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      AFBR-S4N44P163 采用高清技術(shù)的4x4 NUV硅光電倍增管（SiPM）

      數(shù)據(jù)：

      描述

      AFBR-S4N44P163是一個(gè)4x4像素硅光電倍增管（SiPM）陣列，用于單光子的超靈敏精確計(jì)數(shù)。

      該器件采用硅通孔（TSV）技術(shù)有效利用表面積，無需電線即可實(shí)現(xiàn)高封裝密度。通過平鋪多個(gè)陣列可以覆蓋更大的探測(cè)器區(qū)域，幾乎沒有邊緣損失。

      探測(cè)器在可見光譜中具有廣泛的響應(yīng)，特別優(yōu)化了藍(lán)光和近紫外光。 

      低至紫外波長(zhǎng)的高透明薄玻璃層保護(hù)陣列，非常適合檢測(cè)來自最常見閃爍體的閃爍或Cherenkov光，如LSO，LYSO，GSO，BGO，NaI，CsI，BaF， LaBr。 

      功能

      • 420 nm以上的高PDE超過55％
      • 高填充因子（像素和平鋪）
      • 優(yōu)秀的SPTR和CRT
      • 擊穿電壓的均勻性（和瓷磚之間的差值<300 mV）
      • 采用TSV技術(shù)，陣列是4面可用的
      • 細(xì)胞間距30 x 30µ m²
      • 瓷磚尺寸15.9 x 15.9 mm²
      • 陣列厚度僅為1.28 mm
      • 高度透明玻璃保護(hù)層
      • 32背面觸點(diǎn)，可回流焊接
      • 工作溫度范圍從-20°C到+ 50°C
      • 符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn) 

      應(yīng)用

      • X射線和伽瑪射線檢測(cè)
      • 核醫(yī)學(xué)
      • 正電子發(fā)射斷層掃描
      • 安全性
      • 物理實(shí)驗(yàn)

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（3）
      元器件購(gòu)買 AFBR-S4N44P163 相關(guān)庫(kù)存

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