N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。 在純凈的電子發燒友體中摻入五價元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導體。在N型半導體中
2016-10-14 15:11:56
N型半導體和P型半導體通過工藝做成PN結就是二級管。二極管只有一個PN結,為什么二極管型號要分N型二極管和P型二極管?二者有什么區別?謝謝![此貼子已經被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過]
2009-03-08 17:01:37
第一部分 晶體管的工作原理 N型場效應管(N-Channel Field Effect Transistor,FET)是一種電極介質驅動的晶體管,通常用來將微弱的輸入信號增強到數千或數萬次。其
2023-03-08 14:21:22
的選擇選型之前我們要清楚MOS管的原理:MOS管有兩種結構形式,即N溝道型和P溝道型,結構不一樣,使用的電壓極性也會不一樣,因此,在確定選擇哪種產品前,首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
壓,則會在氧化層下方形成空穴通道。增強模式 N 通道N 通道耗盡和增強類型的符號加工n溝道MOSFET的工作原理是假設大多數載流子是電子。電子在通道中的運動負責晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
P型MOS管開關電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導
2021-10-28 10:07:00
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 編輯
如題所示,我設計了一個用P型,N型mosfet管來控制電機的的電路,但是在我實際所搭的電路中,N型MOSFET管控制正常,G端高電平
2019-02-02 16:24:33
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
。需要說明的是,晶體管有很多種類型,每種類型又分為N型和P型,下面圖中的電路符號就是一個N型晶體管。 晶體管電路有導通和截止兩種狀態,這兩種狀態就可以作為“二進制”的基礎。從模電角度來說晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
場效應晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡稱為場效應管,是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導電,空穴和自由電子,但是對于一個實際存在的系統,其整體上是呈現電中性的,當其中的電子或者空穴移動形成電流時,與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動?
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述;然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設計的結果進行模擬。《晶體管電路設計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過電流,而IGBT是從P型的集電極向N型的發射極流過電流,也就是與雙極晶體管相同。因此,具有MOSFET的柵極相關的參數,以及雙極晶體管的集電極-發射極相關的參數。基本工作特性比較這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結構上MOSFET(以Nch為例)是相同N型的源極與漏極間流過電流,而IGBT是從P型的集電極向N型的發射極流過電流,也就是與雙極晶體管相同。因此,具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經集電極。這一集電極電流IC流經電阻RL,從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終,輸入電壓e被轉換(增幅)成ICRL電壓反映在輸出。※1:hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
之間)和發射結(B、E極之間),發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管,可根據電路的要求選擇晶體管的材料與極性,還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
能使晶體管的Ic隨之增大時(即(Vce-Ic*Rc)-Vb=常數時),我們就稱此晶體管“進入深飽和狀態”。此時,晶體管的基極電位為最高(此現象,對N-P-N晶體管而言。如果是P-N-P型晶體管,則只要
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管,而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個區(發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
很相似,兩者的區別主要是基區引出電極的區別(基極與源極和漏極)。晶體管把中間的一層(N區)當成一個電極引出稱為基極,其余上下兩層(P-P區)分別當發射極和集電極引出;而場效應管則是把基區當成一個導電
2012-05-22 09:38:48
P,N型晶體管H橋上橋發熱問題怎么解決
2013-05-12 22:59:18
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導...
2022-02-16 06:48:11
)的三層結構的Field-Effect Transistor(場效應晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
)的三層結構的Field-Effect Transistor(場效應晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
,使指針對準300 hFE刻度線上,然后轉動開關到hFE位置,將要測的晶體管腳分別插入晶體管測試座的ebc管座內,指針偏轉所示數值約為晶體管的直流放大倍數 值.N型晶體管應插入N型管孔內,P型晶體管應
2017-08-23 13:57:15
的不同,結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分紅耗盡型與加強型。結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有加強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和加強型;P溝耗盡型和加強型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
編輯-Z場效應晶體管是一種電壓控制器件,根據場效應管的結構分為結型場效應(簡稱JFET)和絕緣柵場效應(簡稱MOSFET)兩大類。按溝道材料:結型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據導電方式:耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類還沒結束,每種類型的管子又可分為N型管和P型管,所以說場效應晶體管下面可以分為6種類型的管子,分別是N溝道結型場效應晶體管、P溝道結型場效應晶體管、N溝道增強型場效應晶體管、P溝道增強型
2019-04-15 12:04:44
用NPN型功率晶體管擴流的CW200集成穩壓電源
2008-11-12 14:50:56
NPN晶體管的b處沒有電壓輸入時,c和e之間沒有電流流動,三極管處于截止狀態。在圖(b)中,當正電壓輸入到NPN晶體管的b時,e的N區的負電子被b中P區的正電子吸引。 由于發電廠的作用,它們沖向(擴散
2023-02-15 18:13:01
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中,兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉,使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設計
2012-08-20 08:29:56
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結型晶體管 雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導體三極管,它是通過一定的工藝將兩個PN結結
2010-08-13 11:36:51
路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型低通濾波器,帶隙型穩壓電路,三角波→正弦波變換器,低失真系數振蕩器,移相器,串聯調節器,斬波放大器等。 點擊鏈接進入舊版 :晶體管電路設計與制作
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述;然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。(2)夾斷電壓夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件,研制人員在為這種器件命名時,想到它的電阻變換特性,于是取名為trans-resister(轉換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
及其應用。
什么是晶體管
晶體管是電子設備。它是通過p型和n型半導體制成的。當半導體放置在相同類型半導體之間的中心時,這種排列稱為晶體管。我們可以說晶體管是兩個二極管的組合,它是背靠背連接的。晶體管是一種
2023-08-02 12:26:53
有一個圖表代表一個電路,其目的是根據微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個LED。在下面的電路中,據我所知,有兩個n型晶體管,它們分別有一個電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問題是:為什么需要標記電阻?(紅圈)
2018-08-21 10:35:11
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場效應晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類:雙極晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶體管的結構晶體管有三極:雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
編輯-ZMOS管7N60一般為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,或金屬-絕緣體-半導體。MOS管7N60的源極(source)和漏極(drain)是可以對調的,都是形成在P型背柵中的N型區。大多數
2021-12-01 16:39:41
二極管的管壓降0.5v左右,同樣也應該可以測得到電阻一般為幾千歐以內。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅動電路分析下面是常見的MOS管驅動電路(1)二極管D1的作用是什么?二極管D1在驅動信號是低電平時起到快速關斷的作用。一般在H橋驅動電路中需要加此二極管起到“慢開快關
2021-12-31 06:20:08
的區別。什么是PNP和NPN晶體管?晶體管是通過混合兩種不同類型的半導體而創建的:n型和p型。電子給體原子由n型半導體攜帶。而電子受體原子由p型半導體(空穴)攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
本文將重點討論使用雙極性結型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩定電流源。穩定電流源(BJT)目標本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產生穩定(對輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的規則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結點如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導電,故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強型MOS場效應管為例說明其工作原理。N溝道增強型MOS管的結構模型如圖1所示,它由兩個背靠背的PN結組成。 圖2是實際結構
2020-06-24 16:00:16
“步”。有兩種類型的步進電機,單極型和雙極型晶體管,而且知道你正在使用哪種類型是非常重要的。每種電機,都有一個不同的電路。示例代碼將控制兩種電機。看看單極性和雙極性電機的原理圖,和關于如何連接你的電...
2021-07-08 09:14:42
單結晶體管有一個PN結和三個電極,一個發射極和兩個基極,所以又稱雙基極二極管。其結構、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結晶體管的結構;b、等效電路;c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
,是另一種固態三端設備,可用于柵極脈沖、定時電路和觸發發生器,用于交流功率控制型應用中開關和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣,單結晶體管是由單獨的 p 型和 n 型半導體材料構成的,在器件的主導 n
2022-04-26 14:43:33
雙極型晶體管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下,基極-發射極結(稱這個PN結為“發射結”)處于正向偏置狀態,而基極-集電極(稱這個PN結為“集電結”)則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
放大,似于多路比較器的輸出,NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端,集電極共用一路上拉電阻連接至電源,如果多路比較器有一路導通,則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低,電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣?
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒有
2012-08-03 21:44:34
的,也有增強型的。 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。二、場效應三極管的型號命名方法 現行有兩種
2011-12-19 16:30:31
運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。場效應晶體管有哪幾種分類場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路,可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路,可選
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分,晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分,三極管有PNP和NPN兩種,而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極管,2
2012-07-11 11:36:52
場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
2009-04-25 15:38:10
。對于NPN,它是灌電流。 達林頓晶體管開關 這涉及使用多個開關晶體管,因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中,一個小輸入雙極結型晶體管(BJT)晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09
。場效應晶體管是防護電壓的一種,可以被制造為增強型或者耗盡型,P溝道或N溝道共四種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道場效應晶體管和增強型的P溝道場效應晶體管。實際應用中,N場效應晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
結型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型:NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型(正極)和N型(負極)半導體材料
2023-02-17 18:07:22
明原先假定是正確的。再次測量的阻值均很小,說明是正向電阻,屬于P溝道場效應管,黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現上述情況,可以互換紅黑表筆,按上述方法進測試,直至判別柵極爲止。普通結型效應晶體管的源極
2019-03-21 16:48:50
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
,LLC初級側電流ILr由次級側電流除以變壓器匝數比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端,而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內和繞組間電容的組合放電,從而實現晶體管導通的零
2023-02-27 09:37:29
我想做一個晶體管功放電路,但是不知道怎么選晶體管型,然后有有些型號multisim里面又沒有,怎么仿真?求高手解答
2013-12-18 12:36:20
特性,我們將首先從GaN器件驅動電路設計開始介紹。 正確設計驅動電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝,這會將器件的柵極閾值電壓轉換
2021-01-19 16:48:15
不導通。當UA>UG時,P1N1結正偏將發生空穴注入,P1N1P2N2結構開通,A-K間導通并出現負阻現象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似,區別僅在于:單結晶體管的負阻特性出現在E-B1之間,而
2018-01-22 15:23:21
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
場效應晶體管(Field Effect Transistor, FET)簡稱場效應管,是一種由多數載流子參與導電的半導體器件,也稱為單極型晶體管,它主要分型場效應管(Junction FET
2023-02-10 15:58:00
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
沒事看看了電力電子,看到這個原理圖,有點迷糊了,按圖所示,如果集電極C處為N型半導體,按照圖中來C極應該接負極才對呀?為什么還接正極?這樣如何導通?有沒有大神指導下GTR的雙晶體管模型是什么樣的?
2020-06-11 09:03:42
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保護的二極管必須選用快速恢復型二極管,以保證二極管能夠迅速反應得以保護晶體管。對于二極管的耐壓要求,一般其截止電壓為開關晶體管C-E間電壓的2倍。 2、RC阻尼電路 圖二 圖二中,在晶體管關斷
2020-11-26 17:26:39
是溝道區,n+區是漏區。對于p型TFET來說,p+區是漏區,i區是溝道區,n+區是源區。漏極電壓用Vd表示,柵極電壓用Vs表示,柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
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