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STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驅動器在單一緊湊型系統級封裝 (SiP) 中集成了柵極驅動器和四個N通道功率MOSFET,采用雙半橋配置。集成式功率MOSFET的漏源導通電阻或RDS (ON) 為1.38Ω,漏源擊穿電壓為600V。嵌入式柵極驅動器的高側可方便地通過集成自舉二極管供電。PWD5F60功率驅動器的集成度高,因此能在空間受限的應用中高效地驅動負載。
PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器,用于防止过流和过热。
该器件采用紧凑型15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装。