國(guó)際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車(chē)用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，適合電動(dòng)車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力車(chē) (HEV) 中的各種高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括車(chē)載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-17 10:00:20
1085 
瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:001733 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282339 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器，具有高低邊兩路輸出，可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的輸入信號(hào)兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:451934 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 描述這款簡(jiǎn)單的隔離型反激式設(shè)計(jì)可在 200mA 的條件下將 50V 至 600V 的輸入電壓轉(zhuǎn)換成 15V。LM5021-1 控制器因其脈沖跳躍模式而適用于綠色環(huán)保模式轉(zhuǎn)換器。由于脈沖跳躍模式的最大
2018-12-14 15:37:05
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題本人有臺(tái)開(kāi)關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開(kāi)電沒(méi)問(wèn)題。只要工作就燒開(kāi)關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問(wèn)問(wèn)是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個(gè)項(xiàng)目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過(guò)電阻分壓的方式對(duì)其進(jìn)行采樣。分別對(duì)輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因?yàn)檩敵龅叵鄬?duì)板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計(jì)上難把握。請(qǐng)問(wèn)板上大聲有沒(méi)有有經(jīng)驗(yàn)的或有想法的不吝賜教。另外問(wèn)一下有沒(méi)有用過(guò)隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
，ID隨VGS而變化。從VGS(th)的規(guī)格值的角度看，只要條件沒(méi)有確定，就無(wú)法保證VGS(th)的值，因此在MOSFET的技術(shù)規(guī)格中規(guī)定了條件。這個(gè)表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
DC12V-AH8669內(nèi)部集成600V高壓MOSFET，以滿足高電壓沖擊的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V轉(zhuǎn)換12產(chǎn)品開(kāi)關(guān)
2021-11-17 06:18:33
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放電二極管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放電二極管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
1. 特性? 高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá) 600V? 適應(yīng) 5V、3.3V 輸入電壓? 最高頻率支持 500KHZ? VCC 和 VB 端電源帶欠壓保護(hù)? 低端 VCC 電壓范圍 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款單片高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng) IC，可驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá) +600 V 電壓的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有緩沖輸出級(jí)，所有 NMOS 晶體管設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高脈沖電流驅(qū)動(dòng)
2022-01-18 10:43:31
GTO一般最高只能做到幾百Hz,但功率較大，已達(dá)到3000A、4500V的容量。GTR目前其額定值已達(dá)1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過(guò)100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過(guò)100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
。高邊連接的MOSFET或IGBT的工作電壓可高達(dá)+600V，IRS26302D廣泛用于通用逆變器和空調(diào)器逆變器以及馬達(dá)控制。它為44腳PLCC封裝工藝。一、IRS26302DJBPF外觀圖
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保護(hù)式600V三相柵極驅(qū)動(dòng)器
2016-06-21 18:26:25
JFE 超級(jí)鐵芯 Super Core 高頻用硅鋼片，0.1mm硅鋼，10JNHF600、10JNEX900
2018-12-06 02:17:50
確保高壓側(cè)電源開(kāi)關(guān)的正確驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器使用2個(gè)獨(dú)立輸入。特性：高壓范圍：高達(dá)600 VdV/dt抗擾度±50 V/nsec柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍為10 V至20 V高和低驅(qū)動(dòng)輸出輸出源/匯電流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
具有高脈沖電流緩沖級(jí)的設(shè)計(jì)最小驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。漂浮的通道可用于驅(qū)動(dòng)N通道電源高壓側(cè)配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達(dá)600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達(dá)600V耐負(fù)瞬態(tài)電壓，dV/dt柵極驅(qū)動(dòng)電源
2021-05-11 19:40:19
IPW60R060P7先找出在此一測(cè)試條件下之Vcross、Icross與tp訊息，來(lái)描繪出新的SOA。利用上述訊息即可計(jì)算出>Pd = 600V x 24A = 14400W>(150
2019-09-17 09:05:05
說(shuō)明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
/11.5A/5KW62050H-600可程控直流電源 600V/8.5A/5KW62050H-600S可程控直流電源 600V/8.5A/5KW 具有太陽(yáng)電池模擬功能62075H-30可程控直流電源
2020-04-13 17:00:36
各位大大，最近在做雙向逆變，想問(wèn)一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過(guò)600V嗎，有人說(shuō)高頻變壓器可以升壓超過(guò)原來(lái)高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問(wèn)有懂這個(gè)的能說(shuō)一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過(guò)2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間（trr※1））的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
BT136 600E，說(shuō)是一樣的，可以直接代換，我回到家上網(wǎng)一查：BTA08-600B 電流:IT(RMS) = 8A ;耐壓:VDRM = 600V;而 BT136 600E 電流:IT(RMS
2015-05-20 07:27:22
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開(kāi)關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
加深理解，最好還是參閱技術(shù)規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)值和特性圖表。【標(biāo)準(zhǔn)SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
供應(yīng)SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超級(jí)溝槽mos，可廣泛應(yīng)用于適用于硬/軟開(kāi)關(guān)拓?fù)洌惑P微電子是士蘭微mos代理商，提供SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超級(jí)溝槽mos產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)及樣品申請(qǐng)。>>
2022-07-13 14:31:40
本文將介紹英飛凌的第三代采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的應(yīng)用。在介紹最新溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)的背景后，本文探討如何充分利用IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)性能改進(jìn)和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 輸入12V 5A輸出600V 100MA直流逆變器電源電路
2008-12-07 19:43:292428 
英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594 IGBT在客車(chē)DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211329 
超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽車(chē)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國(guó)際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
IR上市600V耐壓的車(chē)載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC
美國(guó)國(guó)際整流器公司（IR）上市了+600V耐壓的車(chē)載設(shè)備用柵極驅(qū)動(dòng)IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超級(jí)結(jié)"（Super-Junction）結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了
2010-12-14 12:06:40639 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:43782 在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 羅姆開(kāi)發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為
600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國(guó)Arkansas Power Electronics International公司共同開(kāi)發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車(chē)用IGBT系列，專門(mén)針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847 本文介紹了直流600V輸人多路直流輸出高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案，主電路采用雙管反激功率變換電路，控制電路采用電流型PWM控制技術(shù)
2011-10-18 11:51:23128 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，將從2012年9月開(kāi)始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情
2012-06-26 11:03:40794 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421270 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認(rèn)為L(zhǎng)ED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì)到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了
2017-05-22 15:12:104927 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高壓Gatedriver 600V工藝，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一種高電壓，高速半橋預(yù)潛水員對(duì)功率MOSFET和IGBT。它具有高側(cè)和低側(cè)的輸入，以及具有內(nèi)部死區(qū)時(shí)間的兩個(gè)輸出通道，以避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)。輸入邏輯水平與3.3v/5v/15v信號(hào)兼容。浮高側(cè)通道可驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用超級(jí)結(jié)(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎
2017-12-02 08:14:26148 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驅(qū) 動(dòng) 器。 MIC4609具有300 ns的典型輸入濾波時(shí)間，旨在避免出現(xiàn)意外的脈沖和獲得550 ns的傳播延時(shí)。MIC4609具有 TTL輸入閾值。
2018-07-02 09:24:0011 除此之外，華虹宏力還是全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體代工廠，擁有10年以上功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，累計(jì)出貨超過(guò)410萬(wàn)片晶圓，可為客戶提供獨(dú)特的、富有競(jìng)爭(zhēng)力的超級(jí)結(jié)MOSFET（Super Junction
2019-10-18 16:45:131578 商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國(guó)家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過(guò)
2019-12-19 17:59:0025 在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 LT1358/LT1359：雙路和四路25 MHz、600V/μs運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表
2021-05-08 12:42:3510 LT1357：25MHz，600V/OP數(shù)據(jù)Sheet
2021-05-21 09:20:080 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 220V交流轉(zhuǎn)600V直流，沒(méi)有380的可以這樣接直流母線上
2022-06-06 10:07:2919 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔離封裝的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢復(fù)整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 AN-9085 智能電源模塊，600V Motion SPM?3 ver.5 系列用戶指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM? 2 系列熱性能（通過(guò)安裝扭矩）
2022-11-15 20:04:030 近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時(shí)，警報(bào)輸出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:06555 
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:331589 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35934 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
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