通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅(qū)動器實現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅(qū)動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
實施了同步整流，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和高環(huán)路帶寬。該系統(tǒng)在無負載且待機功耗小于 100mW 的情況下可提供 12V 穩(wěn)定電壓。通過變壓器可實現(xiàn)偽隔離，以防 48V 電池發(fā)生次級側(cè)短路。半橋柵極驅(qū)動器可
2018-09-30 09:43:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標(biāo)準。
2019-02-03 21:00:00
；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機控制應(yīng)用。圖騰柱式布局創(chuàng)造出
2015-12-30 09:27:49
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
電路（Rectifier）相對應(yīng)，把直流電變成交流電稱為逆變。逆變電路可用于構(gòu)成各種交流電源，在工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。為了提高所設(shè)計的激勵電源輸出功率和工作頻率， **逆變電路采用全橋逆的方式，相對于單管和半橋逆變電路，全橋逆變的輸出功率更高、開關(guān)損耗更小、可接納的控制方式更多。**全橋逆變電路如下圖所示
2021-11-16 06:14:11
，隔離式柵極驅(qū)動器的輸出端主要從供電軌獲取電流。一旦IGBT或MOSFET的柵極電壓到達供電軌，功耗便降為最低，因為柵極本質(zhì)上是一個電容。對于高端驅(qū)動器而言，高端MOSFET導(dǎo)通時，該吸電流與半橋電壓拉
2018-10-16 13:52:11
半橋和全橋式的開關(guān)電源有什么優(yōu)缺點
2021-03-11 07:39:42
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。在這種設(shè)置中，如果Q1 和 Q2同時導(dǎo)通，有可能因為電源和接地引腳短路而發(fā)生直通。這可能會永久損壞
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓撲結(jié)構(gòu)時，同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動信號
2018-08-27 16:00:08
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項目最初旨在為驅(qū)動 BLDC 電機的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計與柵極驅(qū)動器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工業(yè)用雙極二相步進電機雙全橋柵極驅(qū)動器 30-500W其電動機的功率是由外部N溝提供，功率MOSFET的電源電壓為12-50V.還包含生成兩個正弦DAC
2019-10-28 14:00:50
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅(qū)動器，特別適合于三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動。芯片內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
，盡管它也可以用來驅(qū)動螺線管或其他負載。每個輸出驅(qū)動通道由N通道功率MOSFET組成，配置在1/2 H橋配置中。每個1/2 H橋驅(qū)動器都有一個專用的接地端子，允許獨立的外部電流感應(yīng)。 在DRV8313
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動 IC，帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時間控制功能，能驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅(qū)動 IC，設(shè)計用于高壓、高速驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達 +1200 V。 HIN 的先進輸入濾波器針對噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號提供保護功能
2021-12-20 09:19:25
框內(nèi)的左下臂驅(qū)動電路． 集電極開路器件U14是將TTL電平轉(zhuǎn)換成CMOS電平的緩沖/驅(qū)動器，當(dāng)U14輸出低電平時，功率MOSFET管VT2的柵極
2009-08-20 18:24:15
驅(qū)動電路中通常要用硬件電路當(dāng)?shù)乜刂?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)，電機驅(qū)動板主要采用兩種驅(qū)動芯片，一種是全橋驅(qū)動HIP4082，一種是半橋驅(qū)動IR2104，半橋電路是兩個MOS管組成的振蕩，全橋電路是四個MOS管組成
2020-07-15 17:35:23
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
■ 產(chǎn)品概述LN4318 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的 250V高壓三相柵極驅(qū)動器，具有三路獨立的高低邊輸出，可以用來驅(qū)動半橋電路中的高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4318
2021-06-30 10:07:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設(shè)計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓撲電子煙、無線充 MOSFET 驅(qū)動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
本人最近利用Multisim軟件在做一個全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅(qū)動電壓為±20V，然而給定驅(qū)動脈沖，IGBT并未正常開通、關(guān)斷，本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動器IC，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù)，以確保正確驅(qū)動高端電源開關(guān)。該驅(qū)動程序使用2個獨立輸入
2019-10-12 10:31:24
采用半橋（或任何其他高側(cè)+低側(cè)）配置。它使用自舉技術(shù)確保正確驅(qū)動高端電源開關(guān)。驅(qū)動器采用2個獨立輸入，以適應(yīng)任何拓撲結(jié)構(gòu)（包括半橋，非對稱半橋，有源鉗位和全橋）
2019-10-12 10:29:07
的虛假開關(guān)。對于這兩個通道，該器件可以提供高達4A的強大柵極控制信號，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓撲的快速換向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
本設(shè)計介紹的是THB8128大功率、高細分兩相混合式步進電機驅(qū)動器設(shè)計，見附件下載其原理圖和測試代碼等。該THB8128步進電機驅(qū)動器支持雙全橋MOSFET驅(qū)動，低導(dǎo)通電阻Ron=0.4Ω(上橋
2019-11-12 07:00:00
驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導(dǎo)通和關(guān)斷。此參考設(shè)計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
的一半。 3.3全橋式變壓器開關(guān)電源主要用于輸入電壓比較高的場合，在輸入電壓很高的情況下， 采用全橋式變壓器開關(guān)電源，其輸出功率要比推挽式變壓器開關(guān)電源的輸出功率大很多。因此，一般電網(wǎng)電壓為交流
2018-09-28 10:07:25
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動器延遲時間短，上升和下降時間短提供用于驅(qū)動半橋的信號和電源反激式恒定導(dǎo)通時間，無需環(huán)路補償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計經(jīng)過測試并包含測試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護。先進的主動箝位保護欠壓和過壓鎖定保護。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設(shè)計用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
MOSFET的原理是什么？MOSFET的作用是什么？H橋全橋驅(qū)動的原理是什么？如何將H橋驅(qū)動當(dāng)作電機或步進電機的驅(qū)動電路？
2021-08-06 07:33:11
闡述這些設(shè)計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
FD6288T&Q 是一款集成了三個獨立的半橋柵極驅(qū)動集成電路芯片，專為高壓、高速驅(qū)動 MOSFET 設(shè)計，可在高達+250V 電壓下工作。FD6288T&Q 內(nèi)置 VCC/VBS
2021-06-30 11:48:09
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
和低側(cè)。該電路還在控制側(cè)和電源側(cè)之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動器，采用iCoupler技術(shù)提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機控制，帶嵌入式控制接口的電源轉(zhuǎn)換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）
2019-11-07 08:53:19
怎么實現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-10-11 07:18:56
位功能，可用于各種開關(guān)拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
對MOS管的驅(qū)動電路形式，常用推挽式電路，增強驅(qū)動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2020-07-15 01:34:51
對MOS管的驅(qū)動電路形式，常用推挽式電路，增強驅(qū)動能力而功率放大的電路形式，常使用全橋或者半橋的電路形式，放大功率同樣是要接外接供電電源，為什么驅(qū)動用推挽，功放用全橋半橋？如果交換電路形式呢？謝謝
2017-02-16 14:02:13
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
+LDO，可有效改善無線充電普遍存在的發(fā)熱高、效率低、外圍電路復(fù)雜等問題。這種方案除了少數(shù)電阻電容以外，只有兩個主要元器件：主控和高集成度的全橋/半橋芯片，其中SN-D06集成了全橋驅(qū)動芯片、功率
2018-12-07 15:30:46
求教各位大佬：MOSFET半橋驅(qū)動芯片空載時為什么HO和LO都沒有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅(qū)動芯片沒有與mosfet相連，是空載。當(dāng)我把pwm波輸入半橋驅(qū)動芯片后，半橋驅(qū)動器HO和LO無輸出。調(diào)試了半天也沒發(fā)現(xiàn)問題。各位大佬如果知道的話，請指點下小弟。萬分感謝！！！
2018-04-09 23:54:28
每個半橋的參數(shù)設(shè)置、晶體管的獨立或協(xié)調(diào)控制以及診斷監(jiān)控。圖3：使用從MCU到DRV8718-Q1汽車柵極驅(qū)動器的菊花鏈配置控制16個半橋統(tǒng)一控制可減少 MCU 的工作量。只需一條命令，MCU 即可啟用
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動器輸出具有最小驅(qū)動器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計。
2021-09-14 07:29:33
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅(qū)動器? 低波紋 (
2018-09-06 09:07:35
源電壓均高于10 V，電源電壓降至7 V。對于極端的電池壓降條件，在電源電壓降至5.5 V，但柵極驅(qū)動電壓降低的情況下，可保證正常工作。A4940提供微控制器的邏輯級輸出和全橋配置的N通道功率
2020-09-29 16:51:51
L6390，用于工業(yè)應(yīng)用的高壓半橋柵極驅(qū)動器。三相功率級三L6390半橋柵極驅(qū)動器之一的應(yīng)用電路
2019-07-08 12:28:25
v 額定 MOSFET 可能有一個總柵極電荷只有35 nC。為了確保支持全功率譜的工具陣容，設(shè)計人員必須調(diào)節(jié)平均 VREG 電流，驅(qū)動器可以提供給 MOSFET 的柵極，使 MOSFET 處于通態(tài)
2022-04-14 14:43:07
驅(qū)動器，特別適合于三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動。芯片內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅(qū)動器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅(qū)動模塊沒有類似半橋驅(qū)動器的芯片，應(yīng)該是自己搭建的，網(wǎng)上看了看也沒有類似的東西，來請教一下
2017-01-14 18:03:50
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅(qū)動器評估板，采用隔離式半橋驅(qū)動器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號控制。該電路在邏輯信號和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
或負切換電壓范圍內(nèi)，可靠地控制各種MOSFET配置的開關(guān)特性。為了確保安全和簡化測試，選擇12 V直流電源作為本設(shè)計的電源。自舉柵極驅(qū)動電路高端和低端的柵極驅(qū)動器電源是不同的。低端柵極驅(qū)動電壓以地為
2018-10-24 10:28:10
通道的器件，此規(guī)格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機
2018-10-25 10:22:56
6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。在這種設(shè)置中，如果Q1和Q2同時導(dǎo)通，有可能因為電源和接地引腳短路而發(fā)生直通。這可
2018-11-01 11:35:35
4-A、600V 半橋柵極驅(qū)動器 Bus voltage (Max) (V) 600 Power switch MOSFET, IGBT Input VCC (Min) (V
2022-12-14 14:43:05
TF2183(4)M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道
2023-02-27 17:04:43
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器，能夠在半橋配置中驅(qū)動n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動器，能夠在半橋配置中驅(qū)動n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2003M高側(cè)切換到250V的引導(dǎo)操作
2023-06-27 16:35:30
TFB0504是一個半橋式柵極驅(qū)動器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進工藝，使浮動高側(cè)驅(qū)動器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個半橋式柵極驅(qū)動器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進工藝，使浮動高側(cè)驅(qū)動器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動器IC，設(shè)計用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動芯片SOP8，原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動器，在電源、太陽能逆變器和馬達驅(qū)動電路中，實現(xiàn)超快速的功率MOSFET及 IGBT負載切換
2011-03-25 11:29:47
1088 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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