電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日有消息稱,三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價格提高10%以上,預(yù)計最快會從10月開始漲價。與此同時,為了加速去庫存以配合漲價,三星自今年以來就一直
2023-10-08 09:01:372444 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 User Data?
Q2:如果Q1的結(jié)果是各區(qū)間無法縮減,那只剩下I2C EEPROM可以放置User Data?
Q3:另外是否能增加code Area的容量,大概可以增加多少?
2024-02-28 08:13:07
Q1:flash的寫接口函數(shù)一次性只能寫一行(row)嗎?
Q2:flash寫之前必須要擦除嗎?
Q3:調(diào)用寫接口后,怎么查看flash內(nèi)部的數(shù)據(jù)是否寫成功?
2024-02-21 08:33:15
NAND Flash的寫入速度和擦除速度會受到多種因素的影響,包括Flash芯片的具體型號、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此,無法給出確切的數(shù)值。
2024-02-19 12:41:55697 近日,有消息稱,三星已將2024年的手機(jī)ODM訂單交給聞泰科技,訂單數(shù)量超過4000萬部。這意味著聞泰科技可能重新成為三星最大的ODM供應(yīng)商。
2024-01-30 10:42:36392 據(jù)報道,業(yè)內(nèi)人士透露,由于DRAM、NAND等存儲半導(dǎo)體市場嚴(yán)重低迷,三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半導(dǎo)體零部件供應(yīng)商提出降價要求。
2024-01-19 14:52:05421 供應(yīng)商為了盡量減少損失,正在推高NAND Flash價格。
2024-01-10 10:02:27255
各位大佬,
萌新一枚,在查LT8612的時候看到了這個原理圖,研究了一下,有幾個問題想不明白,請教一下各位大佬。
請問一下Q5的作用是什么,Q2和Q3是開關(guān)管嗎,還有就是LTC3632的Iset的806K的電阻是是干嘛的,是設(shè)計上電時間的嘛
2024-01-05 06:36:59
綜觀全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場排名,研調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia報告顯示,三星以34.3%市占率位居龍頭,第二名是日商鎧俠(市占率19.5%),美國威騰電子居于第三(市占率15.9%),SK海力士排第四(市占率約15.1%)。
2024-01-04 10:35:56151 全球儲存型快閃記憶體市場排名中,三星以34.3%的市占率居于領(lǐng)先地位。為達(dá)到盈利目標(biāo),NAND芯片供應(yīng)商將持續(xù)拉抬報價。
2024-01-02 17:08:09606 針對NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢,特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品,東芯股份強(qiáng)調(diào)其具有電壓選擇靈活(包括3.3V和1.8V)及豐富封裝形式,如WSON、BGA等。另外,公司實施的單顆集成技術(shù),使得存儲陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:13343 中圖儀器一鍵式測量儀供應(yīng)商VX系列采用雙遠(yuǎn)心高分辨率光學(xué)鏡頭,結(jié)合高精度圖像分析算法,并融入一鍵閃測原理。在機(jī)械、電子、模具、注塑、五金、橡膠、低壓電器、磁性材料、精密沖壓、接插件、連接器、端子
2023-12-18 11:00:28
2023年q3,三星依然是市場第1位,鎧俠、美光只是銷售下滑的第2個企業(yè)。nand的銷售額維持了與q2相同的水平,約29億美元。市場占有率為31.4%,平均單價反彈1~3%。
2023-12-05 17:16:25654 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 檢測,仍會有較高的不良率,所以必須要進(jìn)行壞塊管理。
第二,不同品牌之間的NAND Flash,由于Page,Block大小不同,時序不同等。都需要嵌入式工程師重新調(diào)試驅(qū)動,經(jīng)常遇到替換供應(yīng)商后重新
2023-11-23 17:25:18
盡管需求復(fù)蘇仍然緩慢,但減產(chǎn)推動了價格上漲。由于無法承受虧本銷售,供應(yīng)商已將減產(chǎn)幅度擴(kuò)大到低于成本的水平。事實上,據(jù)報道三星電子將在明年上半年將 NAND 產(chǎn)量削減幅度擴(kuò)大到 40% 至 50%。
2023-11-22 17:25:45825 NAND FLASH,嵌入式sd卡,工業(yè)級sd卡,單片機(jī) nand flash,貼片式TF卡
2023-11-15 18:09:47219 鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌,從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%,出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準(zhǔn),nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 Nand Flash因其具有容量大、成本低、壽命長的特點,被廣泛的用作數(shù)據(jù)存儲的解決方案。然而NandFlash的讀寫控制較為復(fù)雜,Nand Flash的接口控制器大多是基于PC機(jī)或ARM處理器為架構(gòu)進(jìn)行開發(fā)的,存在操作不方便的問題。
2023-11-10 09:40:482680 為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58646 看到很多STM32開發(fā)板,無論是野火還是原子,或者其他的板子,都會在開發(fā)板上加各種存儲,SDRAM,NAND FLASH,SPI FLASH。
開發(fā)板可能是為了讓掌握這幾種存儲的使用;但是實際工作
2023-10-26 07:06:28
如果單片機(jī)不帶硬件操作nand flash的話,用軟件可以實現(xiàn)nand flash操作嗎?不要求速度,只要讀寫文件就可以了,請問怎么用單片機(jī)io模擬操作芯片
2023-10-23 06:30:34
據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季度合約價全面起漲,漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724 據(jù)報告顯示,NAND Flash的第四季度合約價全面上漲,漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報告中預(yù)計,第四季度NAND Flash的均價有望持平或小幅上漲,環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981 NAND_Flash長時間讀寫后會導(dǎo)致讀寫失敗么
2023-10-16 07:32:50
三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價格過低,計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格,漲幅預(yù)計在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231904 業(yè)內(nèi)人士說:“nand閃存價格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營,擴(kuò)大減產(chǎn),價格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 業(yè)界認(rèn)為,三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價格上漲的效果,從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認(rèn)為,slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價格。
2023-09-11 11:35:04953 供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:43
供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:50:32
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:18
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:15
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:28
供應(yīng)商器件封裝 E 8 x 8
2023-09-07 11:49:18
供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:49:12
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
2023-09-07 11:49:11
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:49:04
供應(yīng)商器件封裝 P 7 x 4
2023-09-07 11:49:02
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:48:23
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011621 不同于一季度的疲軟,可以看到在 二季度存儲市場明顯有所回暖,打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑,重新恢復(fù)增長。 據(jù)CFM閃存市場分析, 2023年二季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增
2023-09-05 16:13:32317 三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192
應(yīng)用程序: 此樣本代碼顯示訪問外部 SPI NAND Flash 的文件 。
BSP 版本: M480 BSP CMSIS V3.03.000
硬件: M483 Nand Flash V1.0
此
2023-08-29 07:21:07
應(yīng)用程序: 演示USB供應(yīng)商指令的實施
BSP 版本: NUC123系列 BSP CMSIS V3.01.001
硬件: NuTiny-EVB-NUC123-LQFP64 v1.0
該文件展示了如
2023-08-23 06:55:09
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 設(shè)備需要有歷史記錄存儲查詢功能,采用8M的nand flash存儲方案,請問可以用flashDB嗎?特別需要喜歡按時間戳一鍵查詢的接口。
2023-08-20 17:28:54
引言:并行Nand Flash是中等容量存儲方案的理想選擇,相比于SPI Nand Flash,性能更優(yōu),但體積較大,使用并沒有后者廣泛,多使用在嵌入式,物聯(lián)網(wǎng),工業(yè)等領(lǐng)域。
2023-08-11 15:50:13841 pSLC模式后,僅保存1bit數(shù)據(jù)。
二、各NAND FLASH的特點
MLC常用制程為15nm,擦寫次數(shù)約為3000次,改為pSLC模式后約為2萬次。
三、pSLC的優(yōu)缺點
pSLC具有以下優(yōu)點
2023-08-11 10:48:34
在nand,供應(yīng)商正在試圖減少價格下跌。但由于csp(云服務(wù)提供企業(yè))的需求持續(xù)減少,nand價格的穩(wěn)定出現(xiàn)了問題。目前,該公司預(yù)測說,谷歌和微軟的nand閃存需求每年將減少50%以上。亞馬遜預(yù)測最多將減少70%,meta預(yù)測每年將減少35%以上。
2023-07-16 10:21:03428 相對于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤,固態(tài)硬盤采用了閃存存儲技術(shù),具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中,Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對便宜和可靠的存儲解決方案之一。
2023-07-05 15:37:072132 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051887 2023年6月22日,應(yīng)用材料公司憑借2023年度供應(yīng)商多元化卓越表現(xiàn),榮獲英特爾公司獨家EPIC項目的杰出供應(yīng)商獎。該獎項旨在表彰英特爾供應(yīng)鏈中,那些去年一年持續(xù)在質(zhì)量精進(jìn)、企業(yè)績效、協(xié)作和包容領(lǐng)域做出了巨大貢獻(xiàn)、表現(xiàn)最為優(yōu)異的供應(yīng)商。
2023-06-27 17:05:41305 級接口規(guī)范以及連接器和模塊外形規(guī)格。使用開放接口標(biāo)準(zhǔn)加強(qiáng)了來自不同供應(yīng)商的NAND設(shè)備的兼容性和互操作性。這增加了標(biāo)準(zhǔn)器
2023-06-21 17:36:325865 供應(yīng)SC2002A芯片替代料XPD720 pps快充協(xié)議芯片支持三星 AFC 協(xié)議,提供XPD720關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-06-01 10:10:41
供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-30 14:24:29
供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級代理富滿,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應(yīng)XPD319B 20w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-單C口快充方案,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46
不用寫驅(qū)動程序自帶壞塊管理的NAND Flash(貼片式TF卡),尺寸小巧,簡單易用,兼容性強(qiáng),穩(wěn)定可靠,固件可定制,LGA-8封裝,標(biāo)準(zhǔn)SDIO接口,兼容SPI/SD接口,兼容各大MCU平臺,可
2023-05-28 15:46:27
址
一旦從供應(yīng)工具寫入,是否有更新這些地址的原因?
我不明白在哪里可以找到配置工具寫入的這些地址,我看到它們在 bootrom 使用的 OCRAM1 區(qū)域中。
我想知道當(dāng)我想用我的引導(dǎo)加載程序升級 nand-flash(首先使用配置工具編程)時,我是否必須更改引導(dǎo)數(shù)據(jù)地址?為什么呢?
2023-05-24 13:56:04
。NOR FLASH的主要供應(yīng)商是INTEL ,MICRO等廠商。
nand flash 同樣是按塊擦除,但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用,不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取。(nandflash按塊來擦除
2023-05-19 15:59:37
的裸片面積上實現(xiàn)相同的功能,從而實現(xiàn)了外設(shè)和存儲的更高集成度,新產(chǎn)品預(yù)計第四季度全面上市。
行業(yè)風(fēng)向
【三星將減產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)能5%,西安廠為重點】
據(jù)韓媒報道,三星將在第二季度將其NAND產(chǎn)能
2023-05-10 10:54:09
當(dāng)我在 ebay 和其他網(wǎng)站上搜索 esp8266 NodeMCU D1 Mini 板時,我對這些變化感到困惑。
有沒有人確定優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商?
我看到了 V1、V2 和 V3(但很少有 V3)。這有什么不同嗎?
購買這些板時還應(yīng)考慮什么?誰能推薦資源?
2023-04-28 06:32:47
供應(yīng)XPD767BP18 支持三星pps快充協(xié)議芯片-65W和65W以內(nèi)多口互聯(lián),更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-04-26 10:22:36
中國北京(2023年4月12日)—業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布,旗下車規(guī)級GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列產(chǎn)品
2023-04-13 15:18:46
我們正在開展一個在 LS1043A 板上使用 QSPI 閃存的項目。我們選擇的flash來自兩個供應(yīng)商:Macronix和ISSI,我們在每塊板上使用2個來自同一供應(yīng)商的spi flash,一個作為
2023-04-06 07:37:15
我的Nand Flash有4個通道DQ0[0..7], DQ1[0..7], DQ2[0..7], DQ3[0..7],將它連接到 IMX8 的最佳方式是什么?當(dāng)使用 IMX8 的 GPIO 控制
2023-04-04 06:12:17
大家好, 我們計劃在MIMXRT1062DVL6B部分的SEMC接口上使用NAND Flash。我們可以用于 NAND Flash的最大尺寸是多少? 根據(jù)手冊,它表示支持每個區(qū)域 512Mbit
2023-03-31 07:47:22
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