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CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CG2H80015D-GP4

--- 產品參數 ---

  • PSAT功率 15 W 典型 PSAT
  • 電壓 28 伏操作
  • 耐壓 高擊穿電壓
  • 環境 高溫操作
  • 頻率 高達 8 GHz 的操作

--- 產品詳情 ---

CG2H80015D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。

CG2H80015D-GP4

 

 

特征
15 W 典型 PSAT
28 伏操作
高擊穿電壓
高溫操作
高達 8 GHz 的操作
高效率


應用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

 

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