值得關注的是,新型GDDR7內存提供的容量選項亦更加多樣化,本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式,分別匹配2GB和3GB顯存容量。據JEDEC公布的數據顯示,未來GDDR7內存的運行速度有望提高到48Gbps
2024-03-21 15:35:4153 存儲卡 閃存 2GB
2024-03-14 23:16:25
SSD 2GB MSATA UMLC
2024-03-14 20:16:33
據悉,現行GDDR6顯存每模塊采用8GB顯存容量,對此,@kopite7kimi援引內部消息稱,英偉達即將發布的GeForce RTX 5090顯卡并無內存翻倍的可能性。
2024-03-08 14:54:02118 三星電子近期研發的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄,不僅展現了三星在半導體技術領域的持續創新能力,也為整個存儲行業樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:42145 近期的演示會上,美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:24190 三星作為行業領軍者,在本季度DRAM營收達到79.5億美元,環比增長近50%,主要受益于1αnm DDR5的出貨提速,服務器DRAM出貨量躍增逾60%。
2024-03-05 15:40:57162 美光在該領域處于業界領先地位。這一消息推動美光股價在當天上漲4%,27日美股早盤繼續上漲逾2.5%。 HBM3E是第五代高頻寬記憶體,目前提供的容量為24GB,每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb,記憶體
2024-02-28 14:17:10151 近日,全球領先的半導體存儲解決方案提供商美光科技發布了《車用存儲大趨勢白皮書》。該白皮書深入探討了未來五年內車用存儲市場的增長趨勢和預測。根據預測,到2025年,每輛汽車將搭載高達16GB的DRAM
2024-02-02 15:41:13241 記憶黑板與存儲空間:探討其限制與可能性 在當今的數字化時代,信息的存儲和管理已經成為一項重要的任務。記憶黑板作為一種信息存儲和展示工具,其存儲空間是否有限制,成為了許多用戶關心的問題。記憶黑板廠家
2024-01-17 19:16:57107 近日,三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 AMD指出,Radeon RX 7600 XT 16GB顯卡尤其針對1080p游戲玩家,并針對1080p高畫質游戲進行了優化。憑借其16GB記憶體,該顯卡甚至能夠處理一些1440p的游戲。此外
2024-01-09 14:47:34333 為什么低端獨立顯卡通常都標配2GB的顯存? 低端獨立顯卡通常都標配2GB的顯存,這是因為在低端市場中,2GB的顯存已經能夠滿足絕大多數用戶的需求。下面詳細解釋一下為什么低端獨立顯卡通常都標配2GB
2024-01-09 14:14:45150 有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預計NAND價格將繼續上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格,但低于當月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466 據DRAM產品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預期DDR4價格將進一步上漲,這激發了備貨需求。盡管新一代設備向DDR5轉型,但對于DDR4采購量增幅不定。預計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 全球儲存型快閃記憶體市場排名中,三星以34.3%的市占率居于領先地位。為達到盈利目標,NAND芯片供應商將持續拉抬報價。
2024-01-02 17:08:09606 記憶黑板與智能手機或平板電腦同步的可能性與實現 隨著科技的不斷發展,人們對于信息傳遞和共享的方式也在不斷追求便捷和高效。記憶黑板作為一種傳統的信息展示和傳遞工具,在許多場合仍然發揮著重要作用。然而
2023-12-27 15:30:59201 對于DRAM業務,這個公司的主要是低端市場,如小容量DDR4、DDR3等產品,且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發,以便完善標準接口DRAM產品線,推動DRAM業務發展,滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31247 通常來說,一個人記憶力越好,他能整合、處理的信息就越多。傳說魚的記憶力只有7秒!這可能是它們沒有統治世界的原因。在量子計算中,量子比特所能“記住”的量子狀態越久,其所能進行的計算次數也就越多。量子
2023-12-27 08:25:05301 NY8A050D是一款采用EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)作為記憶體的8位微控制器。EPROM是一種
2023-12-16 20:40:58
產品小型化和更輕、更薄發展趨勢的推動下, 制造商開發出更小的封裝類型。最小的封裝當然是芯片本身, 圖 1 描述了 IC 從晶片到單個芯片的實現過程, 圖 2 為一個實際的晶片級封裝 (CSP) 。 晶片級封裝的概念起源于 1990 年, 在 1998 年定義的 CSP 分類中, 晶片級 CSP
2023-12-14 17:03:21201 dram和nand的區別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894 長鑫存儲最近在其官網上宣布,已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:00283 DRAM制造技術進入10nm世代(不到20nm世代)已經過去五年了。過去五年,DRAM技術和產品格局發生了巨大變化。因此,本文總結和更新了DRAM的產品、發展和技術趨勢。
2023-11-25 14:30:15536 美光基于 1β 先進制程的 ?DRAM ?速率高達 ?8,000 MT/s,為生成式 ?AI ?等內存密集型應用提供更出色的解決方案 2023 年 11 月 22 日,中國上海 —— Micron
2023-11-24 15:08:02663 Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘,對提升電子設備性能至關重要,包括移動電話和其他邊緣設備。
2023-11-24 11:11:45167 根據三星公布的產品發展藍圖,到2024年將推出2gb至24gb容量、最大68gb/s速度、每頻道帶寬為8.5gbps的561fbga形態的lpddr5x存儲器。此外,還將于2024年推出插拔車輛用ssd。容量512gb至4tb,最大速度6.5gb。
2023-11-23 15:03:11386 芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 及器件選型
圖-21:10~125kW儲能單元主流拓撲及器件選型
圖-22:光儲一體機主流拓撲及器件選型
參考1:百度百度
參考2:
《2023年光伏逆變器發展動態分析:行業市場景氣度延續,市場規模有望持續擴張
》
作者:智研咨詢
來源:雪球
2023-11-21 16:07:04
GPU核心旁邊是8顆SK海力士GDDR6顯存,頻率18GHz,單顆容量2GB,8顆組成256Bit 16GB,顯存帶寬576GB/s。
2023-11-17 14:57:42204 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快,如HBM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構架構中,兩者都可以發揮重要作用,以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器,如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958 電子發燒友網站提供《智能車賽道記憶算法的研究.pdf》資料免費下載
2023-11-02 09:42:550 GB32兼容STM32的代碼嗎
2023-10-27 08:06:19
三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米級dram,目前正在開發的11納米級dram將提供業界最高密度?!绷硗?,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 電阻器是電子電路中常見的被動元件,用于限制電流、調整電壓和執行其他電阻性功能。在電阻器的制造中,有兩種常見的類型:厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結構、性能和應用方面都有一些顯著的區別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區別,以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 據TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM,預計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續,取決于供應商是否堅守減產策略以及實際需求的回升程度,尤其值得關注的領域是通用型服務器。
2023-10-16 09:17:18376 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道,三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 在當前我們比較熟悉的存儲產品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發展。
2023-10-07 10:18:221687 倒裝晶片(Flip Chip)貼裝屬于先進半導體組裝(Advanced Semiconductor Assembly),常見的應用有無線天線、藍牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫用高精密設備等。
2023-09-26 15:47:45334 內存應該是每個硬件工程師都繞不開的話題,稍微復雜一點的系統都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復雜也最貴的核心部件了,其設計,仿真,調試,焊接,等等都非常復雜,且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:421900 晶片切割方式對晶振的性能和應用領域產生重要影響。不同的切割方式適用于不同的需求和環境條件,提供了多樣性的選擇。本文將深入探討主要的晶片切割方式,包括原因、區別以及主要的應用領域。
2023-09-14 12:08:371066 。
YuzukiRuler Pro采用全志 D1-H為主控,最大支持2GB內存,256GB儲存的全面屏Linux小尺子,RISCV64 指令集,板載UART和OTG,還將屏幕升級為一個3.2寸800x320屏幕
2023-09-14 09:49:58
2022年第四季度DRAM行業營收環比下降超過三成,跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內存價格環比下降23-28%,DDR5內存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組
2023-09-01 10:14:29559 內存芯片在驅動ic市場和ic技術發展方面發揮了重要作用。市場上兩個主要的內存產品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 我使用nuc200,想要使用IC內的data flash memory作為斷電后儲存設定資料的記憶體。
請問有前輩有使用過嗎?
2023-08-25 08:24:01
BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL
裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片
并且想要使用內附的Window Tool觀察資料的傳輸
但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50
面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發展,以提高單位面積的存儲單元數量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非
2023-08-08 14:24:12744 據《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762 DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據,電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032201 與記憶泊車類似,記憶行車這一功能主要實現簡單的面向服務的應用服務。實現的典型應用場景包括:上下班路線,接送兒童,商超采購等。
2023-07-12 10:07:50312 CoWoS 技術概念,簡單來說是先將半導體芯片(像是處理器、記憶體等),一同放在硅中介層上,再透過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至底層基板上。
2023-07-11 10:06:113560 電子發燒友網站提供《Arduino記憶游戲.zip》資料免費下載
2023-07-10 16:49:211 在5G PA設計和應用中,有一個名詞經常被大家提及:記憶效應(Memory Effect)。
2023-07-04 17:27:34582 請問一下8寸 原子層沉積設備ALD,單晶片。國內設備大約在什么價位???
2023-06-16 11:12:27
高品質抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號
2023-06-10 11:14:31492 Banana Pi BPI-R2 Pro 開源路由器采用Rockchip RK3568芯片方案設計, 板載2GB LPDDR4內存和16GB eMMC存儲,支持2個USB 3.0接口,5千兆網口
2023-06-07 09:17:38
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596 內部默認
加速器時鐘 1000 MHz
設計峰值 SRAM 帶寬 16.00 GB/s
設計峰值 DRAM 帶寬 3.75 GB/s
使用的 SRAM 總量 370.91 KiB
使用的 DRAM
2023-06-05 11:36:22
市場上,DRAM價格已連續12個月下跌,4月份DDR4 8Gb批發價為每個1.48美元左右,環比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713 使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數進行了優化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062212 博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機是一種非常實用的測試設備,可以方便地進行LED封裝晶片的推拉力測試,從而保證LED產品的質量。該測試機具有便攜式設計、數字顯示屏、高精度、高穩定性、高可靠性等特點,可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25386 DRAM 連接32位SDRAM時,最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07
NY8A053E是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器,專為多IO產品的應用而設計,例如遙控器、風扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。採用CMOS製程并同時提供客戶低成本、高性能等顯著優勢
2023-05-19 16:09:22500 )。屆時汽車銷量預計將超過 9,700 萬輛,平均每輛汽車會搭載 16GB 的 DRAM 與 204GB 的 NAND,較 2021 年一輛普通汽車所需的 DRAM 和 NAND 容量分別提高了 3 倍和 4 倍。
2023-05-17 09:33:18414 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 晶片排列電阻器(Surface Mount Resistor Array)是一種常用的電阻器封裝方式,它采用集成電路工藝制造,將多個電阻器集成在一個小型封裝中。
2023-05-15 17:06:06459 基于先進CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產,加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案?
2023-05-06 08:09:49
我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發應用程序。
應用程序代碼和數據在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14
內存芯片中每個單元都有以字節線和比特線組合的獨立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內存條為例,每粒內存芯片有4G個獨立地址。
2023-04-25 10:05:085444 電子發燒友網報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:002616 我有一個新的(空的)SLIX2 標簽,使用 clrc66303 訪問。我可以查詢和發出通用命令(如寫入和讀取塊、選擇、獲取隨機數……)。但我試圖發送 0xB3 來設置密碼。我得到返回代碼 0x0f。我的目標是通過密碼保護用戶記憶。
2023-04-20 06:19:01
(基于imx8mplus)內存:MT53D512M32D2 (2GB)SD 卡:SP 16GB 和 SanDisk 16GB 為 imx8mplus 平臺構建可啟動 SD 卡。在 srg-imx8mplus 平臺
2023-04-14 07:49:32
廣泛用于各種數字產品的半導體記憶體的行情容易出現暴漲暴跌。在過去的行情低迷期,隨著個人電腦、功能手機、智能手機、數據中心等新需求方的出現,不斷走出最糟糕時期。
2023-04-13 12:55:18353 完成高速的外設,所以32位MCU的執行及運算速度會更快,程序記憶體更大,一般適用于高檔的產品,例如掃地機器人、高階智能鎖等。 二、MCU未來的創新發展趨勢是什么? 目前來看,國內MCU“賽道”可算是
2023-04-10 15:07:42
社會:ls1043aDDR:MT40A2G8VA-062E:B,x5,4 個用于 8GB,1 個用于 ECC。我使用 CW 獲取配置文件: 我嘗試了兩個文件來生成 img他們都在 BL2 運行時遇到問題:使用 (0-2GB) DDR 數據顯示不正確:(寫入≠讀?。?我該如何解決?謝謝
2023-04-07 06:44:48
大家好,請問大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎?我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 無法運行,見日志如下。還有一個
2023-04-03 06:40:26
存儲器是用來存儲程序和數據的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,港臺稱之為記憶體
2023-03-30 14:18:4815276 MEMORY CARD COMPACTFLASH 2GB
2023-03-29 21:27:27
2GB MICROSD CARD
2023-03-29 19:55:03
2GB DISKONMODULE STD TEMP
2023-03-29 19:55:01
0x40000000- #define phys_sdram_size 0xc0000000 / * 3gb ddr * / + #define phys_sdram_size size
2023-03-29 07:51:32
你好 我們正在使用 4 * 2GB DDR4 芯片構建我們的定制 ls1046a 板。(我們參考LS1046AFRWY,容量翻倍,去掉ECC)首先我生成了 BL2 二進制文件制作 PLAT
2023-03-24 08:50:43
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進行 RAM 校準。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB(2GB 是正確的值)。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
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