TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器?
根據(jù)我的閱讀,外部總線(xiàn)接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中,我看到外部總線(xiàn)為 0。
2024-03-04 06:13:37
通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪(fǎng)問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪(fǎng)問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
華為以“持續(xù)創(chuàng)新,質(zhì)勝未來(lái),加速光伏成為主力能源”為主題,舉辦2024智能光伏十大趨勢(shì)發(fā)布會(huì)。
2024-01-25 11:17:38269 我想使用 DAP 協(xié)議對(duì) TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔? 如何通過(guò) DAP 協(xié)議訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?
提前謝謝了!
2024-01-23 07:51:15
了。
因?yàn)椴煌慕涌谶壿嫸伎梢栽?FPGA 內(nèi)部去實(shí)現(xiàn),完全沒(méi)必要那么多的接口芯片,在配合 DDR 存儲(chǔ)器的使用,將使我們接口數(shù)據(jù)的處理變得更加得心應(yīng)手。05 人工智能
如果大家比較喜歡關(guān)注科技板塊
2024-01-17 17:03:05
只讀存儲(chǔ)器(ROM)是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備,用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令,其特點(diǎn)如下: 數(shù)據(jù)固定性:只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠(chǎng)時(shí)被編程固化的,用戶(hù)無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39288 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng),存儲(chǔ)器的種類(lèi)也越來(lái)越多。其中,RAM(Random Access Memory,隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器)是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類(lèi)型,一種
2024-01-12 17:27:15512 隨著人工智能應(yīng)用和投資的蓬勃增長(zhǎng),新的挑戰(zhàn)也隨之而來(lái)。基于對(duì)人工智能使用的預(yù)期增加,我們預(yù)測(cè) 2024 年將出現(xiàn)三個(gè)重塑計(jì)算格局的趨勢(shì)。
2024-01-11 10:31:05111 1 月 3 日,釘釘聯(lián)合國(guó)際知名咨詢(xún)機(jī)構(gòu) IDC 發(fā)布首份《2024 AIGC 應(yīng)用層十大趨勢(shì)白皮書(shū)》(下稱(chēng)《白皮書(shū)》)。
2024-01-08 17:10:33671 2023年,世人見(jiàn)證了ChatGPT在全球范圍的大火。以生成式人工智能為代表的新一代人工智能問(wèn)世,改變了人工智能(AI)技術(shù)與應(yīng)用的發(fā)展軌跡,加速了人與AI的互動(dòng)進(jìn)程,是人工智能發(fā)展史上的新里程碑。2024年,人工智能技術(shù)與應(yīng)用的發(fā)展又會(huì)呈現(xiàn)出哪些趨勢(shì)?讓我們一同展望這些值得關(guān)注的重大趨勢(shì)。
2024-01-05 10:37:23586 靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲(chǔ)器(cache memory)做為一部分存儲(chǔ)在相對(duì)慢速的主存儲(chǔ)器(main memory)中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50241 如果按照資料里的:0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲(chǔ)器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字,其中最后10位包含存儲(chǔ)器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù),以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,有兩種主要的類(lèi)型:隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器,但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory,NVM)和易失性存儲(chǔ)器 (volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 。第四季度起,存儲(chǔ)芯片價(jià)格開(kāi)始呈現(xiàn)上升趨勢(shì),市場(chǎng)景氣度有望改善。 展望2024年,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)哪些新變化?技術(shù)又將有什么新變革?市場(chǎng)又將有何新趨勢(shì)? 11月8日 ,由TrendForce集邦咨詢(xún)主辦的 2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)( Memory Trend Seminar 2
2023-11-01 20:35:02459 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類(lèi)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見(jiàn)的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
? ? ? ? ? ? 近日,第11屆EEVIA年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)在深圳隆重開(kāi)啟。 兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)器事業(yè)部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理張靜 受邀出席,以“持續(xù)開(kāi)拓,兆易新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品助力
2023-10-12 18:57:04598 自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器(系統(tǒng)存儲(chǔ)器)中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過(guò)一種可用的串行外設(shè)(USART、CAN、USB、I2C 等)將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
這三大趨勢(shì)將推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的發(fā)展,為更快速、更高效的充電解決方案提供了新的可能性,有望在全球范圍內(nèi)促進(jìn)電動(dòng)汽車(chē)的普及。向更高電壓架構(gòu)的過(guò)渡有望提高性能并縮短充電時(shí)間,同時(shí)監(jiān)管舉措將支持快速充電設(shè)施的部署。這些趨勢(shì)有望為電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的未來(lái)帶來(lái)積極影響,推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展。
2023-09-27 10:26:131041 眾所周知,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中,存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類(lèi)型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類(lèi),前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 )都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線(xiàn)矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器(STM32F2新增)
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射(STM32F2新增)
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪(fǎng)問(wèn)方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤(pán)存儲(chǔ)器等幾類(lèi)。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類(lèi)及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 STM32 F7 概述? STM32總線(xiàn)架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線(xiàn)架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專(zhuān)利要點(diǎn),提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線(xiàn)之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題,該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下:選通字線(xiàn),通過(guò)位線(xiàn)在所有存儲(chǔ)單元中寫(xiě)設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為T(mén)SMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
人工智能未來(lái)十大趨勢(shì) 隨著科技的飛速發(fā)展,人工智能領(lǐng)域也在不斷地向前推進(jìn)。無(wú)論是在工業(yè)領(lǐng)域還是在個(gè)人生活中,人工智能正在發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。那么,未來(lái)十大人工智能趨勢(shì)都有哪些呢?接下來(lái),我們
2023-08-17 12:36:333738 存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車(chē)和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類(lèi)型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20413 tektronix泰克TPS2012B數(shù)字存儲(chǔ)示波器泰克TPS2012B數(shù)字存儲(chǔ)示波器,具有兩個(gè)通道,100MHz帶寬,1GS/s取樣速率,更是采用了泰克
2023-08-11 15:47:07
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(SMC)。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線(xiàn)體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱(chēng)ram。
2023-07-25 15:28:37641 對(duì)于存儲(chǔ)器間接尋址,可以在變量中存儲(chǔ)地址。變量可以是 WORD 或 DWORD 數(shù)據(jù)類(lèi)型。變量可以位于存儲(chǔ)器區(qū)域“數(shù)據(jù)”(DB 或 DI)、“位存儲(chǔ)器” (M) 或“臨時(shí)本地?cái)?shù)據(jù)” (L) 中。
2023-07-15 11:20:312715 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線(xiàn)。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器,可通過(guò)該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28873 存儲(chǔ)器是用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的(指令也是一種數(shù)據(jù)),按使用類(lèi)型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory),RAM是其中最為常見(jiàn)的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶(hù)程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶(hù)存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453774 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959 8 存儲(chǔ)器 RA6 MCU支持4GB的線(xiàn)性地址空間,范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ,其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線(xiàn)。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器,可利用
2023-06-21 12:15:03421 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線(xiàn)決定)
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱(chēng)為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10822 磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱(chēng)為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下:ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
IPv6的發(fā)展現(xiàn)在有三大趨勢(shì):一是過(guò)渡在加速,二是從雙棧向IPv6單棧發(fā)展,三是從IPv6到IPv6﹢的發(fā)展。
2023-05-12 09:59:46540 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22
通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462541 51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
寄存器是計(jì)算機(jī)硬件中最快、最小、最常用的存儲(chǔ)器。它是CPU內(nèi)部的存儲(chǔ)器,通常作為指令和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和暫存空間。在CPU中,寄存器直接與算術(shù)邏輯單元(ALU)相連,用于存儲(chǔ)操作數(shù)或運(yùn)算結(jié)果。
2023-04-09 18:43:059366 存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551
評(píng)論
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