日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 `深圳市三佛科技有限公司 供應-20V -4A SOT-23 P溝道 MOS 帶ESD靜電保護 HN3415，原裝，庫存現貨熱銷HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管
2021-05-08 15:24:44
型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術上
2020-11-20 13:54:17
``近日，2016年第五屆中國創新創業大賽（上海賽區）落下帷幕，上海靈動微電子股份有限公司經過多輪角逐，榮獲上海賽區企業組優勝獎并進入全國賽。 中國創新創業大賽由科技部、教育部、財政部等發起，由
2016-09-27 11:42:17
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包。HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
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2021-03-30 14:22:40
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
光電二極管榮獲行業媒體《電子發燒友》（Elecfans）2022年度中國IoT創新獎“傳感器技術獎”。第七屆中國IoT創新獎旨在表彰過去一年推出的對物聯網（IoT）行業具有深遠影響的產品和技術。入圍提名以
2023-02-21 11:24:22
溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道SOT23-3 -20V 3A可
2020-06-10 14:03:57
安森美半導體新推出的互補金屬氧化物半導體(CMOS)數字圖像傳感器AR0430用于物聯網(IoT)、增強現實/虛擬現實(AR/VR)和安防攝像機應用，榮獲CES 2018創新獎。在標準成像模式下
2018-10-11 14:09:54
`深圳市三佛科技有限公司 供應 CJ3415 長電 SOT-23 -20V -4A MOS管，原裝，庫存現貨熱銷CJ3415參數： -20V -4A SOT-23 MOS管/場效應管P溝道品牌：長電
2020-10-15 15:18:23
創新獎南京大學基于車聯網的新型無人駕駛智慧城市路口設計內網穿透隊周海波姜高翔、裘景一、賁馳四、廣和通榮獲物聯網大賽最佳支持獎五、現場活動圖
2022-12-08 16:00:24
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關閉它。P 溝道場效應管P溝道區域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
`品牌：NCE新潔能型號：NCE3416封裝：SOT23-6批號：批號FET類型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
SOT23-3L100V 5ASL3N10N溝道SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道
2020-06-09 14:25:52
、售前服務及服務，給用戶提供最優質最具競爭力的產品以及最人性化最貼心的服務。我司還提供以下MOS管產品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N溝道
2020-06-30 11:26:07
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2020-10-22 15:48:45
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
`2016（第七屆）企業幸福指數評選頒獎典禮于12月13日在北京香格里拉酒店舉行，完美世界股份有限公司榮獲“2016年最走心員工關懷獎”。 圖一、完美世界是唯一獲得“2016年最走心員工關懷獎
2016-12-14 18:17:03
。 二、技術創新獎評選標準1. 參評對象必須是2014 – 2017年度推出新產品或特定技術；2. 參評對象必須適用于中國市場，同時達國際領先水平，或者幫助中國IoT行業達到或領先相同領域的國際先進水平
2017-10-12 17:15:13
`熱烈慶祝一博科技榮獲Cadence2013用戶大會杰出論文獎！EDA業內矚目的年度活動Cadence用戶大會CDNLive于2013年9月12日于北京香格里拉酒店召開。此會議集聚中國產業鏈高階主管
2013-09-24 09:07:09
`熱烈慶祝一博科技設計團隊榮獲“EDN China 2013年度創新工程師獎”！2013年（第八屆）EDN China創新大會頒獎典禮于11月12日在上海浦東Holiday Inn酒店舉辦，本屆
2013-11-21 17:51:10
/EDN-Taiwan)和《國際電子商情》(ESM-China)五大媒體聯手舉辦的“2017年大中華IC設計成就獎”頒獎典禮在上海浦東嘉里大酒店隆重舉行?！按笾腥AIC設計成就獎”是針對于大中華區（中國大陸、***和香港
2017-03-27 09:06:15
SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V
2020-06-10 13:49:34
測試我司還提供以下MOS管產品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代 SI2302SL3414N溝道SOT23-3 20V6A 可替代AO3414SL3414E N溝道
2020-06-09 15:01:23
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
，園區管委會對 新獲省級及以上專精特新“小巨人”、單項冠軍、智能制造示范企業（車間），主導制定行業標準的企業 ，授予“科技創新示范獎”。在本次評先評優活動中，華秋有幸被授予了“科技創新示范獎”。作為
2023-02-27 14:20:51
年會千峰之夜頒獎晚宴上，在一百余位產業互聯網企業決策人、投資人及業界人士的共同見證下，2023產業互聯網千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數字化實力和創新能力，在眾多優秀的候選者中脫穎而出，榮獲了
2023-12-15 09:53:36
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。 長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 15:11:40
價值獎10個、創新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。長期以來，電子行業呈現“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質管控雜亂
2023-02-27 14:52:41
字文件以進行編輯和后期制作，再到使用一臺數字電影攝像機的全數字化工作流程。所有這些選擇都說明這些榮獲奧斯卡最佳攝影獎的最佳藝術家都選擇相同的系統來拍攝他們的獲獎影片。在過去的五年中，獲此獎項的每一部電影
2018-10-23 09:07:09
的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE榮獲由全球電子技術領域知名媒體集團Aspencore評選出的2019年度MCU產品獎。該獎項此次共收到來自行業內知名半導體供應商的100多款候選產品，通過Aspencore編輯的評估，挑選出10多款產品入圍，最終RE脫穎而出，獲得該產品獎。
2020-10-22 16:47:48
MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要
2021-04-09 09:20:10
CEO獎（10名）、技術創新獎（20名），產品金獅獎（30名）12月7日上午：分析師早餐會、IoT投資論壇2017中國IoT新銳CEO獎、現正在火熱提名中，欲了解[url=https
2017-08-09 10:19:08
杰出的產品性能和獨特的架構設計，榮獲光模塊類“2021年度創新產品獎”。 顛覆傳統，創新突破 易飛揚400G QSFP-DD LR8是一款可熱插拔的光收發模塊，采用單PCB設計，三溫情況下功耗低于
2021-06-28 14:01:02
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關斷、、、是不是設計問題？
2016-08-28 18:29:46
評審后，機智云與美的、海爾、華為、美菱等企業一同成功入圍，最終機智云智能家電運營管理服務平臺榮獲2017年度中國家電艾普蘭獎“智能創新獎”。機智云智能家電運營管理服務平臺機智云4.0智能家電運營管理
2017-03-13 18:30:00
，江蘇潤和軟件股份有限公司（以下簡稱“潤和軟件”）受邀參會，并在華為終端云開發者聯盟舉辦的“一站式開發者服務及開放能力”分論壇上榮獲“華為開發者聯盟 2022年度最佳生態服務商獎”。在本次大會上，潤
2022-11-09 10:24:44
，觀展人數超過16萬人次。 MM32 MCU產品榮獲“CITE 2018集成電路MCU產品創新獎”在此次博覽會上靈動的MM32系列MCU產品從參展的眾多產品中脫穎而出，榮獲了“CITE2018集成電路
2018-04-13 10:38:14
`熱烈祝貨新鄉學院電子創新工作室成員獲得全國機器人大賽ROBTAC二等獎`
2015-07-14 22:53:51
近日，羅姆憑借超低功耗降壓型電源IC“BD70522GUL”榮獲中國IoT杰出技術創新獎！新產品“BD70522GUL”是以IoT市場的關鍵詞“紐扣電池10年驅動”為目標開發而成的超低功耗降壓型電源
2019-07-11 04:20:24
China 2006 年度創新獎頒發優勝產品獎給網絡通信和電源器件與模塊類產品 《電腦世界》榮譽計劃供應鏈管理解決方案杰出成就桂冠 中興通訊“2006年全球最佳合作伙伴”獎 樂山—菲尼克斯半導體
2014-05-21 10:13:17
AOB240LLT8818EFXT代替AOC2804LT4205FNT代替Si7655DN……………………………………………………………………深圳市芯美力科技有限公司吳先生***【微信同步】QQ3557033601
2021-09-03 15:29:29
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 華虹榮獲“積極參與獎”和“產品創新獎”
第七屆中國國際集成電路博覽會暨高峰論壇（IC CHINA 2009）于日前在蘇州國際博覽中心召開。由工業和信息化部、科學技術部
2009-11-13 08:59:28543 瑞昱RTD1073全高清數位媒體處理器榮獲EDN China 2009年度創新獎
2009年11月19日10:03:15
網路與多媒體晶片大廠瑞昱半導體今天宣布，瑞
2009-11-19 10:03:201181 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 2009年度EDN China頒發的“工程師最喜愛的技術服務分銷商”獎項
2009年度EDN China創新獎特別設置了“工程師最喜愛的技術服務分銷商”獎項，旨在表彰在中國境內進行元
2009-12-02 11:17:48626 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 北京2010年11月22日電 /美通社亞洲/ -- 安富利電子元件中國榮獲EDN China 2010年度創新獎“工程師最喜愛的技術服務分銷商”大獎。EDN China 于11月17日在深圳舉行的創新獎
2010-11-22 12:38:31669 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 ADI在2011年度“EDN China創新獎”的評選中，ADI憑借 ADV7619 、 AD8283 以及 ADSP-BF592 三款性能優異、富有創新的產品最終分別獲得“電源器件與模塊”最佳產品獎、“模擬與混合信號”優秀產
2011-12-05 11:30:11652 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創新獎。
2011-12-06 15:51:27719 安捷倫科技公司日前宣布，旗下 Infiniium 2000 和 3000 X 系列示波器榮膺 2011 年度 EDN China 最佳測試與測量類產品創新獎。
2012-01-11 09:27:09605 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE專向應用而開發的LTE(FDD和TDD)優化收發器---MB86L13A榮獲EDN China 2012年度創新獎“通信與網絡類手機組”之最佳產品獎
2012-11-16 14:22:06979 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，該公司的20V P溝道功率MOSFET Si7655DN和高性能鍍金屬直流聚丙烯薄膜
2013-03-22 14:01:44610 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10電源產品獎。Si7655DN是業內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 全球領先的測試、測量和監測儀器提供商---泰克公司日前宣布，在EDN China（《電子設計技術》）舉辦的“EDN China 2013年度創新獎”頒獎典禮上，泰克公司AWG70000系列任意波形
2013-11-14 10:04:19662 （SoC）現場可編程門陣列（FPGA）器件榮獲《電子設計技術》（EDN China）雜志可編程邏輯器件類別創新獎之“優秀產品”獎項?！峨娮釉O計技術》雜志創新獎為大中華地區電子設計行業中其中一項最廣泛、最受尊重的大獎。
2013-11-14 17:13:43978 2013年11月14日 – 半導體與電子元器件業頂尖工程設計資源與全球授權分銷商 Mouser Electronics， Inc.，今天宣布獲頒EDN China最大獎項——2013年度最佳分銷商
2013-11-15 10:34:13831 China創新獎中獲得兩項大獎，專為中國智能電表市場而設計的Si4438 EZRadioPRO? 無線收發器和Si7005相對溫濕度傳感器分別榮獲網絡類最佳產品獎以及傳感類優秀產品獎。
2013-11-21 10:49:01770 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 近日，以“影響未來的創新技術”為主題EDN China創新獎十周年頒獎典禮在上海浦東假日酒店舉辦。今年創新獎評選特設“創新獎10周年”系列獎項，用以表彰從2005年到2014年，在歷屆創新獎的各類評選中獲獎次數最多的企業。世強獲頒中國本土優秀供應商獎。
2014-07-08 17:37:28640 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商—大聯大控股今天很榮幸的宣布，在2015年度“EDN China 創新獎”的評選中，大聯大從眾多參選公司中脫穎而出， 榮獲該年度“創新分銷商獎”殊榮。
2015-07-08 15:44:06791 日前，Vishay宣布，其UMB 0207系列高精度薄膜MELF電阻榮獲2015年EDN China創新獎。在6月25日上海舉行的頒獎典禮上，UMB 0207被授予2015年EDN China創新獎之無源器件類優秀產品獎，Vishay高級銷售經理Dennis Tang代表Vishay領獎。
2015-07-20 10:37:43801 BCcomponents 196 HVC ENYCAP?系列混合ENergY儲能電容器榮獲2015 EDN Hot 100產品獎。
2016-02-24 15:26:23697 WSD20L120DN56 P DFN5X6-8 -20V -120A
2017-07-29 10:30:4515 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 NP3416EMR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N溝道增強模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
創新獎 “最佳整合營銷創新獎” 銀獎。? ? ? ? 梅花創新獎創建于2013年，是國內第一個以“營銷創新”為定位的獎項，旨在表彰每年在營銷領域內創新實踐的機構和個人，倡導所有基于營銷創新的努力與嘗試。本次也是德力西電氣首次入圍并斬
2022-12-01 18:31:27895 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D16-20
2023-02-16 21:03:390 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D38-20P
2023-02-17 19:54:330 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK4D110-20P
2023-02-17 19:56:520 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XPEA
2023-02-23 18:49:200 20 V、4 A P 溝道溝槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 20 V、2 A P 溝道溝槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XPE
2023-03-02 22:22:410 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV20XNEA
2023-03-03 19:35:040 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20XNEA
2023-03-03 19:36:250 近日，由中國通信企業協會發起的“ICT中國（2022）案例征集與發布”年度評選活動結果正式揭曉，經緯恒潤聯合合作伙伴申報的“5G+順岸開放式集裝箱碼頭”榮獲ICT中國創新獎(2022年度)最佳創新
2023-01-29 14:38:22423 
門模塊、座椅模塊、氛圍燈等領域，橫向覆蓋了極氪電器架構2.0平臺、2.5平臺及3.0平臺。此次榮獲“最佳創新獎”，是極氪汽車對經緯恒潤研發實力和技術服務的高度認可
2023-05-30 09:32:20384 SiSS23DN P溝道20V(D-S)MOSFET規格書
特征
? 溝槽場效應晶體管?功率場效應管
? 低熱阻功率包?
小尺寸和低 0.75 mm 封裝輪廓
? 100
2023-07-25 16:44:160 pt8205 20V增強型雙N溝道MOSFET
2021-11-24 15:51:5812
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