3月20日，CFMS | memoryS 2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS 2024”）在深圳寶安前海·JW萬豪酒店隆重召開，本屆峰會以“存儲周期 激發潛能”為主題，匯聚了全球存儲產業鏈及終端應用企業
2024-03-22 13:34:37
34 自2021年起，西部數據及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協商陷入停滯，此后西部數據宣布，他們將逐步剝離受供應過盛所困的閃存業務
2024-03-06 16:57:07243 我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內存應該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設備。
我應該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。
2024-02-22 16:21:51612 NAND閃存作為如今各種電子設備中常見的非易失性存儲器，存在于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業存儲、數據中心、甚至汽車配件等應用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
我嘗試讀取閃存，并定義宏內存（地址）來讀取閃存。
#define MEM（地址）* ((uint32 *)（地址））
aa = MEM (0xa0008000)；bb=aa
；
但是不能讀取任何
2024-01-24 07:51:33
; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
你好，
我通過 vsCode 使用 ModustoolBox。 我已經成功地在 CYPROTO-063-BLE 套件上測試了我的程序。 為此，我必須調整那里的閃存。 現在我想在 CY8C6245 上
2024-01-22 06:42:24
在存儲容量和成本的權衡下，據報道，蘋果 iPhone 16 Pro 系列的1TB機型可能將采用QLC NAND閃存。這一決策意味著成本降低，但讀寫速度可能會受到影響。
2024-01-18 20:02:24818 IDC數據表明，傳統企業存儲系統中的全閃陣列同比下降5.5%，用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。
2024-01-03 10:43:18282 
華為在2023年第三季度全閃存（SSA）全球市場中表現出色，實現了驚人的增長，市場份額首次超越Dell，成為全球全閃存市場的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522 FLASH閃存是一種非易失性內存，閃存在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
2023-12-15 14:06:27419 據了解，在此次訴訟中，Temu 重申了此前提出的指控，指責 SHEIN 在市場上采取了不公平的行為，如大規模抄襲 Temu 自有的品牌設計、侵權以及濫用其市場支配地位等。
2023-12-14 15:07:13195 目前，Marvell以自主開發或外包的方式，為掌握nand閃存ic市場而展開競爭。因此，Marvell在企業市場上的運營受到了影響，Marvell正在縮小相關團隊。
2023-11-17 10:28:48362 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉整個閃存市場，穩定NAND閃存價格，并實現明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111212 8gu盤閃存顆粒壞了 可以自己換16g或者更大的閃存顆粒嗎
2023-11-01 06:47:37
工業閃存卡有很多種類，常見的有CF卡、SD卡、MMC卡、記憶棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
對閃存的整片擦除有兩種方法，操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除訪問保護。一般情況下使用的方法是操作閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）進行整片擦除，使用整片擦除函數
2023-10-20 08:21:03
中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優點，已成為廣泛使用在閃存上的結構。”目前主要用于數碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 在現代工業領域中，長度尺寸測量至關重要。無論是制造業、建筑業還是科學研究，準確測量長度都是保證質量和安全的基礎。為滿足多樣化的測量需求，如今市場上測量長度的工業儀器有許多種類型，本文介紹幾種常見
2023-10-11 14:34:04
首先，內存請求與閃存內存之間存在顆粒度不匹配。這導致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行刷新到CXL啟用的閃存，將導致16KiB的閃存內存頁面讀取、64B更新和16KiB的閃存程序寫入到另一個位置（假設16KiB的頁面級映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
電子發燒友網報道（文/周凱揚）在近期的閃存峰會上，一家由英國蘭卡斯特大學孵化的初創公司Quinas Technology獲得了創新大獎。他們展示了ULTRARAM，一個結合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統稱它們為STM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
電子發燒友網站提供《QSPI閃存的主機編程.pdf》資料免費下載
2023-09-14 11:08:49
0 電子發燒友網站提供《將SPI閃存與7系列FPGA結合使用.pdf》資料免費下載
2023-09-13 10:00:230 近日，由百易傳媒（DOIT）主辦的2023閃存峰會于杭州圓滿舉辦，2023閃存風云榜榜單同步揭曉，作為國內固態硬盤市場的領導者，憶聯繼榮登“2022閃存風云榜后”，再次獲得“ 2023年度十大固態
2023-09-13 08:10:01517 
片上閃存特性和系統框圖
? 存儲空間組織架構
? 用戶閃存
? 系統閃存
? OTP
? 選項字節
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預取
? 指令高速緩存
? 數據高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護和寫保護
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
閃存特性及參數一瞥? 多達64K字節空間 ，分成64個頁或16個扇區? 讀寫操作次數：多達10K次? 半字（16位）的編程時間：53.5μs （典型值）? 頁擦除和全部擦除的時間：20ms （最小值
2023-09-12 07:26:04
系統內閃存設備編程通常要求在閃存編程期間，不執行來自正被編程的設備的代碼。
這是一個問題，因為大多數系統使用單個大型閃存設備。
在這種情況下，必須將Flash編程例程復制到RAM中并從RAM執行
2023-09-01 11:10:08
電子發燒友網站提供《釋放所有閃存陣列的全部潛力.pdf》資料免費下載
2023-08-30 11:05:070 全閃存存儲的歷史性時刻到來！ Gartner最新數據顯示，2023年第一季度全球外部存儲市場同比增長0.5%；其中，全閃存陣列同比增長3.6%，市場規模超過非全閃存陣列，占整個外部存儲市場收入
2023-08-29 18:30:03204 
分析閃存控制器的架構，首先得了解SSD。一般來說SSD的存儲介質分為兩種，一種是采用閃存（Flash芯片）作為存儲介質，另外一種是采用DRAM作為存儲介質。我們通常所說的SSD就是基于閃存的固態硬盤
2023-08-29 16:10:09495 如何比較市場上不同品牌的安全光幕安全光柵？ ?現代工業化水平的提高，技術水平不斷增加，全國制造業領域對員工的工作安全上的要求逐年增加，安全光幕安全光柵廠家隨之興起。 ?面對市場上各種品牌的安全
2023-08-23 15:00:40259 
應用程序 : 本代碼是 FreeRTOS 任務的基本應用程序, 用于創建閃存 LED 任務 。
BSP 版本: M480系列 BSP CMSIS V3.04.000
硬件
2023-08-22 06:28:14
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 AMBA通用閃存總線（GFB）通過在系統和閃存之間提供簡單的接口，簡化了子系統中嵌入式閃存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器側和下級側之間的邊界上，如圖1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業級數據存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中國企業級存儲市場跟蹤報告》，報告顯示，中國企業級數據存儲市場銷售額同比增長3.45%至70.14億元，全閃存儲銷售額15億元，市場占比25%，混閃存儲銷售額38
2023-08-07 11:10:02327 在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優勢以及在不同領域中的應用。
2023-08-01 11:15:471559 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術，但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產品而開發的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102 UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲的閃存標準，而不是內存標準。它是一種閃存存儲技術，用于移動設備和其他便攜式電子設備中的非易失性存儲。
2023-07-18 15:00:0313543 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內存電壓來存儲數據。
2023-07-12 09:43:211444 
RH850 - 數據閃存庫
2023-07-05 20:43:480 RH850 - 閃存代碼庫
2023-07-05 20:43:350 用于 Dialog SoC 產品的 Dialog 閃存
2023-07-03 20:35:200 PG-FP6，瑞薩閃存編程器用戶手冊附加文檔（連接閃存編程器的推薦電路）
2023-06-30 19:18:433 本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
電子發燒友網站提供《用于Arduino閃存的壓縮庫(PROGMEM).zip》資料免費下載
2023-06-19 10:58:290 本應用筆記介紹如何使用內置實用程序ROM擦除/寫入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數據閃存。此信息適用于帶可頁面擦除（PE）閃存的基于MAXQ7665閃存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
字節）。每一頁的有效容量是512字節的倍數。所謂的有效容量是指用于數據存儲的部分，實際上還要加上16字節的校驗信息，因此我們可以在閃存廠商的技術資料當中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收購Intel NAND閃存業務重組而來的Solidigm，就發布了一款QLC閃存的企業級產品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內置閃存？如果是，我們可以使用帶有內置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
你好
我們想將 Winbond QSPI Flash 與 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的閃存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 閃存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（華邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要為生產目的對 ESP8285 IC 進行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我打算在我的項目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對）。
我
2023-05-31 06:38:49
有沒有我可以加載到我的 ESP 中并讓它告訴我真正的閃存大小的程序/草圖？我有幾塊板可以正常工作，但后來我用相同的程序加載另一塊板，但它失敗了。我懷疑是假的或壞的閃存，但我沒有辦法證明這一點。
2023-05-30 09:16:50
我們在定制板上使用 imxrt1064，我們有一個外部閃存連接 flexspi1。
對于我們的項目，我們需要在外部閃存上存儲 lvgl 圖像和字體，因為片上閃存 (4MB) 的大小不夠
我們正在使用具有外部存儲選項的 gui guider 1.5.1 我們如何使用它來讀取和寫入外部閃存中的圖像
2023-05-30 07:50:00
我只是在思考未來的項目想法，我想知道是否有可能只對外部閃存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要兩個引腳用于數據傳輸，而不是像往常一樣的四個 Quad-SPI 閃存 IC )?
這樣做的好處是可以在軟件中使用兩個以上的 GPIO。一個缺點可能是由于與外部閃存的接口較慢而需要引入更多的等待狀態。
2023-05-30 06:30:10
在當今智能設備的互聯世界中，我們希望更快地訪問我們的數據，同時我們希望它得到保護并免受入侵者的侵害。閃存不僅速度更快，而且安全可靠，其化身為UFS - 通用閃存。此博客深入了解 UFS 設備的各種安全模式以及如何訪問它們。它還指出了如何使用加密來進一步保護數據。
2023-05-26 15:29:051757 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193 
電子發燒友網站提供《斯丹麥德應用案例|干簧傳感技術在電混動汽車市場上的應用.pdf》資料免費下載
2023-05-25 09:07:080 處理器：MIMXRT1062CVL5
外部閃存：W25Q512JV
我們正在創建一個使用 LVGL 庫在監視器上顯示 GUI 的項目，因此我們需要一個外部閃存來存儲大量數據。
特別是，我們
2023-05-24 07:34:02
我使用 RTD 包擦除寫入和讀取內部閃存。它在數據閃存上是成功的，但是當我將地址更改為代碼閃存時，寫入和讀取都失敗了。
然后我調試發現Register MCR->PGM在擦除后已經變成了1。但是我找不到它是在哪里改變的。
2023-05-19 08:41:05
我們想同時使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存，這兩個內核都有自己的內存區域，驅動程序目前支持這種情況嗎？
如果是這樣，我們可以研究任何參考或示例嗎？我們是否需要在應用程序中實現信號量或其他
2023-05-18 07:47:18
。
除了只有 512K 的閃存外，一切都很好。
正在運行的應用程序只留下 159K 的可用空間。
我以為我只需要編譯一個只做 OTA 的小應用程序，但沒有用戶代碼的 Arduino 框架本身是 300K
2023-05-17 08:29:00
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才會知道這個？
我正在為 EEPROMClass 編寫一個替換類，以在閃存扇區內進行磨損均衡。我還想編寫類來檢測而不是使用壞的 4 字節區域
2023-05-12 06:30:50
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內存？
2023-05-10 12:48:37
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生產日期以及品牌和型號信息。我在閃存上看到了 UID 信息。我認為這些信息（品牌、型號、生產年份等）我可以從閃存中讀取。是否可以？哪些地址存儲這些信息？
2023-05-05 06:39:19
無法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）讀取或寫入 MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒有發生，錯誤信息如下所示。
需要您的支持來解決這個問題
2023-04-28 06:20:00
我們正在考慮使用 MIMXRT1021 的新設計。我們正在尋找合適的閃存。它應該通過 Q-SPI 連接并且應該支持 RWW (ReadWhileWrite)。目的是能夠在執行時擦除/寫入 FLASH
2023-04-20 07:07:30
我的項目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數據塊，如 RM 所示。 所以我的應用程序在主閃存陣列 1 中運行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數據區。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
操作系統- Linux開發板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我們正在嘗試使用 GUI 閃存工具閃存示例代碼，但在 Linux 中出現“無法執行操作”之類的錯誤，并且在控制臺中打印“未配置閃存”。
2023-04-19 08:00:03
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們在閃存操作后恢復閃存控制器緩存。據我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
當我使用 PE 微型調試器在微控制器中閃存程序時，我們在 216 處收到以下錯誤 ieruntime 錯誤并且 GDB 已終止，因此我們無法在控制器中閃存程序。請解決問題
2023-04-17 06:03:53
眾所周知，鎧俠公司發明了NAND Flash。公司憑借其領先的三維（3D）垂直閃存單元結構BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設想并準備將SLC技術成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現在又從TLC遷移到QLC的行業參與者。
2023-04-14 09:17:03796 您好，我們正在使用 iMX RT 1021 MCU 設計定制板。由于此 MCU 沒有內部閃存，我們通過 MiMX RT1020 EVK 用于外部閃存接口的相同 SPI 接口使用 Microchip
2023-04-14 08:35:18
有什么方法可以添加閃存前和閃存后構建步驟嗎？對于我的系統，我必須向 ESP 發送一條特殊命令以將其置于引導加載程序模式，然后再發送一條命令使其真正啟動。除了正常的構建步驟之外，我似乎無法在 IDF 中找到任何用于增加構建步驟的文檔。誰能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
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2023-04-12 10:25:033 ，所以只剩下一個硬件問題：寫入 SPI 閃存時如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我將所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 標記為放置在 IRAM 中，但沒有任何幫助。每次我嘗試
2023-04-12 08:41:21
是否可以使用外部閃存繞過 C3FN4 或 C3FH4 中的內部嵌入式閃存？我的意思是作為指令（引導）閃存當然，不僅僅是數據閃存。
2023-04-12 06:15:17
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當我嘗試調試時出現以下錯誤閃存驅動程序 V.2 啟動失敗 - rc Ef(34)：初始化閃存超時。芯片初始化失敗 - Ef(34)：初始化閃存超時
2023-04-11 06:37:52
在SMT電子行業中，錫膏大多用于電子電路板SMT焊接的技術中，這樣的錫膏不僅要求焊接牢固，導電性好，無立碑，無虛焊等，還要求無殘留、絕緣阻抗性佳、環保；那么現在市場上什么錫膏品牌好用呢？在錫膏廠家
2023-04-10 17:44:261664 
我正在使用 LPC54608、LwIP 和 MCUXpresso IDE v11.7.0 SDK2_13。在我的項目中，我需要一個兩步引導加載，在第一步中，位于@0x000 閃存地址的引導加載程序
2023-04-06 06:49:13
我將在 LPCXPresso 7.9.2 版上運行的項目移植到 MCUXpresso 11.6。該項目正常運行，但是我在一個功能上失敗了。在此功能中，有時我僅在 RAM 中運行軟件并完全擦除閃存
2023-04-03 06:03:48
NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優點。它們的廣泛應用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產品，尤其是
2023-03-31 10:34:54382 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
我正在使用 S32K148 EVB 測試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個大小。是否有任何示例代碼可用于分區 D 閃存
2023-03-28 08:28:20
大家好，我正在從 MPC5744P 移植 MPC5775E 的啟動應用程序，所以首先我創建了一個使用 S32DS 閃爍 LED 的項目，我將 linker_flash.ld 中的默認閃存地址從
2023-03-24 07:28:05
程序會通過藍牙將.sb2文件下載到sdcard，然后booloader會讀取0xB000地址的AES密鑰，解密sdcard中的文件，最終將程序寫入flash 0xA000。我想知道在寫入閃存之前將 AES 密鑰存儲在哪里，我應該什么時候將它寫入閃存才能使整個更新過程安全？
2023-03-23 08:47:27
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認逐個扇區擦除閃存是可行且有效的，然后繼續我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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