熟悉半導體產業的人都知道，在元器件生產商和終端制造商之間，通常會有一個代理商充當橋梁的角色，把原廠的芯片賣給制造商。一般來說，原廠和代理商都是各司其職，很少兼任的。但半導體原廠富士通卻代理了來自美國的Transphorm公司的產品，究竟是什么樣的產品，能夠讓日本巨頭為他做代理，我們來了解一下。

　　Transphorm和富士通“結緣”

　　在易維訊舉辦的第五屆“趨勢、創新、共贏”年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會上，富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇在主題為“氮化鎵產品主要的應用場景和未來的趨勢”的演講上指出，Transphorm是一家設計、生產GaN（氮化鎵）功率轉換器和模塊的企業，其產品應用于電源、功率適配器、馬達驅動器、太陽能轉換器以及電動車輛等領域。

富士通電子元器件高級市場經理蔡振宇

　　這家致力于提高能源轉換效率的公司，從2007年成立到現在，獲得了包括谷歌、富士通、凱鵬華盈、考菲爾德及拜爾斯、索羅斯基金管理公司、量子戰略合作伙伴在內的眾多投資機構的青睞。經過了一系列的潛心研發之后，Transphorm已經成為市場上公認的GaN解決方案領導者。目前該公司的全球雇員人數已經超過120位。

　　而與富士通的深入“結緣”更是回溯到2014年，在當年2月，Transphorm收購了富士通半導體的GaN業務，并授權富士通旗下晶圓廠為其代工生產。而富士通也非?？春肎aN的發展前景，就順理成章地成為了Transphorm的代理。

　　性能卓越的GaN HEMT

　　一直以來，功率器件的原材料基本是硅，但隨著使用環境的復雜度提高，還有工藝限制，硅已經基本到達了其物理極限，于是近年來，很多廠商都在投入了GaN和SiC（碳化硅）這類功率器件的研發。但就目前看來，GaN比SiC更有優勢。

　　Si、SiC和GaN的性能對比

　　蔡經理表示，由于GaN具有電子移動速度快和相對較低的成本，讓其比SiC更具有市場吸引力。同時因為其具有比較好的開關性能，可以應用在很多射頻產品上。

　　具體到Transphorm公司的GaN HEMT器件上，除了擁有比MOSFET更快的開關性能外，同時還因為工作頻率的提高，從而降低了其電容和電阻的尺寸。更重要的是，在此提高頻率的同時，效率并不會受到影響。“這一切都是得益于HEMT獨有的結構?！辈探浝碇赋?。

　　Transphorm產品的橫截圖

　　根據蔡經理的介紹，從上圖我們可以看出，Transphorm GaN HEMT的結構和普通的MOSFET是不一樣的，由于其是在硅襯底上面長出氮化鎵，且S極垂直往上的，上面是S極流到D極，電流是橫向流的，這點與傳統的MOS管流動是不一樣的。

　　“這樣的結構的好處是可以將閾值穩定在2V，也就是在5V會打開，0V的時候關閉。且其驅動可以和現在的硅基產品兼容。這樣就可以省去了設計師設計時所花費的時間。”

　　為了進一步闡述這款產品的高性能，蔡經理特意將GaN HEMT和一般的MOSFET在關鍵參數上做了詳盡對比。

　　GaN HEMT和MOSFET的對比

　　GaN HEMT和SJ-MOSFET的對比

　　從上表可以看出，無論是正向導通的柵極電荷還是Qrr，Transphorm的GaN HEMT較其他產品都有明顯的優勢。

　　得益于其優越的性能，Transphorm的GaN HEMT成為全球首款也是唯一獲得JEDEC認證的600 V GaN器件。能獲得如此重要的認可，可以看出GaN HEMT的可靠性已經得到了充分的保證。

　　關于Transphorm產品的未來發展，蔡經理強調，除了堅持上電的管子開或關這兩種產品同時開發外，Transphorm未來還會兼顧高低壓兩方面的市場，推出相應的產品。并在提供單獨的GaN器件至于，同時提供模組化的產品，提高工程師的開發效率。

　　在硅工藝面臨瓶頸和綠色能源社會的多樣化要求下，Transphorm的出現無疑讓制造商松了一口氣，他未來會帶來多少的驚喜呢？讓我們拭目以待！