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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C2M1000170J碳化硅MOSFET

型號： C2M1000170J

--- 產品參數 ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 15A
  • 功耗 69W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產品詳情 ---

C2M0045170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉換提供更快的開關和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現更小、更高效的電源轉換系統。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術可提高系統功率密度；更高的開關頻率；較小的設計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M0045170D


優點
? 更高的系統效率
? 平滑的開關波形
? 降低冷卻要求
? 最小門振鈴
? 提高系統可靠性

特征
? 高阻斷電壓和低 RDS(on)
? 易于并聯且易于驅動
? 低寄生電感
? 低阻抗封裝
? 獨立的驅動源引腳
? 超低漏柵電容
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)

 

應用
? 輔助電源
? 開關模式電源
? 高壓容性負載

 

漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態:-10/+25V
柵極-源極電壓靜態：-5/+20V
脈沖漏極電流：15A
功耗：60W
工作結溫和存儲溫度:-55to+150?C
焊接溫度:260?C


相關型號
C2M1000170J C3D08060G
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