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多晶硅行業(yè)準入條件發(fā)布

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2023年上半年以多晶硅致密料、單晶硅片M10、單晶PERC電池片M10為例,價格分別下降71.43%、51.97%、34.26%。 年內(nèi)多晶硅致密料最高價位于2月,硅片最高價位于4月中旬,電池
2023-07-17 15:34:51639

【周評】終端觀望情緒走弱,光伏上下游價格集體反彈?

多晶硅 本周多晶硅復投料價格61-70元/千克,致密料價格58-67元/千克,多晶硅價格大穩(wěn)小動。 隨著6月底多筆萬噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫存壓力顯著減少,市場價格觸底言論盛行,多家貿(mào)易商進場囤貨
2023-07-14 16:15:57191

光伏大事報:通威50億項目簽約,彭山電池設(shè)備進場;天合光能53億項目;新選手豪擲60億投……

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2023-07-13 15:09:34479

2023半程已過硅料價格觸底?下半年硅料、硅片市場展望

2023年上半年,國內(nèi)光伏市場“劇烈動蕩”,在市場各個主材環(huán)節(jié)過剩的大背景下,光伏上游價格出現(xiàn)“雪崩”,SMM價格追蹤顯示截至6月30日,國內(nèi)多晶硅價格較上半年高點跌幅達到72.2%,182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519

山西:力推甲醇重卡 推動甲醇汽車全領(lǐng)域推廣應(yīng)用

加速公共領(lǐng)域用車綠色清潔替代,不得對甲醇汽車設(shè)置不合理和歧視性的準入條件。在符合相關(guān)政策要求前提下,新增、更新出租汽車(含網(wǎng)約車),對甲醇汽車和新能源汽車同等對待;對運營方、車主明確甲醇汽車購買意愿的,給 予政策允許的最大指標空間。
2023-07-06 14:32:491459

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實現(xiàn)3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001

局部加熱的推薦焊接條件

局部加熱的推薦焊接條件
2023-06-28 19:14:060

波峰焊的推薦焊接條件

波峰焊的推薦焊接條件
2023-06-28 19:12:520

可控與中繼的區(qū)別#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:19:14

單相可控的使用方法#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:14:01

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317

為什么氮化鎵比更好?

氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。 的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學性質(zhì)、電學性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423975

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)

當晶體管尺寸縮小時,多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)可能會影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學出發(fā),推導出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴展到準二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評】組件大幅走跌,光伏市場價格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價格110-123元/千克,多晶硅價格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價格再度走跌,多晶硅庫存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬大關(guān),硅片價格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會紀要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

SMM硅基光伏晨會紀要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽能級多晶硅的物理冶金制備

半導體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

SMM硅基光伏晨會紀要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

是否有為SAM創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標準方法?

密鑰的跟蹤器。 我計劃使用 CPU 的 ID 作為 SAM 主密鑰,以便將它們綁定在一起 是否有為 SAM 創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標準方法?
2023-05-18 14:53:23

半導體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅(qū)動器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

局部加熱的推薦焊接條件

局部加熱的推薦焊接條件
2023-05-11 18:50:570

波峰焊的推薦焊接條件

波峰焊的推薦焊接條件
2023-05-11 18:49:391

詳解Python條件語句

在 Python 中,if...else 是一種條件語句,可以根據(jù)給定的條件執(zhí)行不同的操作。這個語句通常用于控制程序的流程。
2023-04-19 15:39:51504

全球市場準入服務(wù)介紹

行業(yè)資訊
李開鴻發(fā)布于 2023-04-18 15:57:47

電鍍的目的、組成及條件

電鍍目的、組成及條件
2023-04-14 15:30:051635

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因為它受到多個因素的影響。一般來說,標準的單晶或多晶硅太陽能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

光耦MOC3063驅(qū)動可控

如圖所示:1.單片機給IO口發(fā)送一個高電平后光耦3063會立即導通還是在交流電壓的過零點導通2.如果光耦在輸入電壓的過零點導通,是否可以認為可控兩端的電壓為零,此時可控不導通,那如果是這樣請問這個電路可控是何時導通的,又是和是關(guān)斷的 。導通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅
2023-04-07 09:48:162195

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出,SRAM的布局從65nm節(jié)點已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

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