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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGH25120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻率 2.3 – 2.7 GHz 操作
  • 增益 13分貝增益
  • PAVE功率 20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
  • PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 30 %
  • 應(yīng)用特性 可應(yīng)用高度 DPD 校正

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH25120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為實現(xiàn)高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 成為 2.3-2.7GHz WiMAX 的理想選擇；LTE 和 BWA 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

CGH25120F

 


特征
2.3 – 2.7 GHz 操作
13分貝增益
20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
20 W PAVE 時效率為 30 %
可應(yīng)用高度 DPD 校正


應(yīng)用
MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器


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