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      CSD17577Q3A CSD17577Q3A

      數據：

      描述

      這款30V，4.0mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET功率MOSFET被設計成功率轉換應用中以最大程度降低電阻。

      頂部圖標

      要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄.R θJA = 50°C /W ，這是在一個厚度0.06英寸環氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅焊盤上測得的典型值
      。最大R θJC = 3.0°C /W，脈沖持續時間≤100μs，占空比≤1％

      特性

      • 低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 無鉛
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm封裝

      應用范圍

      • 網絡互聯，電信和計算系統中的負載點同步降壓
      • 針對控制和同步FET應用進行了優化

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD17577Q3A
      30 ? ?
      Single ? ?
      6.4 ? ?
      4.8 ? ?
      239 ? ?
      13 ? ?
      2.8 ? ?
      SON3x3 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      83 ? ?
      35 ? ?
      Yes ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD17577Q3A 相關庫存