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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>2012-2015年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)六大趨勢(shì)預(yù)測(cè)

2012-2015年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)六大趨勢(shì)預(yù)測(cè)

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2023-08-11 15:47:07

PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制(PL243)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制
2023-08-02 14:51:44

PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制(PL241)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(SMC)。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25

PrimeCell AHB SDR和NAND存儲(chǔ)器控制(PL242)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制
2023-08-02 06:26:35

MCS-單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器的組成(2)#單片機(jī)

存儲(chǔ)器程序mcs
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-01 00:48:05

MCS-單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器的組成(1)#單片機(jī)

存儲(chǔ)器程序mcs
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-01 00:47:19

MCS-單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的組成(2)#單片機(jī)

存儲(chǔ)器程序mcs
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-01 00:46:31

存儲(chǔ)器綜合擴(kuò)展(1)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:03:55

存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(2)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:03:15

存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:02:49

單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱(chēng)ram。
2023-07-25 15:28:37641

西門(mén)子博途: 存儲(chǔ)器間接尋址的應(yīng)用

對(duì)于存儲(chǔ)器間接尋址,可以在變量中存儲(chǔ)地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數(shù)據(jù)類(lèi)型。變量可以位于存儲(chǔ)器區(qū)域“數(shù)據(jù)”(DB 或 DI)、“位存儲(chǔ)器” (M) 或“臨時(shí)本地?cái)?shù)據(jù)” (L) 中。
2023-07-15 11:20:312715

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類(lèi)

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [11] 存儲(chǔ)器 (3)

8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線(xiàn)。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器,可通過(guò)該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28873

處理器基礎(chǔ)抱佛腳-存儲(chǔ)器部分

存儲(chǔ)器是用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的(指令也是一種數(shù)據(jù)),按使用類(lèi)型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory),RAM是其中最為常見(jiàn)的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458

PLC系統(tǒng)的存儲(chǔ)器分類(lèi)介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶(hù)程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶(hù)存儲(chǔ)器
2023-06-26 14:02:453774

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)

8 存儲(chǔ)器 RA6 MCU支持4GB的線(xiàn)性地址空間,范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ,其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線(xiàn)。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器,可利用
2023-06-21 12:15:03421

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

RAM/ROM存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785

SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲(chǔ)容量** 存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線(xiàn)決定) * **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱(chēng)為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱(chēng)為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409

PLC未來(lái)的六大趨勢(shì)是什么?

plc
YS YYDS發(fā)布于 2023-05-22 15:38:16

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下:ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì): 1、存儲(chǔ)器介紹 存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

IPv6發(fā)展的三大趨勢(shì)

 IPv6的發(fā)展現(xiàn)在有三大趨勢(shì):一是過(guò)渡在加速,二是從雙棧向IPv6單棧發(fā)展,三是從IPv6到IPv6﹢的發(fā)展。
2023-05-12 09:59:46540

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462541

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

寄存器和存儲(chǔ)器如何區(qū)分

寄存器是計(jì)算機(jī)硬件中最快、最小、最常用的存儲(chǔ)器。它是CPU內(nèi)部的存儲(chǔ)器,通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和暫存空間。在CPU中,寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連,用于存儲(chǔ)操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059366

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551

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