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硬盤面密度5年內接近極限 新技術可大幅提高存儲密度

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2022-10-31 08:23:243

三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

和2022年度三星內存技術日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節)三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577

三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

如何提高系統功率密度

在功率器件領域,除了圍繞傳統硅器件本身做文章外,材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢,能夠幫助廠商大幅提升系統密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741

華為公開半導體芯片專利:可提高三維存儲器的存儲密度

根據專利摘要,該申請涉及提高三維存儲存儲密度的半導體芯片技術領域。這個半導體結構的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號線組成,外圍堆疊層包括層疊設置的多個膜層對,膜層對第一個防止介質層和柵極層,包括各雙膜形成多個臺階。
2023-10-30 11:32:24540

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195

提高3D NAND閃存存儲密度的四項基本技術

增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發生變化。這是因為支持傳統高密度技術的基本技術預計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎技術的引入和轉化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26244

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