【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361028 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術,據官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術,相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。英飛凌科技股份公司的 CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,使得臺達電子 向著 利用綠色電力實現能源轉型和碳中和
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
`1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2. IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以
2018-08-27 20:50:45
。因此,對于硬開關MOSFET應用而言,體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說,IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應用匹配,具有較低正向傳導損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat
2021-06-16 09:21:55
1、由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但耐壓能力沒有IGBT強?! ?、IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到
2020-06-28 15:16:35
MOSFET是開關電源中的重要元器件,也是比較難掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC軟開關的設計中,對于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透徹了,也就應用自如了。本文會從理論上
2018-07-12 11:34:11
和微電子電路相當。新一代功率器件的制造技術已進入亞微米時代?! ∽鳛楣β?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 來說,有兩項參數是最重要的。一個是RDS(ON),即通態時的漏源電阻。另一個是QG,即柵極電荷,實際即柵極電容。柵極電容
2019-06-14 00:37:57
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思?
2017-12-05 10:03:10
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到
2019-03-06 06:30:00
開關MOSFET中的噪聲(STGF20NB60S)以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
硬開關開斷和接通時,開關上同時存在電壓和電流,有損耗是什么原因?是開斷是損耗大,還是接通時損耗大?
2015-04-16 14:55:12
導讀:日前,TDK公司宣布推出新一代PCB基板式開關電源--CUT75系列產品。CUT75系列新品是伴隨著市場對更輕薄、更高效率,更高性價比的三路輸出開關電源的需求而問世,為客戶系統的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代HQV視頻處理器能否改善低質量視頻?
2021-06-08 06:29:55
新一代PON以及云數據中心的未來
2021-06-07 06:30:00
由于集成的功能不斷增多以及外形尺寸的日益縮小,最新一代功能豐富的更小型便攜式設備將使電源管理設計發揮關鍵作用。
2019-11-06 07:26:01
新一代軍用通信系統挑戰
2021-03-02 06:21:46
MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT.與最佳競爭產品和前代產品相比,該器件具有Eoff較小的特性。總之,新器件使得FS IGBT更適用于不需要高性能反向并聯二極管的軟開關應用。
2018-09-30 16:10:52
新一代納秒級高帶寬仿真工具平臺——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代網絡分析儀是指什么?它具備哪些特性?安捷倫新型PNA-X網絡分析儀怎么樣?有哪些功能?
2021-04-15 06:39:43
新一代視頻編碼器怎么樣?
2021-06-02 06:39:01
新一代視頻編碼標準H,264/AVC有哪幾種關鍵技術?
2021-06-03 06:33:58
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數字-模擬轉換器(DAC)的架構,專注于設計用于消費電子應用中提供高電壓線驅動器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發工作。 與OptiMOS?3技術直接比較,結果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態電阻RDS(on),還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
并且開關速度快的IGBT,英飛凌公司開發的第四代IGBT—T4能很好地滿足這一要求,本文主要介紹T4芯片及其在軟開關逆變焊機中的應用。關鍵詞:IGBT, T4, 軟開關,逆變焊機 中圖分類號
2018-12-03 13:47:57
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
ADR421超精密,低噪聲,2.048 Vout XFET電壓基準的典型應用,有利于開爾文連接。 ADR42x是一系列超精密,第二代額外注入結FET(XFET)基準電壓源,具有低噪聲,高精度和SOIC和MSOP封裝的出色長期穩定性
2020-05-22 11:59:17
ARK推出新一代250V MOS器件 近日,成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.,簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產品,包括N型
2011-04-19 15:01:29
,新一代基站設施成為二者競爭的焦點,同時Femtocell的發展潛力也吸引了FPGA和DSP廠商?! ★w思卡爾是第一個向市場推出商用四核心DSP的廠商。飛思卡爾現在在市場上主推的產品是第二代四核DSP
2019-07-19 06:10:44
的狀態,導致LLC的MOSFET硬開關,典型波形如下,可以看到上管(HVG)打第二個PWM時對應的諧振腔的電流相位是不對的。 再來看過載/短路時,LLC工作在容性模式的情況,先看一張DC gain對應的容
2016-12-12 15:26:49
LXI新一代測試自動化平臺
2019-10-12 15:01:42
MIMO:新一代移動通信核心技術
2020-07-17 16:38:06
新一代高級限幅ML8000高級限制器是下一代限制器技術,采用兩個完全獨立的處理階段,顯著改善峰值水平調整。ML8000 8波段的處理很容易從響應圖、下面的大增益衰減器和方便的閾值標記對準每個波段
2020-01-04 16:43:33
東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間,包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關,以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。
2019-08-02 08:07:22
PLC新一代超小型控制器(LOGO!)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
。此外,為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。在這種背景下,ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發出在Nch
2021-07-14 15:17:34
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on),同時具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
如何進行超快I-V測量?下一代超快I-V測試系統關鍵的技術挑戰有哪些?
2021-04-15 06:33:03
` 智能時代的到來,推動了更多的智能產品的誕生。云溫控器是中央空調溫控器的新一代產品,這種產品帶領中央空調走進了新高度,打開了智能家居智能智能溫控面板的大門,春泉云溫控器擁有先進的云技術,采用云端
2016-02-18 10:46:03
由米勒電容引起的寄生導通效應,常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應,在硬開關變流器的柵極驅動設計中,通常采用負柵極電壓關斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET
2023-02-27 13:53:56
快充及電源適配器通常采用傳統的反激變換器結構,隨著快充及PD適配器的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求,傳統的硬開關反激變換器技術受到很多限制。采用軟開關技術工作在更高的頻率
2018-06-12 09:44:41
分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管(BJT)/第二個場效應晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數情況下,使用全面集成的負載開關具有更顯著的優點。系統中的負載開關在哪里一
2018-09-03 15:17:57
分享一款不錯的基于數字信號處理器的新一代車載娛樂系統解決方案
2021-05-17 06:07:53
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2021-05-15 15:24:55
國內第一顆量產超結MOS(可替代英飛凌coolmos)大家好!我司是國內專業設計大功率MOS器件的公司?,F我司已經實現了SJ-MOS的量產,可替代英飛凌的coolmos。這是我公司的網址
2011-01-05 09:49:53
兩款模塊分別采用下面兩項開關技術:3 A PowerMESH IGBT (STGIPQ3H60x)和 3 A 超結MOSFET(STIPQ3M60x)?! ?電機驅動應用和硬開關換流 電機控制的主要
2018-11-20 10:52:44
1、引言隨著科學技術的發展和社會的進步,移動通信技術正在經歷著日新月異的變化。當人們還在研究和部署第三代移動通信系統的同時,為了適應將來通信的要求,國際通信界已經開始著手研究新一代的移動通信系統
2019-07-17 06:47:32
【導讀】傳統電源領域幾乎全是模擬技術的地盤,然而,隨著數字技術的進展,數字電源的諸多好處獲得實現,因此廠商紛紛投入。數字電源取代模擬電源是必然的市場趨勢,TI基于UCD3138 的高整合度新一代
2018-09-29 17:18:54
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?,F在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法,以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場效應晶體管)是切換負載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結型晶體管(BJT)/第二個場效應晶體管)圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
新一代數據中心有哪些實踐操作范例?如何去推進新一代數據中心的發展?
2021-05-25 06:16:40
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結溫,是一個不可或缺的過程,功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
自動化測試系統的設計挑戰有哪些?如何去設計新一代自動化測試系統?
2021-05-11 06:52:57
如何確保新一代車載網絡的性能和一致性?
2021-06-17 11:17:17
合肥發布新一代新能源客車管理系統——e控系統,搭載e控系統的安凱第五代純電動客車同時亮相。其中超酷超炫的安凱12寸液晶中控屏更是吸引了足夠眼球,其擬物化的人機界面,所見即所得的操作交互,徹底顛覆了傳統
2014-09-30 17:01:46
。 特別是,封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中,英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑;一個用于
2018-10-08 15:19:33
將音頻編解碼器整合進新一代SoC面臨哪些技術挑戰?如何去實現呢?
2021-06-03 06:41:10
德州儀器(TI)推出新一代KeyStone II架構
2021-05-19 06:23:29
` 你的HTPC體積是不是臃腫碩大、外觀平庸?是不是低端入門平臺、性能低下?是不是功耗幾百瓦耗電巨大?通宵下載時散熱不良、噪音煩人?… 全新一代家用娛樂HTPC神器:超迷你電腦立人Mr.NUC,幫你
2015-06-25 09:47:32
斯巴魯近日宣布將從明年起運用其新一代EyeSight安全系統,并在10月2日首先透露了新一代產品的細節。
2020-08-26 07:28:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
發光二極管(LightEmittinDiode,LED)作為新一代固態光源,具有壽命長、高效節能、綠色環保等眾多優點,被廣泛地
2012-11-15 14:14:36
軟件無線電的基本結構是什么?新一代SOPC的特點是什么?基于新一代SOPC的軟件無線電資源共享自適應結構
2021-05-07 06:17:33
、PiN二極管和超結二極管;功率開關管主要包括金屬氧化物半導體場效應開關管(MOSFET)、結型場效應開關管(JFET)、雙極型開關管(BJT)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、門極可關斷晶閘管(GTO
2023-02-20 15:15:50
有哪位專家來解答一下電路板新一代清洗技術主要有哪幾種?它們分別有什么特點?
2021-04-20 07:14:41
性和低噪聲特征,超級結MOSFET有一些變化。從下篇開始,將介紹每種變化的特征。關鍵要點:?Si-MOSFET的產品定位是“以低~中功率高速工作”。?超級結結構可保持耐壓的同時,降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
等級,同時,在器件導通時,形成一個高摻雜N+區,作為功率MOSFET導通時的電流通路,也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開,分別設計在不同的區域,就可以實現上述的要求。基于超結
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是, CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領先的高壓超級結功率MOSFET,可以視作英飛凌不斷創新的工匠精神和數年沉淀的行業經驗的集大成之作。作為業內領先的超結
2017-04-12 18:43:19
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET,損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代,現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
驪微電子供應超結功率mos SVSP14N65FJHE2,可廣泛應用于適用于硬/軟開關拓撲,是士蘭 微mos代理商,提供產品詳細參數及樣品申請。>>
2022-05-18 15:26:23
SVS11N60FJD2 士蘭微國產超結mos,可廣泛應用于適用于硬/軟開關拓撲,驪微電子是士蘭微mos代理商,提供產品詳細參數及樣品申請。>>
2022-08-30 15:57:55
供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高壓超結mos管,適用于硬/軟開關拓撲,照明,適配器等領域,更多產品手冊、應用料資請 向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:06:39
NexFETTM:新一代功率 MOSFET
對于理想開關的需求
功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調變 (PWM) 應用中的電氣開關,例如穩壓器及/或控制電源應用之中負載電流的開關
2010-02-06 09:16:011437 近日英飛凌擬收購ST半導體的消息受到廣泛關注,作為全球功率器件老大,英飛凌日前發布的財報顯示強勁的增長,在全球MOSFET供應吃緊,價格飆漲的形勢下,英飛凌稱部分MOSFET產品交貨時間超過26周,最長達52周。
2018-08-06 11:25:414299 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列,旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:161651 IM69D128S基于PDM(脈沖密度調制)輸出的數字麥克風ASIC,樹立了520 μA電流消耗的新基準。這相當于市場上具有類似性能的可用型號的一半電流消耗量。
2023-02-14 11:25:35307 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出,標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑,為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球電力電子領域,英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134
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