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872 近期，全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲，漲幅預(yù)計達到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%，不及3D TLC NAND約10%；
2024-01-03 10:46:21549 有個問題請教一下：在靜態(tài)測量的情況下，兩軸的加速度計在測得X、Y軸上的加速度后，是不是就可以根據(jù)這兩個值和重力加速度g算出Z軸方向的加速度，這樣的話XYZ三個方向的角度也可以推導(dǎo)出來。不知道我這種理解的問題在哪里？如果實這樣的話那么三軸加速度計有什么優(yōu)勢。
2023-12-29 06:06:29
這場糾紛始于2016年，當(dāng)時臺灣聯(lián)華電子與福建晉華簽署了一項技術(shù)合作協(xié)議，旨在協(xié)助晉華開發(fā)32納米DRAM相關(guān)制程技術(shù)。
2023-12-25 16:38:53456 受美國對高端設(shè)備出口限制影響，中國大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計2027年在此類制程上產(chǎn)能達到39%。
2023-12-15 14:56:35337 請問一下電機的星三角啟動是不是降低電機的啟動電流的啊，還是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
隨著全球電子產(chǎn)業(yè)向更高精尖領(lǐng)域發(fā)展，臺積電和三星這兩個行業(yè)龍頭無疑成為爭奪下一個巔峰的選手。據(jù)悉，這兩家公司均打算在2025年商業(yè)化量產(chǎn)他們各自的2納米工藝芯片生產(chǎn)線。盡管臺積電已經(jīng)贏得了蘋果、英偉達等知名廠商的支持
2023-12-12 15:33:35303 據(jù)報導(dǎo)，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產(chǎn)在線導(dǎo)入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，該公司認(rèn)為即使沒有光罩護膜也可以進行內(nèi)存量產(chǎn)。
2023-12-05 15:09:01491 三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:37362 三星去年6月底開始量產(chǎn)第一代3納米GAA（SF3E）制程，這是三星首次采用全新的GAA架構(gòu)晶體管技術(shù)。第二代3納米制程3GAP（SF3）將采用第二代MBCFET架構(gòu)，在第一代3納米SF3E的基礎(chǔ)上進行進一步優(yōu)化，預(yù)計將于2024年開始量產(chǎn)。
2023-12-04 15:49:59260 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計算機。
2023-12-01 10:33:451052 
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 DRAM制造技術(shù)進入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 
三星正在加速進軍擴展現(xiàn)實（XR）市場。三星電子與三星顯示已開始合作開發(fā)OLEDoS（OLED on Silicon）。
2023-11-21 18:23:11768 當(dāng)年蘋果推出第一代iPhone后，iPhone芯片一直是由三星代工，但2016年iPhone 7開始三星卻被臺積電取代，由臺積電擔(dān)任獨家代工廠。這些年來三星晶圓代工事業(yè)的4納米制程無論在芯片效能及良率上都落后臺積電一大截，導(dǎo)致許多大客戶都投向臺積電懷抱。
2023-11-20 17:06:15680 當(dāng)年蘋果推出第一代iphone后，iphone芯片一直由三星生產(chǎn)，但從2016年iphone7開始被三星電子取代，由臺積電擔(dān)任獨家生產(chǎn)工廠。近年來，在三星晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，4奈米制程在半導(dǎo)體效率和數(shù)量上大大落后于臺積電，使許多顧客進入臺積電的懷抱。
2023-11-17 10:00:11514 有報道稱amd將利用4納米技術(shù)將部分生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到三星，但具體交易規(guī)模尚未公開。新報道稱，amd可能會使用三星vender工廠測試三星vender或部分i/o芯片，但根據(jù)目前的報告，amd不可能在三星4納米內(nèi)生產(chǎn)主要ip。
2023-11-13 11:16:36457 西門子電機繞組重繞后，星三角啟動角型切換時跳空開，電機保養(yǎng)廠商說可能線圈繞組順序換了，只要把線圈首尾端換后就能啟動，西門子電機有這種現(xiàn)象，有誰遇到過這種情況嗎？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958 TrendForce統(tǒng)計，28納米以上的成熟制程及16納米以下的先進制程，2023～2027年全球晶圓代工產(chǎn)能比重約維持7比3。其中，中國大陸因積極擴增成熟制程產(chǎn)能，全球占比估自29％增至33％，臺灣則估自49％降至42％。
2023-11-02 16:04:0796 來源：滿天芯 編輯：感知芯視界 系列芯片，為全球首發(fā)以3納米生產(chǎn)的計算機中央處理器（CPU），業(yè)界分析由臺積電獨家代工，看好蘋果新品有望掀起換機潮，推升臺積電先進制程訂單動能持續(xù)強勁。 業(yè)界分析
2023-11-02 09:32:47278 10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來3年內(nèi)量產(chǎn)2納米制程
2023-11-01 15:07:53428 
在2023年2月在國際學(xué)會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:24136 三星在會上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合，2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:22370 三星電子在此次會議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram，目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗猓?b class="flag-6" style="color: red">三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計劃為一個芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 其中，2納米芯片的制程技術(shù)要求極高，需要采用全新的晶體管架構(gòu)、高精度材料和設(shè)備，同時對制程參數(shù)的精度和穩(wěn)定性要求更高，因此需要研發(fā)更加先進的制程技術(shù)。
2023-10-20 15:37:06317 GPS定位到三顆星為什么還不能實現(xiàn)定位？
2023-10-16 06:58:02
共聚焦光學(xué)系統(tǒng)為基礎(chǔ)，結(jié)合高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計和3D重建算法共同組成測量系統(tǒng)，能用于各種精密器件及材料表面的非接觸式微納米測量。能測量表面物理形貌，進行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深
2023-10-11 14:37:46
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 高通去年在驍龍高峰會公布年度5G旗艦晶片“驍龍8 Gen 2”是由臺積電4納米制程打造；前一代高通“驍龍 8 Gen 1”則由三星4納米制程生產(chǎn)，之后傳出散熱等問題，高通緊急推出升級版“驍龍 8＋ Gen 1”，并改用臺積電4納米制程。
2023-09-26 17:17:09943 在 20 世紀(jì) 60 年代，芯片制程技術(shù)還處于起步階段，當(dāng)時的制程尺寸達到了 10 微米。這種毫米級的制程技術(shù)雖然較為粗糙，但已經(jīng)為計算機和通信設(shè)備的小型化奠定了基礎(chǔ)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，科學(xué)家們開始研究如何減小制程尺寸，以提高芯片的性能和集成度。
2023-09-19 15:54:411612 三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 今天凌晨蘋果公司正式發(fā)布了蘋果15系列手機，很多網(wǎng)友會關(guān)注，蘋果15芯片是多少納米？蘋果15芯片幾納米的？按照發(fā)布上正式的解讀是，蘋果15芯片是3nm制程。便宜些的標(biāo)準(zhǔn)版iPhone 15芯片
2023-09-13 17:36:016407 
有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 的新世代車型會從2025年起陸續(xù)問世，這些車型將把未來十年的出行愿景在兩年后呈現(xiàn)在消費者面前，而寶馬集團也將隨著這些車型的推出進入一個全新發(fā)展階段。"
2023-09-05 16:51:11264 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 韓媒報導(dǎo)，三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等南韓晶圓代工廠近期產(chǎn)能利用率都僅介于40%至50%之間．因應(yīng)終端需求疲軟，上述三家南韓晶圓代工廠已決定關(guān)掉某些成熟制程設(shè)備電源，進行「熱停機」，凸顯晶圓代工成熟制程景氣持續(xù)低迷。
2023-08-22 16:19:28445 groq創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Jonathan Ross就此次合作表示：“groq的技術(shù)進步將通過保障ai出色性能的三星4納米晶片工程實現(xiàn)。”三星Foundry表示：“與groq合作表明，三星Foundry的技術(shù)可以進一步擴大ai半導(dǎo)體革新的可能性。”并表示將加快半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的多元化。
2023-08-17 10:31:52316 來源：經(jīng)濟日報 臺灣地區(qū)《經(jīng)濟日報》消息，臺積電近日宣布，為滿足先進制程技術(shù)的強勁市場需求，高雄廠確定以 2 納米的先進制程技術(shù)進行生產(chǎn)規(guī)劃。至此，臺積電將擁有三個2 納米生產(chǎn)基地。 據(jù)臺灣地區(qū)
2023-08-09 18:21:09640 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。 技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12744 
8月2日消息，據(jù)臺媒報道，臺積電2納米制程勁敵不只大家熟知的三星、英特爾，后面還有追兵，日本芯片國家隊Rapidus也計劃于2027年量產(chǎn)2納米芯片，搶臺積電客戶。 值得關(guān)注的是，英特爾上周財報會議
2023-08-02 11:39:00440 隨著制程工藝的進步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
1. 傳三星3 納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報道，盡管受NAND和DRAM市場拖累，三星電子業(yè)績暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個3nm芯片設(shè)計，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報告，當(dāng)季三星
2023-07-31 10:56:44480 目前，主流智能座艙SoC芯片已經(jīng)基本實現(xiàn)了10納米以下的制程，包括三星的V9、瑞芯微的RK3588M等采用8納米制程
2023-07-20 16:00:352073 臺積電公司目前正處于立法會前沉默期，對任何外部傳聞不予評論。據(jù)韓國經(jīng)濟新聞報導(dǎo)，特斯拉的新一代fsd芯片由三星以4納米工程生產(chǎn)，這將用于特斯拉3、4年后量產(chǎn)的硬件5 （hw 5.0）電腦。
2023-07-19 10:01:18473 三星電子公布了其在小于 3 納米（1 米的十億分之一）半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得競爭優(yōu)勢的技術(shù)路線圖。
2023-07-06 17:38:21921 
"三星代工一直通過領(lǐng)先于技術(shù)創(chuàng)新曲線來滿足客戶的需求，今天我們有信心，我們基于全門（GAA）的先進節(jié)點技術(shù)將有助于支持我們的客戶使用人工智能應(yīng)用的需求，"三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Siyoung Choi博士說。"確?？蛻舻某晒κ俏覀兇し?wù)的最核心價值"。
2023-07-03 10:15:41339 
三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級SF2工藝，以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-29 16:26:331270 IC設(shè)計業(yè)者表示，進入7納米以下先進制程世代后，晶圓代工報價愈來愈貴，臺積電7/6納米每片晶圓報價翻倍沖上近1萬美元，5/4納米約1.6萬美元，3納米更是逼近2萬美元，能有折扣優(yōu)惠的是最大客戶蘋果（Apple），或是規(guī)模夠大的訂單。
2023-06-27 15:53:00381 ，這個尺寸既可以盡量保 留圖片的信息以防止目標(biāo)檢測準(zhǔn)確率下降，又可以在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運算過程中很方便地通過 Max pooling 進行降采樣。經(jīng)過三層 Max pooling 后特征圖的大小為 20×40
2023-06-20 19:45:12
供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議，提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案，廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
Mini LED直顯正加速進入產(chǎn)業(yè)化商用階段。
2023-05-29 10:39:58740 
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ，廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
。競爭對手三星早與另一間GPU大廠AMD合作，將其圖形技術(shù)帶入到手機上，具備了硬件加速光線追蹤和可變速率著色功能。雖然首款產(chǎn)品Exynos 2200并不算很成功，但三星未來必然會延續(xù)這種做法，加深與AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03
基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn)，加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements，即“半定制化緊湊型超高帶寬DRAM”的簡稱。華邦電子次世代內(nèi)存產(chǎn)品營銷企劃經(jīng)理曾一峻在向《電子工程專輯》說明CUBE核心價值時表示，新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展
2023-05-05 11:07:44866 
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
相星三角變壓器，初級側(cè)Y連接，次級側(cè)三角形連接，如下圖所示。極性標(biāo)記在每個相位上都標(biāo)明。繞組上的點表示在未接通的端子上同時為正的端子。 星側(cè)的相位標(biāo)記為A，B，C，三角洲側(cè)的相位標(biāo)記為a，b，c
2023-04-20 17:39:25
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