半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱(chēng)為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國(guó)還專(zhuān)程看了華為英國(guó)公司的石墨烯研究，搞得國(guó)內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來(lái)了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
。現(xiàn)公司代理產(chǎn)品包括半導(dǎo)體、太陽(yáng)能硅片的檢測(cè)裝置，包含美國(guó)FSM公司的薄膜應(yīng)力檢測(cè)、硅片翹曲度檢測(cè)、薄膜厚度檢測(cè)、硅片平整度檢測(cè)設(shè)備等；以及美國(guó)PET公司的太陽(yáng)能模擬器、I-V曲線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、硅片表面質(zhì)量檢測(cè)裝置等。聯(lián)系電話：***地址:蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)
2015-04-02 17:21:04
半導(dǎo)體二極管電子教案，半導(dǎo)體二極管課件教程:2.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 2.1.1 半導(dǎo)體材料 2.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 
2009-06-22 23:12:51
一、半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器1.半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器工作原理半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器的工作原理基于兩個(gè)效應(yīng)：光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)：當(dāng)光投射在半導(dǎo)體上時(shí)，光子的能量在半導(dǎo)體中激發(fā)出非平衡
2017-12-22 16:29:23
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體
2021-05-25 07:46:36
蘇州晶淼專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備，可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商，歡迎來(lái)電咨詢(xún)。電話：***，13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27
摘要：半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是，通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之問(wèn)，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒、子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí)，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。
2021-01-12 10:20:39
半導(dǎo)體激光器又稱(chēng)激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它具有體積小、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)，并可采用簡(jiǎn)單的注入電流的方式來(lái)泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。
2020-08-11 07:35:44
無(wú)嚴(yán)格要求的特點(diǎn)。因此，目前檢測(cè)半導(dǎo)體材料電阻率，尤其對(duì)于薄膜樣品來(lái)說(shuō)，四探針是較常用的方法。 四探針技術(shù)要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時(shí)，測(cè)試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過(guò)樣品的幾何參數(shù)，輸出電流源和測(cè)到的電壓值來(lái)計(jì)算得出。
2021-01-13 07:20:44
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國(guó)物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點(diǎn)時(shí)，其接點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實(shí)現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
半導(dǎo)體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間。 本征半導(dǎo)體純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu)，所以導(dǎo)電性比普通半導(dǎo)體差
2020-06-27 08:54:06
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
先說(shuō)聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說(shuō)下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說(shuō)廢話了，接著上次的說(shuō)。我在機(jī)智云開(kāi)發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
市場(chǎng)的銷(xiāo)售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件現(xiàn)貨熱賣(mài)，汕頭市羅克自動(dòng)化科技有限公司歡迎您前來(lái)咨詢(xún)！聯(lián)系人郭經(jīng)理：*** 0010-04926應(yīng)用材料半導(dǎo)體配件 汕頭羅克自動(dòng)化科技有限公司是專(zhuān)業(yè)
2020-03-26 15:40:25
我廠專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管
2021-05-25 08:01:53
市場(chǎng)的銷(xiāo)售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤(pán)，在制造過(guò)程中
可承載非本征
半導(dǎo)體。它們是正（P）型
半導(dǎo)體或負(fù)（N）型
半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的
半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣?/div>
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
給大家介紹個(gè)新發(fā)現(xiàn)的單片機(jī)內(nèi)存調(diào)試工具M(jìn)CUMonitor,其界面簡(jiǎn)單，操作方便。對(duì)于調(diào)試內(nèi)存數(shù)據(jù)的連續(xù)變化，有很大的好處。開(kāi)發(fā)人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對(duì)接開(kāi)發(fā)的庫(kù)。即可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存變量
2018-01-16 17:27:58
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問(wèn)題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過(guò)要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁啊！現(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
光敏傳感器的物理基礎(chǔ)是光電效應(yīng):在不同的情況下的光輻射作用下電子逸出材料的表面會(huì)產(chǎn)生光電子發(fā)射稱(chēng)為外光電效應(yīng)、或光電子發(fā)射效應(yīng)、基于這種效應(yīng)的光電器件有光電管、光電倍增管等。電子并不逸出材料表面
2013-04-03 14:21:23
半導(dǎo)體材料受光照射時(shí)，會(huì)產(chǎn)生光電效應(yīng)。 下圖是本征半導(dǎo)體能帶簡(jiǎn)圖。光入射到本征半導(dǎo)體材料后，處干滿(mǎn)帶中被束縛的電子吸收光子的能量，可由滿(mǎn)帶躍過(guò)禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子(如黑點(diǎn)所示），而在原來(lái)的滿(mǎn)帶中
2018-01-09 11:43:11
，入射光子的能量E0應(yīng)大于禁帶寬度Eg。基于光電導(dǎo)效應(yīng)的光電器件有光敏電阻。圖8—1 光電導(dǎo)效應(yīng)光生伏特效應(yīng) 光生伏特效應(yīng)是半導(dǎo)體材料吸收光能后，在PN結(jié)上產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)。為什么PN結(jié)會(huì)因光照產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)
2012-10-20 08:13:22
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
擬的優(yōu)勢(shì)。”王文靜表示，作為制作半導(dǎo)體器件和集成電路的主要材料，硅已經(jīng)在工業(yè)生產(chǎn)中運(yùn)用了幾十年。這些年來(lái)，大量問(wèn)題被發(fā)現(xiàn)和解決，硅材料工藝日臻完美。反觀薄膜型太陽(yáng)能光伏電池的主要材料“鎘”，則是毒性很強(qiáng)
2012-07-19 15:33:28
，以及還有半導(dǎo)體材料的其他選定產(chǎn)業(yè)。在其核心業(yè)務(wù)是光伏產(chǎn)業(yè)。公司為客戶(hù)可同全面的解決方案，整個(gè)價(jià)值鏈的互補(bǔ)技術(shù)，包括硅片，太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能電池組件和太陽(yáng)能系統(tǒng)的制造工藝。公司目前在三大洲聘請(qǐng)的員工數(shù)量
2012-07-19 14:54:15
太陽(yáng)能電池。有機(jī)太陽(yáng)能電池，顧名思義，就是由有機(jī)材料構(gòu)成核心部分的太陽(yáng)能電池。主要是以具有光敏性質(zhì)的有機(jī)物作為半導(dǎo)體的材料，以光伏效應(yīng)而產(chǎn)生電壓形成電流, 實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能發(fā)電的效果。有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池具有
2016-01-29 15:46:43
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
`我司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
`一、系統(tǒng)背景測(cè)試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)來(lái)判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作
2020-06-08 17:04:49
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
摘要：介紹了氧化物半導(dǎo)體甲烷氣體敏感元件的工作機(jī)理，論述了改善氧化物半導(dǎo)體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細(xì)結(jié)構(gòu)、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術(shù)可提高氧化物半導(dǎo)體
2018-10-24 14:21:10
測(cè)試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)來(lái)判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型，是N型還是P型；霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)
2020-05-12 13:54:52
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
有效期至2010-01-01公司名稱(chēng)中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專(zhuān)業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱(chēng)中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專(zhuān)業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類(lèi)可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)
2019-06-27 06:18:41
霍爾式轉(zhuǎn)速傳感器是利用霍爾效應(yīng)的原理制成的。霍爾效應(yīng)是指在一個(gè)矩形半導(dǎo)體薄片上有一電流通過(guò)，此時(shí)如有一磁場(chǎng)也作用于該半導(dǎo)體材料上，則在垂直于電流方向的半導(dǎo)體兩端，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很小的電壓，該電壓就稱(chēng)為霍爾電壓。
2019-10-15 09:00:07
中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用Applications of neutron beam on semiconductor thin films一、緣起與目的本計(jì)劃于清華水池式反應(yīng)器（THOR）中子束，建立一條多功能之儀器測(cè)試中子
2009-03-06 13:57:25
25 半導(dǎo)體器件HPM損傷脈寬效應(yīng)機(jī)理分析:HPM能量在半導(dǎo)體器件損傷缺陷區(qū)的熱量沉積以及向周?chē)?b class="flag-6" style="color: red">材料的熱量擴(kuò)散，是造成半導(dǎo)體器件損傷脈寬效應(yīng)的機(jī)理；分別得到了全脈
2009-10-29 13:57:0515 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱產(chǎn)品用途： 半導(dǎo)體材料PCT老化試驗(yàn)箱特點(diǎn)：1．圓幅內(nèi)襯，不銹鋼圓幅型內(nèi)襯設(shè)計(jì)，可避免蒸氣潛熱直接沖擊試品。2．實(shí)驗(yàn)開(kāi)始前之真空動(dòng)作可將原來(lái)箱內(nèi)之空氣抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過(guò)，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01
865 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱(chēng)，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:43956 半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說(shuō)的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個(gè)詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171052 德國(guó)制成有機(jī)薄膜半導(dǎo)體新材料
德國(guó)研究人員16日宣布他們研制出一種新的有機(jī)分子，可以用來(lái)制造高性能有機(jī)薄膜半導(dǎo)體。
2010-03-20 09:05:53914 本文將著重介紹氧化物無(wú)機(jī) 半導(dǎo)體材料 的光電化學(xué)研究領(lǐng)域的一些新進(jìn)展. 本文簡(jiǎn)述了二氧化鈦薄膜、氧化鋅薄膜、ZnO/TiO 復(fù)合涂層、SnO2: F 薄膜的發(fā)展概況及應(yīng)用
2011-11-01 17:49:4847 曼大研究人員本月宣布，已成功制成只有幾原子厚的硒化銦材料。它擁有比石墨烯更好的半導(dǎo)體屬性，是未來(lái)替代硅制作電子芯片的理想材料。
2016-11-30 16:04:302416 近期，一種可應(yīng)用于未來(lái)超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。 石墨烯之父又有新發(fā)現(xiàn) 超級(jí)半導(dǎo)體材料浮出水面 近十年來(lái)，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒(méi)有白費(fèi)。
2016-12-01 09:34:111064 路虎的全新一代發(fā)現(xiàn)（以下稱(chēng)全新發(fā)現(xiàn)為發(fā)現(xiàn)5，現(xiàn)款則稱(chēng)發(fā)現(xiàn)4）終于上市了。由于造型和平臺(tái)相對(duì)于發(fā)現(xiàn)4的“顛覆”，發(fā)現(xiàn)5自發(fā)布以來(lái)也確實(shí)引發(fā)了相當(dāng)大的爭(zhēng)議。不過(guò)在這里車(chē)云菌想說(shuō)的是，如果到現(xiàn)在你還在罵發(fā)現(xiàn)5（的設(shè)計(jì)師），那只能說(shuō)明你真的不懂路虎。因?yàn)閺娜魏谓嵌瓤矗?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)5的這種轉(zhuǎn)變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411034 硅太陽(yáng)能電池的原理 太陽(yáng)能電池是利用太陽(yáng)光和材料相互作用直接產(chǎn)生電能的器件。 能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種， 如： 硅系材料（ 單晶硅、多晶硅、非晶硅） ， 化合物半導(dǎo)體
2017-09-27 18:56:4116 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119659 半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的第一個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點(diǎn)接觸二極管（也俗稱(chēng)貓胡子檢波器，即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測(cè)電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來(lái)做整流器、光伏電池、紅外探測(cè)器等，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。
2018-03-08 10:16:1957821 最新研究發(fā)現(xiàn)金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時(shí)，可以擁有類(lèi)似硅等半導(dǎo)體的特性。
2018-08-13 16:55:323413 關(guān)鍵詞：石墨烯 , 半導(dǎo)體材料 來(lái)源：DeepTech深科技 目前，絕大多數(shù)的計(jì)算機(jī)設(shè)備均是由硅材料制備而來(lái)。硅元素是地球上既氧元素之后，儲(chǔ)量第二豐富的元素。它以各種不同的形式，廣泛存在于巖石、砂礫
2018-10-17 15:43:01229 材料科學(xué)的進(jìn)展對(duì)于此時(shí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是及時(shí)雨，而且從科學(xué)變成技術(shù)的速度也令人嘆為觀止。前幾年還在《Nature》、《Science》這些頂級(jí)科學(xué)期刊當(dāng)成科學(xué)新發(fā)現(xiàn)的議題，有很多已經(jīng)至少被展示在納米級(jí)元件的應(yīng)用。
2019-01-18 09:18:304815 半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)之一是它們的導(dǎo)電性和導(dǎo)電類(lèi)型（N型或P型）能夠通過(guò)在材料中摻入專(zhuān)門(mén)的雜質(zhì)而被產(chǎn)生和控制。
2019-03-29 15:16:575503 近年來(lái)，鈣鈦礦半導(dǎo)體材料的發(fā)展對(duì)光轉(zhuǎn)換應(yīng)用的進(jìn)展產(chǎn)生了明顯的積極影響，目前已在場(chǎng)發(fā)射晶體管、太陽(yáng)能電池、光通訊、X射線探測(cè)、激光器等領(lǐng)域嶄露頭角。
2020-02-08 19:19:01786 
我國(guó)第一顆空間X射線天文衛(wèi)星慧眼衛(wèi)星又有新發(fā)現(xiàn)！ 22日，記者從中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科院高能所）獲悉，來(lái)自該所等國(guó)內(nèi)外單位的研究人員利用慧眼衛(wèi)星在高于200千電子伏特(keV
2020-09-29 15:07:011671 所謂光生伏打效應(yīng)就是當(dāng)物體受光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布bai狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。當(dāng)太陽(yáng)光或其他光照射半導(dǎo)體的PN結(jié)時(shí)，就會(huì)在PN結(jié)的兩邊出現(xiàn)電壓，叫做光生電壓。這種現(xiàn)象就是著名的光生伏打效應(yīng)。使PN結(jié)短路，就會(huì)產(chǎn)生電流。
2021-02-25 14:54:5010436 半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-08 13:56:5138 針對(duì)半導(dǎo)體材料光電特性的初期研究過(guò)程中，光子到電子的轉(zhuǎn)換過(guò)程是半導(dǎo)體材料對(duì)光子的吸收以及由此產(chǎn)生的一系列的效應(yīng)，例如光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)等。之后通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料光吸收效應(yīng)的深入研究，將其應(yīng)用在
2021-08-16 10:45:179619 
常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:084538 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:49599 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
將詳細(xì)討論半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)，包括其起源、機(jī)制、應(yīng)用和未來(lái)研究方向。 一、壓阻效應(yīng)的起源 壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在外力或應(yīng)力作用下，導(dǎo)電性能的變化。它最早被發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)主要研究的對(duì)象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來(lái)越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論