--- 產品參數 ---
- PSAT功率 60 W 典型 PSAT
- 操作電壓 28 伏操作
- 電壓 高擊穿電壓
- 環境 高溫操作
- 頻率 高達 8 GHz 的操作
--- 產品詳情 ---
CG2H80060D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
60 W 典型 PSAT
28 伏操作
高擊穿電壓
高溫操作
高達 8 GHz 的操作
高效率
應用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
A類;乙; 適用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣; CDMA波形
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