FOD3184 輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET / IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：FOD3184CN-D.pdf

FOD3184是輸出電流為3A的高速M(fèi)OSFET / IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。它由鋁砷化鎵（AlGaAs）發(fā)光二極管（LED）組成，該二極管與具有PMOS和NMOS輸出功率晶體管集成電路功率級(jí)的CMOS感測(cè)器進(jìn)行光耦合。它非常適用于等離子顯示板（PDP）中使用的高頻驅(qū)動(dòng)的功率MOSFETS / IGBT，電機(jī)控制逆變器以及高性能的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。 >該器件封裝在8引腳雙列直插式外殼內(nèi)，兼容260°C回流焊接工藝，符合無(wú)鉛焊接的規(guī)定。

特性
具有35kV /μs共模抑制特點(diǎn)的高抗噪能力
保證工作溫度范圍為-40°C至100°C
為中等功率的MOSFET / IGBT提供最低3A的峰值輸出電流
快速開(kāi)關(guān)速度
210ns（最大值）傳播延遲
65ns（最大值）脈寬失真度
快速輸出上升/下降時(shí)間
提供較低的動(dòng)態(tài)功耗
250kHZ最大開(kāi)關(guān)速度廣泛的V
CC _{工作電壓范圍}，從15V至30V
使用P溝道MOSFET作為輸出級(jí)可使輸出電壓擺幅接近供電軌（軌道到軌輸出）
帶滯后的欠壓閉鎖保護(hù)（UVLO） - 優(yōu)化用于驅(qū)動(dòng)IGBT
安全和法規(guī)認(rèn)證
1分鐘UL1577,3,750 VAC _RMS
最小爬電距離為8.0mm
IEC60747-5-2,1,414峰值工作絕緣電壓（待審批）
最小絕緣厚度為0.5mm
最小爬電距離8.0mm（選項(xiàng)T ）