精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發帖/加入社區
      會員中心
      創作中心
      發布
      創作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      FDP4D5N10C N通道屏蔽柵極PowerTrench

      數據：

      產品信息

      這款N溝道MV MOSFET采用安森美半導體先進的PowerTrench工藝生產，采用屏蔽柵極技術。該工藝經過優化，可最大限度地降低通態電阻，并通過同類最佳的軟體二極管保持卓越的開關性能。 最大RDS（on）=4.5mΩ，VGS = 10 V，ID = 128 A < / li> 用于極低RDS（on）的高性能溝槽技術 極低的反向恢復電荷，Qrr 低柵極電荷，QG = 48nC（典型值）< / li> 高功率和電流處理能力 100％UIL測試 符合RoHS標準