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      3天內不再提示

      FGA30N65SMD 650 V 30 A 場截止IGBT

      數據：

      飛兆半導體的場截止第二代IGBT新系列采用新型場截止IGBT技術，為太陽能逆變器，UPS，焊機，感應加熱，通訊，ESS和PFC等低傳導和開關損耗至關重要的應用提供最佳性能。
      特性
      • 最大結溫：T J = 175 o C
      • 正溫度系數，易于并聯運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 1.98 V（典型值）@ I C = 30
      • 快速開關
      • 緊密的參數分布
      • 符合RoHS標準

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（2）
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