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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV1J006D-GP4

--- 產品參數 ---

  • 增益 17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益
  • PAE 60% 典型值。10 GHz 時的 PAE
  • Psat 6 W 典型 Psat
  • 電壓 40 伏操作
  • 頻率 高達 18GHz 的操作

--- 產品詳情 ---

CGHV1J006D 是碳化硅襯底上的高壓氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；使用 0.25-μm 柵極長度的制造工藝。這種 GaN-on-SiC 產品提供卓越的高頻；高效率的特點。它非常適合在 40 V 和高擊穿電壓下工作在 10 MHz 至 18 GHz 的各種應用。

CGHV1J006D-GP4


 

 

特征
17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益
60% 典型值。10 GHz 時的 PAE
6 W 典型 Psat
40 伏操作
高達 18GHz 的操作

 

 

應用
衛星通信
PTP 通信鏈接
海洋雷達
游艇雷達
港口船舶交通服務
寬帶放大器
高效放大器


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