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電子發燒友網>制造/封裝>電子技術>可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世

可在p型與n型間轉換的新式晶體管問世

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場效應晶體管相關資料下載

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。(2)場效應是利用多數載流子導電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極器件。(3)有些場效應的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51

場效應晶體管的比較

)場效應是利用多數載流子導電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極器件。(3)有些場效應的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
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場效應晶體管的比較

)場效應是利用多數載流子導電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極器件。(4)場效應能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應集成在一塊硅片上,因此場效應
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2009-04-25 15:38:10

基本晶體管開關電路,使用晶體管開關的關鍵要點

。對于NPN,它是灌電流。  達林頓晶體管開關  這涉及使用多個開關晶體管,因為有時單個雙極晶體管的直流增益太低而無法切換負載電壓或電流。在配置中,一個小輸入雙極結晶體管(BJT)晶體管參與打開和關閉
2023-02-20 16:35:09

如何判斷場效應晶體管方向,學會這幾步輕松搞定

。場效應晶體管是防護電壓的一種,可以被制造為增強或者耗盡P溝道或N溝道共四種類型,但實際應用的只有增強N溝道場效應晶體管和增強P溝道場效應晶體管。實際應用中,N場效應晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16

如何去使用絕緣柵雙極晶體管IGBT呢

IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極晶體管IGBT有哪些特點?如何去使用絕緣柵雙極晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06

常見發射極NPN晶體管的輸入和輸出特性

晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。前者是本次討論的重點。  雙極結晶體管的類型  BJT安排有兩種基本類型:NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P(正極)和N(負極)半導體材料
2023-02-17 18:07:22

揭秘場效應晶體管的使用訣竅,看完這里你就了然于胸

明原先假定是正確的。再次測量的阻值均很小,說明是正向電阻,屬于P溝道場效應,黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現上述情況,可以互換紅黑表筆,按上述方法進測試,直至判別柵極爲止。普通結效應晶體管的源極
2019-03-21 16:48:50

數字晶體管的原理

的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36

數字晶體管的原理

選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52

概述晶體管

晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合FET和MOS
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

,LLC初級側電流ILr由次級側電流除以變壓器匝數比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會傳遞到輸出端,而是需要對晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內和繞組電容的組合放電,從而實現晶體管導通的零
2023-02-27 09:37:29

求高手解答晶體管功放電路

我想做一個晶體管功放電路,但是不知道怎么選晶體管,然后有有些型號multisim里面又沒有,怎么仿真?求高手解答
2013-12-18 12:36:20

電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響

特性,我們將首先從GaN器件驅動電路設計開始介紹。  正確設計驅動電路  諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p摻雜工藝,這會將器件的柵極閾值電壓轉換
2021-01-19 16:48:15

程控單結晶體管的原理及特性

不導通。當UA>UG時,P1N1結正偏將發生空穴注入,P1N1P2N2結構開通,A-K導通并出現負阻現象。其過程及伏安特性與單結晶體管十分相似,區別僅在于:單結晶體管的負阻特性出現在E-B1之間,而
2018-01-22 15:23:21

縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區別

2000一5000(α=0.995-0.9998)。  是以P襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00

絕緣柵雙極晶體管檢測方法

絕緣柵雙極晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39

絕緣柵極雙極性晶體管經濟高效解決方案

絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。開關頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21

講解一下N溝道增強MOS場效應

場效應晶體管(Field Effect Transistor, FET)簡稱場效應,是一種由多數載流子參與導電的半導體器件,也稱為單極晶體管,它主要分場效應(Junction FET
2023-02-10 15:58:00

請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP晶體管呢?

請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49

請問GTR的雙晶體管模型是什么樣的?

沒事看看了電力電子,看到這個原理圖,有點迷糊了,按圖所示,如果集電極C處為N半導體,按照圖中來C極應該接負極才對呀?為什么還接正極?這樣如何導通?有沒有大神指導下GTR的雙晶體管模型是什么樣的?
2020-06-11 09:03:42

請問有沒有Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外更多晶體管模型下載?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯 請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56

防止開關晶體管損壞的措施

保護的二極必須選用快速恢復二極,以保證二極能夠迅速反應得以保護晶體管。對于二極的耐壓要求,一般其截止電壓為開關晶體管C-E電壓的2倍。  2、RC阻尼電路    圖二  圖二中,在晶體管關斷
2020-11-26 17:26:39

隧穿場效應晶體管是什么_隧穿場效應晶體管的介紹

是溝道區,n+區是漏區。對于pTFET來說,p+區是漏區,i區是溝道區,n+區是源區。漏極電壓用Vd表示,柵極電壓用Vs表示,柵極電壓用Vg表示。隧穿場效應晶體管是什么----隧穿場效應晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33

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