--- 產品參數 ---
- 頻率 1.8 – 2.3 GHz 操作
- 增益 15分貝增益
- 功率 -35 dBc ACLR,20 W PAVE
- PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 35 %
- 應用 可應用高度 DPD 校正
--- 產品詳情 ---
CGH21120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH21120F 非常適合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
1.8 – 2.3 GHz 操作
15分貝增益
-35 dBc ACLR,20 W PAVE
20 W PAVE 時效率為 35 %
可應用高度 DPD 校正
應用
碼分多址
LTE
WiMAX
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