當然，一般CMOS影像傳感器或NIR傳感器的“目標如果是要有更好的影像，那么我們樂于見到更多的光線”。但是，Cambou也指出，當用戶試圖在明亮的陽光下解鎖iPhone X時，光線就會是一個問題。

Cambou說：“問題就在于NIR光線的投射點與太陽或其他任何光源的環境光之間存在的對比度。但太陽通常是最大的問題。” 因此，Apple采用SOI晶圓以提高NIR的對比度是至關重要的。

那么ST的NIR傳感器是否使用FD-SOI或SOI晶圓？Cambou表示該公司目前還無法判斷。

拆解Apple iPhone X——3D相機（TrueDepth）內部的NIR影像傳感器（來源：Yole Développement、System Plus Consulting）

至于NIR傳感器，如今是否能確定Apple使用的是850nm還是940nm波長的NIR？Cambou指出，“我們無法確定是哪一個”。然而，他推測，“Apple最有可能像其他業者一樣使用850nm——例如英特爾（Intel）的RealSense、Facebook、宏達電等。但是，ST以開發940nm單光子雪崩二極體（SPAD）近接測距器聞名，所以也可能打算在未來轉向這一波長選擇。”

當被問及在拆解中有何意外發現時，Cambou提出了ST NIR影像傳感器芯片的尺寸——其大小約25mm2，但由于采用2.8μm的大型畫素，因而僅有140萬畫素。Cambou指出：“盡管如此，在這個類別中，與通常使用3.0μm到5μm的競爭產品相較，這一畫素會被認為『較小』。”

新時代的開始

Yole將iPhone X定位為3D成像新時代的開始。

Cambou還認為，Apple正在為NIR傳感器打造未來。他指出，Apple不久前收購了量宏科技（InVisage Technologies），“我認為Apple打算讓InVisage為其提供NIR傳感器功能，不過也可能還有好幾種方式來解釋這項收購行動。”

Cambou認為，InVisage可能無法在性能方面與ST的產品匹配，但卻能為小型化提供解決方案。他提到：“因此，Face ID技術可以微縮至其它產品，如增強實境（AR）頭戴式裝置。”

商業影響

一方面，Apple iPhone X正為諸如Soitec等SOI晶圓制造商創造巨大的商機。同樣重要的是，它也為ST引發別具意義的復出。Cambou相信ST將成為新興ToF相機市場的一員。

當然，半導體業務往往受到短暫的繁榮和蕭條交替之周期性影響。但是，根據Cambou的觀察，ST在手機市場失去諾基亞（Nokia）后雖然業務萎縮，如今“已經非常巧妙地進行轉型了”。

ST打造了許多不同類型的影像傳感器應用：從CMOS影像傳感器轉向未來的NIR和SPAD傳感器，同時也有效利用了該公司的資產以及內部開發的基礎技術。