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TLE2024M 高速低功耗精密四路運算放大器

數據:

描述

TLE202x,TLE202xA和TLE202xB器件是采用全新德州儀器Excalibur工藝的精密,高速,低功耗運算放大器。這些器件結合了OP21的最佳特性和高度改善的壓擺率和單位增益帶寬。

互補雙極性Excalibur工藝采用隔離式垂直pnp晶體管,可顯著提高單位增益帶寬和壓擺率類似的設備。

在此過程中添加偏置電路可以獲得極其穩定的時間和溫度參數。這意味著即使溫度變化和使用多年,精密器件仍然是精密器件。

這種卓越的直流性能與共模輸入電壓范圍(包括負軌)的結合使這些器件成為可能。是單電源或分離電源配置中低電平信號調理應用的理想選擇。此外,這些器件還提供相位反轉保護電路,當其中一個輸入低于負電源軌時,可消除輸出狀態的意外變化。

各種可用選項包括小外形和芯片 - 用于高密度系統應用的載體版本。

C-suffix器件的特點是工作溫度范圍為0°C至70°C。 I后綴器件的特點是在40°C至85°C的溫度范圍內工作。 M后綴器件的特點是可在55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。

特性

  • 供應電流。 。 。 300μAMax
  • 高單位增益帶寬。 。 。 2 MHz典型值
  • 高轉換率。 。 。 0.45 V /μsMin
  • 供電電流變化超過軍事溫度范圍。 。 。 10μA典型值V CC ±=±15 V
  • 指定用于5 V單電源和±15 V操作
  • 相位反轉保護
  • 高開環增益。 。 。 6.5 V /μV(136 dB)典型值
  • 低偏移電壓。 。 。 100μVMax
  • 偏移電壓隨時間漂移
    0.005μV/mo Typ
  • 低輸入偏置電流。 。 。 50 nA Max
  • 低噪聲電壓。 。 。 19 nV /√ Hz Typ

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?運算放大器

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Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Output Current (Typ) (mA)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Architecture
IIB (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TLE2024M TLE2021 TLE2021-EP TLE2021-Q1 TLE2021M TLE2022 TLE2022-EP TLE2022-Q1 TLE2022M TLE2024 TLE2024-EP TLE2024-Q1
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CDIP
LCCC ? ?
PDIP
SOIC ? ?
SOIC ? ? SOIC ? ? SOIC ? ? PDIP
SOIC ? ?
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See datasheet (CDIP)
20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) ? ?
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ?
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) ? ? See datasheet (PDIP)
16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) ? ?
16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) ? ? 16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3(SOIC) ? ?

方框圖 (1)

技術文檔

數據手冊(1)
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