商用4G LTE無線基礎設施的擴展，逐漸實現了規模經濟，為氮化鎵順利進入MMIC市場提供了有力支持，從而幫助系統設計人員實現更高水平的功能和設備集成，滿足新一代5G系統的需求。同時，隨著集成射頻、模擬
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質的 LED 發光二極管才被發明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發出藍
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應用中的成功經驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統中的應用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
反復受到高dv/dt（100V /ns）的影響，在480V引起擊穿FET，觸發集成過流保護（圖1）。與大多數FET——在這種情況下會失效——不同，LMG3410集成功率級使我能夠在不發生損壞的情況下
2019-07-29 04:45:12
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
通過一個例子來說明使用集成的柔性功率器件的好處。設想設計為由SoC或FPGA控制的無人機設計電源管理系統。圖2顯示了該系統中的四個組件，它們完全匹配電源管理IC（PMIC）。 圖2：分立與集成功率
2017-04-01 15:38:45
）的工業系統需要多個電源軌，同時面臨小尺寸和低成本的挑戰。集成柔性功率器件可以為這種應用顯著降低成本，減小解決方案尺寸。 集成柔性功率器件在同一封裝內包含多個DC/DC轉換器。這些DC/DC轉換器可以是單個
2022-11-14 06:20:23
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
`模擬射頻、微波、毫米波和光學半導體產品的領先供應商MACOM于近日推出了MAAP-118260。這是一款全集成功率放大器，非常適合18 GHz、23 GHz和26 GHz蜂窩回程應用。能夠提供優異
2017-04-05 10:23:27
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
50 A VRPower?集成功率級
2023-03-28 15:01:13
我用的是JLINK+SW接口燒錄程序,但是JLINK通過SW接口連接芯片讀取ID成功率很低,燒錄程序的成功率更低,但有時還能燒錄進去.大部分情況都是我燒錄程序或連接芯片時,KEIL就卡住了,然后提示"No Cortex SW Device Found"
2018-11-29 19:09:10
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
ZCC5080E是一款5V輸入，支持雙節鋰電池的升壓充電管理IC。ZCC5080E集成功率MOS，采用異步開關架構，使其在應用時僅需要極少的外圍器件，可有效減少整體方案尺寸，降低BOM成本
2020-10-29 06:33:46
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
ODM和一級供應商可以使用Silicon Labs的Si827x隔離式半橋柵極驅動器來構建系統。這些驅動器符合AEC-Q100標準，符合汽車半導體器件的標準質量和文檔要求。高壓氮化鎵電源在電源行業有些獨特
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
民幣5220元）以下的晶圓才適用于功率半導體的量產。成功獲得適用于量產功率半導體的、高質量、大尺寸氮化鎵晶圓氮化鎵晶片存在以上問題的根源是其晶體生長方式。目前批量生產的 Bulk氮化鎵晶片采用以下方式制造，利用
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題，泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
已經在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發熱。氮化鎵的低阻抗優勢，可以有效的降低快充發熱。應用在手機電池保護板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續時間，獲得更好的快充體驗。同時氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵充電器采用條形設計，在插線板或者插座上不會影響到相鄰的插座設備。得益于氮化鎵功率器件的加入，可以在這個體積上做到65W大功率并且還擁有3口輸出功能，握持手感十分小巧，再加上可折疊的插腳，旅行出門
2021-04-16 09:33:21
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
簡易音頻集成功率放大器TDA2030資料下載內容主要介紹了：電路工作原理元器件的選擇
2021-04-14 07:45:16
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
進的氮化鎵值。 2015年，在測量功率開關的Ec時，我們還推測，同樣地在更小的器件中允許更高的電場，氧化鎵可能會在射頻電路中取得類似成功。不過那時我們缺少一個關鍵信息，即還沒有關于材料中的電子速度與電場
2023-02-27 15:46:36
集成功率放大器一、概念廣泛用于收音機等設備中的DG4100系列單片集成放大器。該功放電源電壓UCC=9V，RL=4歐，輸出功率大于1W。二、內部電路組成簡介由三極直接耦合放大電路和一級互補對稱放大
2016-12-23 18:14:13
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
集成功率放大器電路研究:
2009-12-08 16:38:51
35 摘要：將集成功率級LED與集成恒流源電路進行一體化混合集成工藝設計，保證了3～l0W的集成LED在低于l00mA的驅動電流下正常工作。恒流源采用跟隨浮壓技術進行設計，使集成LED的工
2010-05-13 08:44:2817 簡單實用的TDA2822M集成功率
2006-04-17 23:25:32
5258 
集成功率放大電路實驗
一、實驗目的 1．掌握測量集成功率放大電路主要電路指標的方法 2．理解功率放大電路的工作原
2008-12-05 16:50:348213 
單片集成功率放大電路
5G37集成功率放大器，內部是由兩級直接耦合電路組成的
2009-09-17 08:11:281792 
集成功率放大器件或分立元件放大電路的比較
摘 要：功率放大電路通常由集成功率放大器件或分立元件放大電路組成，兩者各有優缺點。
2009-09-17 08:39:138680 
用LM1875構成的集成功率放大器電路
集成功率放大器電路
現在市場上有許多性能優良的集成功放芯片，如
2009-09-17 08:42:065333 
單通道集成功率放大器
表18-24 列出了一些單通道集成功率放大器的主要特性參數。
2009-09-19 16:02:35577 大功率集成功率放大器
大功率集成功率放大器是一種新型的音響功放集成模塊，它和一般的集成功率放大器相比，具有增益高、失真小、頻率響應寬、功耗小、輸出功
2009-09-19 16:05:101919 集成功率放大器應用參考電路
AN7114/7115 應用電路如圖18-60 所示。LA4130P/31P/32P 應用電路如圖18-61 所示。
2009-09-19 16:09:422781 集成功率級LED與恒流源電路一體化設計
目前,功率級LED產品有兩種實現方式：一是采用單一的大面積功率級LED芯片封裝,美國、日本已經有5W芯片的產
2009-10-17 10:03:14838 
IR推出首批商用氮化鎵集成功率級器件iP2010和iP2011
國際整流器公司(IR)推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的i
2010-03-09 10:24:50947 
Vishay發布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56722 技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），今天發布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電視基礎構架提供了優異的性能。
2013-07-16 10:50:071248 單站驗證時發現：黃絲博基站做接入業務時異常， Ping 成功率低；在做接入測試時Attach 成功后 Ping 多次失敗，再次 Attach 成功后 Ping 成功，多次 Attach 后 Ping
2021-04-19 15:35:081 集成功率器件可簡化FPGA和SoC設計
2022-11-02 08:15:591 無二次反饋的低功耗綠色模式 PWM 集成功率 MOSFET
2022-11-15 20:03:000 SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案
2023-06-07 15:17:17735 
電動汽車驅動電機控制器基本結構可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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