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SiC/GaN功率半導體產值,2020年破10億美元
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2019-06-25 11:22:42
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2013-04-26 10:10:041532
1532半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析
作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918
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基于SiC或GaN的功率半導體應用設計
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優于硅的性能優勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168
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重磅發布！TI發布首款汽車級GaN FET：功率密度翻倍，效率達99%！
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2020-11-18 09:40:576941
6941具有SiC和GaN的高功率
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功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優于現在使用的Si（硅），作為“節能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
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12192006年全球25大半導體廠商排名-帶營收額說明
2006年全球25大半導體廠商排名以下為iSuppli此次評出的2006年全球25大半導體廠商排名： 1. 英特爾，營收額313.59億美元
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2016年全球半導體營收排行
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5G會給半導體帶來什么投資機會
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2019-12-03 10:10:00
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仍在于Wafer Cost，根據yole development測算，單片成本SiC比Si基產品高出7-8倍。研究機構IHS預測到2025年SiC功率半導體的市場規模有望達到30億美元。在未來的10
2019-05-06 10:04:10
GaN功率IC實現了安徽世界上最小的大時代筆電電源適配器怎么樣
，其設計的方案滿足所有這些挑戰；與舊式慢速基于硅的半導體設計相比，成本相近甚至更低。” 應需而生的GaN功率IC Stephen解釋說，速率與效率是電源設計中兩個至關重要的參數，至今常用的半導體材料
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2022-08-12 09:42:07
GaN基微波半導體器件材料的特性
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
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半導體行業的趨勢
以及芯片本身。”結果也證明多年的鋪墊、耕耘以及巨額的研發投入已經讓Altera變得更強。目前Altera分布在20個國家，有3000名員工，憑借17.3億美元的收入成為全球可編程半導體業的領導者
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`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
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SuperData：預計2020年全球虛擬現實VR市場規模可達280億美元
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為什么GaN會在射頻應用中脫穎而出？
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
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`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
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2027年超越100億美元！GaN和SiC功率半導體市場規模暴增
功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833
98332027年功率半導體市場超越100億美元
新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體預計將在2020年達到近10億美元，推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:233544
3544第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:574129
4129半導體材料：Si、SiC和GaN
作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156
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功率半導體和5G的新寵——GaN和SiC
半導體產業的發展一共分三個階段，第一代半導體材料是硅(Si)，第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaN和SiC，相較前兩代產品
2022-12-09 10:46:48910
9105種羅姆常用的SiC功率器件介紹（上）
汽車日漸走向智能化、聯網化與電動化的趨勢，加上5G商用在即，這些將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元
2023-02-02 16:19:59968
968SiC 和 GaN 功率半導體市場趨勢，2019 年以來發生了什么變化？
預計在 2021 年突破 10 億美元。 報告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導體的銷售收入，預計從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預計未來十年，每年
2020-11-16 10:19:322223
2223電裝深耕SiC功率半導體的研發生產
為實現低碳社會，電裝開始量產搭載了高品質SiC（碳化硅）功率半導體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產品。 持續布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263191
31912020年LED產值僅達151.27億美元，年減10%
根據TrendForce旗下光電研究處的最新報告，2020年LED產業受到新冠肺炎疫情沖擊，市場需求明顯下滑，預估產值僅達151.27億美元，年減10%，是歷年罕見的衰退幅度。展望2021年，隨著
2020-12-28 16:33:132012
2012SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹
第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢
2021-05-03 16:18:0010174
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第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產值可望大增9成
2021年6月，富士經濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 40471 億日元，而 2020 年為 28043
2021-06-23 14:25:032039
2039使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350
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sic功率半導體上市公司 sic功率半導體技術如何實現成果轉化
sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586
586三安宣布進軍美洲市場，為市場提供SiC和GaN功率半導體產品
1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。
2024-01-13 17:17:561042
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工商網監
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