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TS5N118 8 選 1 FET 多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器高帶寬總線開關(guān)

數(shù)據(jù):

描述

TS5N118是一款高帶寬FET總線開關(guān),利用電荷泵提升傳輸晶體管的柵極電壓,提供低而平坦的導(dǎo)通狀態(tài)阻力(r on )。低而平坦的導(dǎo)通電阻允許最小的傳播延遲,并支持?jǐn)?shù)據(jù)輸入/輸出(I /O)端口上的軌到軌切換。該器件還具有低數(shù)據(jù)I /O電容,可最大限度地減少數(shù)據(jù)總線上的電容負(fù)載和信號(hào)失真。 TS5N118專為支持高帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì),提供優(yōu)化的接口解決方案,非常適合寬帶通信,網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)密集型計(jì)算系統(tǒng)。

TS5N118是1/8復(fù)用器/解復(fù)用器使用單個(gè)輸出啟用(> OE )輸入。選擇(S0,S1,S2)輸入控制多路復(fù)用器/多路分解器的數(shù)據(jù)路徑。當(dāng) OE 為低電平時(shí),多路復(fù)用器/多路分解器啟用,A端口連接到B端口,允許端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng) OE 為高電平時(shí),多路復(fù)用器/多路分解器被禁用,A和B端口之間存在高阻態(tài)。

此設(shè)備完全為使用I off 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用指定。 I off 電路可防止在斷電時(shí)損壞通過(guò)器件的電流。在斷電期間,器件具有隔離功能。

為確保上電或斷電期間的高阻態(tài), OE 應(yīng)綁定到V CC 通過(guò)上拉電阻;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

特性

  • 低且平坦的導(dǎo)通電阻(r on )特性超出工作范圍(r on < /sub> = 3 Typ)
  • 0到10-V開啟數(shù)據(jù)I /O端口
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
  • 低輸入/輸出電容可最大限度地減少加載和信號(hào)失真(C io(OFF) = 20 pF Max,B端口)
  • V CC 工作范圍4.75 V至5.25 V
  • 閂鎖性能超過(guò)每JESD 100 mA 78 ,II類
  • 每個(gè)JESD測(cè)試的ESD性能22
    • 2000-V人體模型
      (A114-B,II類)
    • 1000-V充電設(shè)備型號(hào)(C101)
  • 支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用
  • 應(yīng)用
    • PCI接口
    • 差分信號(hào)接口
    • 內(nèi)存交錯(cuò)
    • 總線隔離
    • 低失真信號(hào)門控

<小>

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 特定于協(xié)議的開關(guān)/多路復(fù)用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Input/Ouput Voltage (Min) (V)
Input/Ouput Voltage (Max) (V)
ICC (Max) (uA)
Bandwidth (MHz)
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
ESD Charged Device Model (kV)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
OFF-state leakage current (Max) (µA)
Ron (Max) (Ohms)
VIH (Min) (V)
VIL (Max) (V)
TS5N118
8:1    
1    
4.75    
5.25    
3    
0    
10    
10000    
25    
-40 to 85    
16SSOP: 29 mm2: 6 x 4.9(SSOP)    
SSOP    
1    
100    
20    
160    
10    
12.5    
2    
0.8    

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)(1)
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