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東芝計劃減產NAND閃存芯片30%
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減產有成效，Q4三星NAND Flash要漲價10%，加速存儲市場反彈
對NAND閃存以及DRAM減產。 ? 在今年第一季度財報中，半導體業務暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產”的承諾，表示將調整存儲芯片產量。經過半年多的減產等調控措施，從近期包括三星在內的多家存儲大廠的動作來看，存
2023-10-08 09:01:37
2444
2444NAND存儲種類和優勢
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1513
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三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216
216鎧俠提升NAND閃存產能利用率
據最新報道，全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產策略，并計劃在本月內將開工率提升至90%。這一策略調整反映出市場需求的變化和公司對于行業發展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35263
263鎧俠終止減產或致NAND芯片市場再動蕩
據統計，鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商，市場份額約為15%-20%，緊隨其后的是韓國的三星。面對之前NAND報價持續下跌的困境，鎧俠率先采取了減產策略，幅度達到了三成。
2024-03-05 09:23:51143
143什么是NAND 型 Flash 存儲器？
的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了 NAND Flash 結構,后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45158
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鎧俠NAND產能預計恢復90%，減產策略或面臨調整
2022年10月起，鎧俠已經減少了在日本四日市和北上市兩家工廠的NAND晶圓投片量達30%。截至目前，鎧俠NAND生產已恢復至原廠產能的兩成左右。
2024-03-01 13:53:55159
159鎧俠重啟減產評估，計劃增產電子設備閃存
至此之前，鎧俠曾于2022年10月宣布，因智能手機及電腦需求下滑，已對北上工廠（巖手縣北上市）以及四日市工廠（三重縣四日市市）的產出進行了削減，降幅達到了大約30%。
2024-03-01 09:10:54130
130Tech Talk：解讀閃存原理與顆粒類型
NAND閃存作為如今各種電子設備中常見的非易失性存儲器，存在于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器和智能手機存儲等器件。而隨著電腦終端、企業存儲、數據中心、甚至汽車配件等應用場景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418
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江波龍首顆自研NAND閃存問世
江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上。
2024-02-01 15:08:48361
361CS 創世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案
閃存技術，通常用于存儲數據，并且具有一些額外的安全特性。這種技術結合了 NAND 閃存的高密度存儲能力和安全性能。它通常用于存儲數據，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時具備保護數據免受未經授權訪問或篡改
2024-01-24 18:30:00
CS 創世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案
文章目錄介紹創世SD卡引腳與NORFlash存儲比較介紹SDNANDFLASH（SecureDigitalNANDFlash）是一種安全數字NAND閃存技術，通常用于存儲數據，并且具有一些額外的安全
2024-01-24 18:29:55373
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NAND芯片報價逐季上漲，盛景回歸
近半年來，NAND芯片的報價一路上漲，市場價格節節攀升，據市場傳聞，這一漲勢預計將在年底前持續，累計漲幅甚至有望高達六成，這對于存儲芯片廠商來說，將是一場喜人的利潤盛宴。 經歷了2022年下
2024-01-24 15:24:53152
152正點原子emmc和nand的區別
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動設備（如智能手機和平板電腦）提供了一種高性能的存儲解決方案。它包括一個閃存控制器、一個NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
597什么是SD NAND存儲芯片? SD NAND與TF卡的區別
什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質上的區別。
2024-01-06 14:35:57861
861
什么是SD NAND存儲芯片?
和NAND閃存芯片，支持 ECC (Error Correcting Code) 算法和壞塊管理，能有效地降低數據丟失的風險。
高速讀寫：SD NAND的讀寫速度比硬盤慢，但通常比SD卡和SPI
2024-01-05 17:54:39
東芝暫時關閉NAND閃存工廠！
1月4日消息，據外媒報道，日本的7.6級地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時關門，受影響的公司包括東芝、環球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。
2024-01-05 09:51:57189
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提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術
增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發生變化。這是因為支持傳統高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間，新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243
243
【MCU】SD NAND芯片之國產新選擇
：
大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項目需要保存900M以上字節，nand flash 比較貴。或者有什么便宜的存儲芯片提供。謝謝！
傳統做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
簡單認識閃速存儲器
器 （NAND Flash)。閃存器于1980 年由在東芝工作的日本工程師 Fujio Masuoka 發明并獲得 1997 年 IEEE 的獎勵。1988 年 Intel 發布了最早的或非閃存器產品
2023-11-23 09:36:17909
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NAND Flash終于漲價了，2021年來首次
盡管需求復蘇仍然緩慢，但減產推動了價格上漲。由于無法承受虧本銷售，供應商已將減產幅度擴大到低于成本的水平。事實上，據報道三星電子將在明年上半年將 NAND 產量削減幅度擴大到 40% 至 50%。
2023-11-22 17:25:45825
825CS創世SD NAND的存儲芯片應用方案
前言:
很感謝深圳雷龍發展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設計。
深入了解該產品：
拿到這個產品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
NAND出貨減少，拖累鎧俠Q3營收大減38%
鎧俠公司為應對存儲芯片價格的持續下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335
335存儲芯片價格上漲已從DRAM擴大到NAND閃存 明年上半年預計上漲超過10%
但是，存儲芯片大企業的價格已經出現上漲跡象。還有外電報道說，已經從dram開始的存儲器價格上升趨勢正在擴大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487
487東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459
459東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備
2023-11-09 15:19:57663
663
三星閃存每個季度都要漲價20％
在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協因需求嚴重疲軟而采取了大規模減產措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產計劃后延長了減產計劃。
2023-11-03 12:14:35538
538三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設備
據業界2日透露，三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造，將目前正在生產的128段（v6） nand閃存生產線擴大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設備，并向業界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:031140
1140三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預期有利群聯、威剛等運營
據多名半導體業界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調20%。三星電子正在努力穩定nand閃存價格，試圖在明年上半年逆轉市場。
2023-11-02 10:35:01523
523第四季度DRAM和NAND全面漲價，成本上漲約30%
從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲，這已經導致國內存儲器下游企業的閃存采購成本上漲了近20%，而內存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793
793中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權
中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優點，已成為廣泛使用在閃存上的結構。”目前主要用于數碼相機等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265
265三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產設備
三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:00832
832韓國NAND閃存芯片出口額恢復增長
據韓國貿易部16日公布的資料顯示，韓國9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲器半導體業界的另一個支柱——3.3354萬dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244
244有媒體報道稱，內存和閃存價格將分別上漲30%、20%
日前有媒體報道稱，受三星等存儲原廠減產以及國內閃存龍頭存儲顆粒產能不足的影響，內存和閃存元器件采購成本逐步上漲。
2023-10-16 11:13:05452
452兆易創新“一種NAND閃存芯片的測試樣本”專利獲授權
根據專利摘要，本發明實際公開了nand閃存芯片的測試樣本，測試樣本由多個相同的樣本區域組成，每個樣本區域包含多個相鄰的數據塊。相鄰的幾個數據塊會測試不同的擦除次數。在多個相同的樣本區域中，任意兩個相鄰的樣本區域之間的間隔預先設定相鄰數據塊的數量。
2023-10-13 09:47:33313
313
NAND Flash四季度漲幅預計10%以上
三星內部認為當前NAND Flash供應價格過低，計劃從今年四季度開始調漲NAND Flash產品的合約價格，漲幅預計在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818
818三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道，三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762
762NAND FLASH與NOR FLASH的技術對比
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468
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傳NAND Flash廠鎧俠擬裁員 鼓勵提前退休
避難是在智能手機、電腦、數據中心等使用儲存裝置“nand閃存”的企業，由于存儲器市場的需求減少，企業紛紛減產，因此預計到2024年以后需求才會恢復。
2023-09-22 10:13:24683
683DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲
據消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業正在密切關注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503
503三星再次減產，刺激DDR4價格上漲
主要專注于DDR4市場的公司，如南亞科（2408）和華邦電（2344），有望從中受益。 在上半年，由于存儲市場不景氣，三星已經采取了減產措施，涵蓋了NAND Flash和DRAM領域。下半年，三星計劃繼續減產DRAM，特別是DDR4，以期在今年年底之前將DDR4存貨水平調
2023-09-15 17:42:08996
996NAND Flash第四季價格有望止跌回升，最高上漲5%
業內人士說：“nand閃存價格將比dram快反彈”，“nand閃存供應商們的赤字繼續擴大，因此銷售價格正在接近生產成本，供應商們為了維持運營，擴大減產，價格停止下跌，反彈率領的”。
2023-09-11 14:56:17508
508
NOR Flash價格持續走低，三星NAND減產有望利好
業界認為，三星電子的減產可能會帶來3d nand價格上漲的效果，從而可能會改變nor、slc nand的購買戰略。美國外國人認為，slc nand和nore產品第四季度不會上調價格。
2023-09-11 11:35:04953
953淺析NAND閃存工藝
閃存芯片是非揮發存儲芯片，廣泛用于電子產品，特別是如數碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動電子產品的存儲應用。
2023-09-11 09:32:31833
833
存儲芯片減產，AI芯片暴增！
來源：電子工程專輯 編輯：感知芯視界 過去近兩年來，受消費電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產業游進入庫存過剩、訂單減少、價格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、鎧俠等存儲芯片大廠紛紛減產
2023-09-08 10:36:16442
442三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存
三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281
281三星將于2024年量產超300層3D NAND芯片
最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:05997
997中國大陸存儲器模組廠暫停報價，NAND或調漲8~10%
消息人士補充說：“盡管nand閃存價格上漲，但中國存儲器模塊企業最近停止了價格供應和訂單。預計不久就會上調價格，因此模塊企業計劃將價格上調8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285
285三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產
三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為，三星的nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中，由于市場持續低迷，三星電子正式公布了存儲器減產計劃。
2023-08-16 10:23:58422
422NAND存儲芯片廠商掀起減產浪潮
由于長期nand型需求沒有得到恢復，鎧俠將在日本巖手縣其他場建設的生產工廠的啟動時間從當初的2023年推遲到了2024年以后。另外，成套設備的交貨也在推遲。
2023-08-14 10:06:52283
283SD NAND FLASH : 什么是pSLC?
使用壽命。該芯片幾乎達到了協議的最高理論速度（25MB/s），連續讀取最高速度可以到達20.6MB/s,連續寫入最高速度可以達到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件傳輸時無論是大文件還是
2023-08-11 10:48:34
SK海力士發布全球首款321層NAND！
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:47704
704140億美元！東芝收購案新進展
據悉，此次要約收購將持續30天，直至9月20日，在此期間，JIP牽頭的財團計劃收購東芝4.32億股股票中的至少三分之二。收購要約價格為32.54美元，總價高達140億美元。
2023-08-08 15:30:331087
1087傳感器企業羅姆將出資 3000 億日元聯合收購東芝
人民幣），東芝董事會已批準要約并向股東提交退市計劃。 據日經報道，日本芯片制造商羅姆公司在周二的董事會上宣布，將向 JIP 牽頭的財團提供總計 3000 億日元的資金，用于擬議收購東芝。 據稱，如果收購成功，該公司將向 JIP 領導的投資基金投資 1000 億日元，還將購買為收購而設立的關聯公司發行的 200
2023-08-03 18:35:10342
342pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365
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三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%
據《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762
762pSLC 閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790
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pSLC閃存的原理、優勢及應用
在當今科技時代，數據存儲需求急劇增長，NAND 閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優勢以及在不同領域中的應用。
2023-08-01 11:15:471559
1559
【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協議
官方網站：深圳市雷龍發展有限公司
目前雷龍發展代理的 SD NAND 已可在立創商城搜索到，其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實拍圖：
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根據官方文檔介紹，此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術的發展演變
對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態硬盤到數據中心，從企業固態硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應用領域和使用場景愈發多樣化，各種要求也隨之出現，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424
424
SSD價格還要繼續大跌：再降13％
據集邦咨詢最新研究報告，隨著原廠減產幅度持續擴大，實際需求依然不明朗，NAND閃存市場在第三季度仍將處于供過于求的狀態，SSD價格也將繼續走低。
2023-07-24 11:12:25916
916
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:21864
864蘋果閃存和固態硬盤的區別 固態硬盤為什么不建議分區
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術，但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產品而開發的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372102
2102NAND閃存加速度，推動Multi-Die驗證新范式
NAND閃存，所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來降低閃存的每位成本，同時創造出適用于各種應用的產品。閃存制造商還在積極展開研究，期望能夠擴展3D NAND閃存的垂直層數。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達到的最小節點，但開發者
2023-07-18 17:55:02486
486
各家3D NAND技術大比拼 被壟斷的NAND閃存技術
隨著密度和成本的飛速進步，數字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領域并非如此，與半導體行業的其他產品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203
1203
三星：2030年3D NAND將進入1000層以上
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744
1744美光宣布減產至30%!
美光稱，2023 年的行業需求預測目前較低，但整個行業供應量的大幅減少已開始穩定市場。去年 11 月份，美光宣布將存儲芯片減產 2 成。財報內容顯示，美光專注于庫存管理和控制供應，近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%，預計減產將持續到 2024 年。
2023-06-30 15:01:32332
332
美光加大減產力度至30% 減產將持續至2024年
美光公司表示，雖然2023年業界需求預測還處于較低水平，但業界整體供應量大幅減少正在穩定市場。去年11月，美光公司宣布將存儲器半導體減產20%。據業績內容，美光公司致力于庫存管理和供應調節，最近將dram和nand晶片的開工率減少了近30%，并預測減產將持續到2024年。
2023-06-30 11:05:27329
329NAND芯片是用于哪些領域 NAND和SSD的區別
閃存存儲設備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、內存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495198
5198開放NAND閃存接口ONFI介紹
本文轉自公眾號,歡迎關注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325865
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淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內，容納更高的存儲容量，從而有效節約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727
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SK海力士宣布量產世界最高238層4D NAND閃存
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492
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NAND閃存特點及決定因素
內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001982
1982今日看點丨三星醞釀 NAND 存儲晶圓漲價；臺積電先進封測六廠正式啟用
1. 消息稱三星醞釀 NAND 存儲晶圓漲價，報價漸趨強硬 ? 據報道，三星計劃提高 NAND 晶圓價格。此外，如果消費電子市場需求在下半年改善，NAND 晶圓合約報價或將回升。報道稱，韓國
2023-06-09 12:01:041114
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QLC閃存 D5-P5430的基本規格、性能表現
SK海力士收購Intel NAND閃存業務重組而來的Solidigm，就發布了一款QLC閃存的企業級產品P5-D5430，可以說是QLC SSD的一個代表作。
2023-06-09 10:41:43489
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SK海力士量產世界最高238層4D NAND閃存
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎，開發了智能手機和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產品，并于5月開始批量生產。該公司通過176層、238層的產品，在成本、性能、品質等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:531564
1564請問ESP8285芯片(Soc) 是否帶有內置閃存？
ESP8285 芯片（Soc）是否帶有內置閃存？如果是，我們可以使用帶有內置閃存的 ESP8285 芯片（Soc）通過 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
三種不同的存儲芯片性能比較
為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788
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如何將引導加載程序預刷到外部閃存芯片？
時下載最新的固件。
然后，OTA 引導加載程序將由分銷商閃存到芯片上（digikey 對此報價為每個芯片約 0.15 美元......但可能會繼續尋找更便宜的......）所以我們將通過卷軸收到
2023-05-29 08:21:45
NAND閃存 – 多芯片系統驗證的關鍵元件
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031193
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如何在帶有spi的iMX RT 1052上使用NAND閃存？
我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過 NAND FLASH。
因為我試圖將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒有看到任何關于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
GD25Qxx芯片解讀
NORFlash是一種非易失閃存技術，是Intel在1988年創建。NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240
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MCU Boot Utility是否支持此串行NAND？
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動。我們選擇了RT1050參考手冊中提到的這個NAND flash。我還附上了數據表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
8倍密度，像做3D NAND一樣做DRAM
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會上，除了鎧俠、SK海力士、長江存儲、三星等大廠所做的技術分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創企業。這是一家專為NAND閃存和DRAM內存開發創新架構的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982
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imx28無法從NAND啟動并進入USB恢復模式怎么解決？
- 我的任務是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
如何啟動IMX6ULL NAND閃存？
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND Flash的最大尺寸是多少？
大家好， 我們計劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少？ 根據手冊，它表示支持每個區域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
什么是3D NAND閃存？
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147
2147XIP是否通過QSPI支持NAND閃存？
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
工商網監
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