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NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

數據:

NXH160T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。
特性 優勢
  • 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ
  • 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率
  • 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ
  • 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率
  • 底板
  • 熱傳播
  • 可焊銷
  • 輕松安裝
  • 熱敏電阻
  • 溫度檢測
  • T型中性點鉗位三電平逆變器模塊
應用 終端產品
  • DC-AC階段
  • 太陽能逆變器
  • UPS

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(3)
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