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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

6.7k 內(nèi)容數(shù) 58w+ 瀏覽量 88 粉絲

C3M0120100K碳化硅MOSFET

型號(hào)： C3M0120100K

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1000V
  • 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
  • 柵極 -源極電壓動(dòng)態(tài) -8/+19V
  • 脈沖漏極電流 50A
  • 功耗 83W
  • 工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0120100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)等快速開關(guān)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。

1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導(dǎo)通電阻的獨(dú)特器件解決了許多電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)；非常低的輸出電容；低源電感，完美融合了低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通損耗。與基于硅的解決方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關(guān)頻率；減少組件數(shù)量；減小電感器等組件的尺寸；電容器；過濾器和變壓器。 

C3M0120100K

好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
? 再生能源
? 電動(dòng)汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源

 

相關(guān)型號(hào)
C3M0120100K E3M0075120K
C3M0016120D E3M0075120D
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C3M0032120D C3M0160120D
C3M0032120K C2M0160120D
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C3M0040120D C3M0350120J
C3M0040120K C3M0350120D
C2M0040120D C2M1000170D
C3M0075120D-A C2M0045170P
C3M0075120K-A C2M0045170D
 

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