LE25S20MB 串行閃存 2 Mb（256K x 8）

數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)表：串行閃存，2M位（256K x 8）

LE25S20MB是SPI總線閃存器件，具有2M位（256K x 8位）配置。它使用單個(gè)1.8 V電源。 LE25S20MB采用8引腳超小型封裝，同時(shí)充分利用了串行閃存器件固有的特性。所有這些特征使得該設(shè)備非常適合于將程序存儲(chǔ)在諸如便攜式信息設(shè)備之類的應(yīng)用中，這些應(yīng)用需要具有越來(lái)越緊湊的尺寸。 LE25S20MB還具有小扇區(qū)擦除功能，使該器件非常適用于存儲(chǔ)具有較少重寫(xiě)周期的參數(shù)或數(shù)據(jù)，而傳統(tǒng)EEPROM由于容量不足而無(wú)法處理。

特性	優(yōu)勢(shì)
啟用讀/寫(xiě)操作單個(gè)1.8 V電源：1.65至1.95 V電源電壓范圍	1.8 V低壓操作
工作頻率：40 MHz	高數(shù)據(jù)傳輸率
溫度范圍：-40到85 °C	快速擦除和編程時(shí)間
串行接口：SPI模式0，模式3支持	高可靠性
Sec tor size：4K字節(jié)/小扇區(qū)，64K字節(jié)/扇區(qū)
小扇區(qū)擦除，扇區(qū)擦除，芯片擦除功能
頁(yè)面程序功能（256字節(jié)/頁(yè)）
區(qū)塊保護(hù)功能
高度可靠的讀/寫(xiě) 重寫(xiě)次數(shù)：100,000次小扇區(qū)擦除時(shí)間：40 ms（典型值），150 ms（最大值）扇區(qū)擦除時(shí)間：80 ms（典型值）， 250 ms（最大值）芯片擦除時(shí)間：300 ms（典型值），3.0 s（最大值）頁(yè)面編程時(shí)間：3.0 ms / 256字節(jié)（典型值），3.5 ms / 256字節(jié)（最大值）
狀態(tài)功能：就緒/忙碌信息，保護(hù)信息
數(shù)據(jù)保留期：20年